新型钌化合物、其制备方法、包含其的膜沉积用前体组合物及利用前体组合物的膜沉积方法技术

本发明专利技术涉及新型钌化合物、所述钌化合物的制备方法、包含所述钌化合物的用于沉积含钌膜的前体组合物以及利用所述前体组合物的含钌膜沉积方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及新型钌化合物、所述钌化合物的制备方法、包含所述钌化合物的用于沉积膜的前体组合物以及利用所述前体组合物的膜沉积方法。
技术介绍
钌(Ruthenium)金属不仅热稳定性、化学稳定性优异，且具有低电阻率(ρbulk＝7.6μΩ·cm)和较大的功函数(Φbulk＝4.71eV)，因此可以用作晶体管的栅电极；或动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)或铁电随机存储器(FerroelectricRandomAccessMemory，FeRAM)的电容器(Capacitor)电极材料。尤其，在作为下一代DRAM电容器的高介电物质材料而使用作为含钛氧化物的TiO2、STO(SrTiO3)、BST[(Ba,Sr)TiO3]等时，为了使得漏电流(Leakagecurrent)最小化而需要使用钌电极。钌金属不仅与铜金属的粘结性优异，且难以与Cu形成固溶体，因此正在积极研究在半导体制造工艺中的利用电镀(Electroplating)的Cu配线工序中钌金属作为晶种层(seedlayer)的适用性。另外，作为导电材料，钌氧化物(RuO2)的电阻率低(ρ本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种钌化合物，所述钌化合物由下列化学式1表示：[化学式1]在所述化学式1中，R1至R4分别独立地包括H(氢原子)或者C1‑5烷基，其中，C1‑5烷基为直链或支链的C1‑5烷基，n为0至3的整数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.05.30 KR 10-2014-0065854;2014.11.21 KR 10-2011.一种钌化合物，所述钌化合物由下列化学式1表示：[化学式1]在所述化学式1中，R1至R4分别独立地包括H(氢原子)或者C1-5烷基，其中，C1-5烷基为直链或支链的C1-5烷基，n为0至3的整数。2.根据权利要求1所述的钌化合物，其中，所述直链或支链的C1-5烷基包括选自由甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、仲戊基、叔戊基、新戊基、3-戊基及其异构体组成的组中的烷基。3.根据权利要求1所述的钌化合物，其中，n为0，R1至R4分别独立地包括H或者选自由甲基、乙基、异丙基和叔丁基组成的组中的烷基。4.根据权利要求1所述的钌化合物，其中，所述钌化合物包括选自由(对异丙基甲苯)(1,3-丁二烯)钌、(对异丙基甲苯)(异戊二烯)钌、(对异丙基甲苯)(2,5-二甲基-1,3-己二烯)钌和(对异丙基甲苯)(1,5-己二烯)钌组成的组中的化...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩元锡，金沼怜，高元勇，
申请(专利权)人：UP化学株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR