本发明专利技术提供新型含第Ⅳ族金属元素的化合物、所述含第Ⅳ族金属元素的化合物的制备方法、包含所述含第Ⅳ族金属元素的化合物的膜形成用前体组合物、以及利用所述含第Ⅳ族金属元素的化合物的含第Ⅳ族金属元素膜的形成方法。具有如下优点：能够通过使用本申请的实现例所涉及的新型含第Ⅳ族金属元素的化合物的原子层沉积法而与以往已知的含第Ⅳ族金属元素的化合物相比在更高的温度下形成含第Ⅳ族金属元素膜。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及新型含第ⅳ族金属元素的化合物、所述含第ⅳ族金属元素的化合物的制备方法、包含所述含第ⅳ族金属元素的化合物的膜形成用前体组合物及利用所述含第ⅳ族金属元素的化合物的含第ⅳ族金属元素膜的形成方法。
技术介绍
1、包含诸如钛(ti)、锆(zr)和铪(hf)的第ⅳ族金属元素的化合物，例如包含第ⅳ族金属元素的氧化物或氮化物的膜(例如氧化锆膜、氮化钛膜等)等作为高介电物质或电极等而用于制造半导体器件。为了通过化学气相沉积法(chemical vapor deposition,cvd)或原子层沉积法(atomic layer deposition,ald)形成含第ⅳ族金属元素的膜，使用各种第ⅳ族金属化合物。此外，含第ⅳ族金属元素的化合物也用作诸如用于聚合物形成的催化剂[韩国授权专利第10-0852234号]。然而，仍需要开发能够有效地用作能够形成均匀的膜、尤其是能够在具有凹凸(槽)的衬底或多孔衬底的整个表面形成均匀的含第ⅳ族金属元素的膜或薄膜的前体的新型含第ⅳ族金属元素的化合物。
技术实现思路
>1、技术问题...
【技术保护点】
1.一种用于形成含锆膜的前体组合物，包含由下述化学式1表示的含锆化合物：
2.根据权利要求1所述的用于形成含锆膜的前体组合物，其中R1为正丙基或正丁基。
3.根据权利要求2所述的用于形成含锆膜的前体组合物，其中所述含锆化合物为[nPrCpZr(NMe2)3]、[nPrCpZr(NEtMe)3]、[nPrCpZr(NEt2)3]、[nBuCpZr(NMe2)3]、[nBuCpZr(NEtMe)3]或[nBuCpZr(NEt2)3]。
4.根据权利要求1所述的用于形成含锆膜的前体组合物，其中所述含锆化合物在常温下为液体。
5.根据权利要求1所述...
【技术特征摘要】
1.一种用于形成含锆膜的前体组合物，包含由下述化学式1表示的含锆化合物：
2.根据权利要求1所述的用于形成含锆膜的前体组合物，其中r1为正丙基或正丁基。
3.根据权利要求2所述的用于形成含锆膜的前体组合物，其中所述含锆化合物为[nprcpzr(nme2)3]、[nprcpzr(netme)3]、[nprcpzr(net2)3]、[nbucpzr(nme2)3]、[nbucpzr(netme)3]或[nbucpzr(net2)3]。
4.根据权利要求1所述的用于形成含锆膜的前体组合物，其中所述含锆化合物在常温下为液体。
5.根据权利要求1所述的用于形成含锆膜的前体组合物，其中所述含锆膜包括含锆氧化膜、含锆氮化膜、含锆氮氧化膜、含锆碳化膜或含锆碳氮化膜。
6.根据权利要求1所述的用于形成含锆膜的前体组合物，其中通过气相沉积形成所述含锆膜。
7.根据权利要求6所述的用于形成含锆膜的前体组合物，其中所述气相沉积为选自由化学气相沉积、低压气相沉积、等离子体增强的化学气相沉积、循环化学气相沉积、等离子体增强的循环化学气相沉积、原子层沉积及等离子体增强的原子层沉积组成的组中的一者以上。
8.根据权利要求1所述的用于形成含锆膜的前体组合物，其中所述用于形成含锆膜的前体组合物用于在具有纵横比为10以上且宽度为1μm以下的凹凸的衬底上形成厚度均匀的含锆膜。
9.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩元锡，高元勇，朴明镐，
申请(专利权)人：UP化学株式会社，
类型：发明
国别省市：
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