一种阵列基板的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板的制备方法，涉及显示技术领域，特别涉及阵列基板的制备方法，以解决现有技术在ITO薄膜图案化的过程中，在对ITO薄膜图案进行刻蚀时，ITO薄膜容易发生残留，从而影响液晶显示面板的显示特性的问题。本发明专利技术提供一种阵列基板的制备方法，在衬底基板上形成ITO薄膜图形的步骤包括：在ITO薄膜上形成预定的光刻胶图案；采用等离子处理工艺对裸露的ITO薄膜表面进行处理，使ITO薄膜表面析出金属In；对ITO薄膜进行刻蚀，以形成ITO图形。由于本发明专利技术在对ITO薄膜进行刻蚀之前，使ITO薄膜析出金属In，金属In刻蚀速率更高，因此能加快ITO薄膜的刻蚀速率，减少了ITO薄膜刻蚀的残留物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别涉及阵列基板的制备方法。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。高级超维场转换技术(ADvancedSuperDimensionSwitch，简称ADS)通过同一平面内像素间电极产生边缘电场，使电极间以及电极正上方的取向液晶分子都能在平面方向(平行于基板)产生旋转转换，在增大视角的同时提高液晶层的透光效率。ITO(IndiumTinOxide，铟锡氧化物半导体)薄膜是液晶显示器中重要的组成部分，在液晶显示器面板的制备工艺中，多采用透明导电薄膜ITO来作为公共电极和像素电极来提高液晶面板的透过率。如图1所示，现有技术中在ITO薄膜图案化的过程中，对在光刻胶图案下的ITO薄膜图案进行刻蚀，光刻胶两侧的ITO容易发生ITO残留，从而影响液晶显示面板的显示特性。>
技术实现思路
...

【技术保护点】
一种阵列基板的制备方法，其特征在于，在衬底基板上形成ITO薄膜图形的步骤包括：在铟锡氧化物ITO薄膜上形成预定的光刻胶图案；采用等离子处理工艺对裸露的所述ITO薄膜表面进行处理，使所述ITO薄膜表面析出金属铟In；对所述ITO薄膜表面进行刻蚀，以形成ITO图形。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，在衬底基板上形成ITO薄膜
图形的步骤包括：
在铟锡氧化物ITO薄膜上形成预定的光刻胶图案；
采用等离子处理工艺对裸露的所述ITO薄膜表面进行处理，使所述ITO薄
膜表面析出金属铟In；
对所述ITO薄膜表面进行刻蚀，以形成ITO图形。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在铟锡氧化物ITO薄膜上形
成预定的光刻胶图案，包括：
在衬底基板上依次形成金属层和所述ITO薄膜；
在所述ITO薄膜上形成光刻胶层；
利用半灰阶掩膜版，通过一次构图工艺形成所述光刻胶层的完全去除区，
部分保留区和完全保留区。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在对所述ITO薄膜表面进行
刻蚀，以形成ITO图形后，还包括：
灰化工艺去除所述部分保留区中的光刻胶，并减薄所述完全保留区中的光
刻胶的厚度；
对所述金属层进行第二次刻蚀以形成栅极图形。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用等离...

【专利技术属性】
技术研发人员：张锋，曹占锋，姚琪，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11