本发明专利技术提供新型含第Ⅳ族金属元素的化合物、所述含第Ⅳ族金属元素的化合物的制备方法、包含所述含第Ⅳ族金属元素的化合物的膜形成用前体组合物、以及利用所述含第Ⅳ族金属元素的化合物的含第Ⅳ族金属元素膜的形成方法。具有如下优点：能够通过使用本申请的实现例所涉及的新型含第Ⅳ族金属元素的化合物的原子层沉积法而与以往已知的含第Ⅳ族金属元素的化合物相比在更高的温度下形成含第Ⅳ族金属元素膜。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及新型含第ⅳ族金属元素的化合物、所述含第ⅳ族金属元素的化合物的制备方法、包含所述含第ⅳ族金属元素的化合物的膜形成用前体组合物及利用所述含第ⅳ族金属元素的化合物的含第ⅳ族金属元素膜的形成方法。
技术介绍
1、包含诸如钛(ti)、锆(zr)和铪(hf)的第ⅳ族金属元素的化合物，例如包含第ⅳ族金属元素的氧化物或氮化物的膜(例如氧化锆膜、氮化钛膜等)等作为高介电物质或电极等而用于制造半导体器件。为了通过化学气相沉积法(chemical vapor deposition,cvd)或原子层沉积法(atomic layer deposition,ald)形成含第ⅳ族金属元素的膜，使用各种第ⅳ族金属化合物。此外，含第ⅳ族金属元素的化合物也用作诸如用于聚合物形成的催化剂[韩国授权专利第10-0852234号]。然而，仍需要开发能够有效地用作能够形成均匀的膜、尤其是能够在具有凹凸(槽)的衬底或多孔衬底的整个表面形成均匀的含第ⅳ族金属元素的膜或薄膜的前体的新型含第ⅳ族金属元素的化合物。
技术实现思路
>1、技术问题...
【技术保护点】
1.一种含锆膜的形成方法，包括：通过使包含由下述化学式1表示的含锆化合物的前体组合物与反应气体反应而在衬底上形成含锆膜：
2.根据权利要求1所述的含锆膜的形成方法，其中通过气相沉积而在所述衬底上形成含锆膜。
3.根据权利要求2所述的含锆膜的形成方法，其中所述气相沉积为选自由化学气相沉积、低压气相沉积、等离子体增强的化学气相沉积、循环化学气相沉积、等离子体增强的循环化学气相沉积、原子层沉积及等离子体增强的原子层沉积组成的组中的一者以上。
4.根据权利要求1所述的含锆膜的形成方法，其中在具有纵横比为10:1以上且宽度为1μm以下的凹凸的衬底上形成所述含锆膜...
【技术特征摘要】
1.一种含锆膜的形成方法，包括：通过使包含由下述化学式1表示的含锆化合物的前体组合物与反应气体反应而在衬底上形成含锆膜：
2.根据权利要求1所述的含锆膜的形成方法，其中通过气相沉积而在所述衬底上形成含锆膜。
3.根据权利要求2所述的含锆膜的形成方法，其中所述气相沉积为选自由化学气相沉积、低压气相沉积、等离子体增强的化学气相沉积、循环化学气相沉积、等离子体增强的循环化学气相沉积、原子层沉积及等离子体增强的原子层沉积组成的组中的一者以上。
4.根据权利要求1所述的含锆膜的形成方法，其中在具有纵横比为10:1以上且宽度为1μm以下的凹凸的衬底上形成所述含锆膜。
5.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩元锡，高元勇，朴明镐，
申请(专利权)人：UP化学株式会社，
类型：发明
国别省市：
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