一种阵列基板的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板的制备方法，涉及显示技术领域，特别涉及阵列基板的制备方法，以解决现有技术在ITO薄膜图案化的过程中，在对ITO薄膜图案进行刻蚀时，ITO薄膜容易发生残留，从而影响液晶显示面板的显示特性的问题。本发明专利技术提供一种阵列基板的制备方法，在衬底基板上形成ITO薄膜图形的步骤包括：在ITO薄膜上形成预定的光刻胶图案；采用等离子处理工艺对裸露的ITO薄膜表面进行处理，使ITO薄膜表面析出金属In；对ITO薄膜进行刻蚀，以形成ITO图形。由于本发明专利技术在对ITO薄膜进行刻蚀之前，使ITO薄膜析出金属In，金属In刻蚀速率更高，因此能加快ITO薄膜的刻蚀速率，减少了ITO薄膜刻蚀的残留物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别涉及阵列基板的制备方法。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。高级超维场转换技术(ADvancedSuperDimensionSwitch，简称ADS)通过同一平面内像素间电极产生边缘电场，使电极间以及电极正上方的取向液晶分子都能在平面方向(平行于基板)产生旋转转换，在增大视角的同时提高液晶层的透光效率。ITO(IndiumTinOxide，铟锡氧化物半导体)薄膜是液晶显示器中重要的组成部分，在液晶显示器面板的制备工艺中，多采用透明导电薄膜ITO来作为公共电极和像素电极来提高液晶面板的透过率。如图1所示，现有技术中在ITO薄膜图案化的过程中，对在光刻胶图案下的ITO薄膜图案进行刻蚀，光刻胶两侧的ITO容易发生ITO残留，从而影响液晶显示面板的显示特性。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板的制备方法，用以解决现有技术中在ITO薄膜图案化的过程中，对在光刻胶图案下的ITO薄膜图案进行刻蚀时，光刻胶两侧的ITO薄膜容易发生残留，从而影响液晶显示面板的显示特性的问题。本专利技术实施例提供一种阵列基板的制备方法，在衬底基板上形成ITO薄膜图形的步骤包括：在铟锡氧化物半导体ITO薄膜上形成预定的光刻胶图案；采用等离子处理工艺对裸露的所述ITO薄膜表面进行处理，使所述ITO薄膜表面析出金属In；对所述ITO薄膜进行刻蚀，以形成ITO图形。由于本专利技术实施例在对ITO薄膜进行刻蚀之前，使ITO薄膜析出金属In，金属In刻蚀速率更高，因此能加快ITO薄膜的刻蚀速率，减少了ITO薄膜刻蚀的残留物。可选的，在铟锡氧化物ITO薄膜上形成预定的光刻胶图案，包括：在衬底基板上依次形成金属层和所述ITO薄膜；在所述ITO薄膜上形成光刻胶层；利用半灰阶掩膜版，通过一次构图工艺形成所述光刻胶层的完全去除区，部分保留区和完全保留区。现有技术中采用一次灰阶掩膜工艺来同时制备公共电极和栅极时存在ITOtail较大的问题，即栅线下会有部分ITO向栅线两侧突出，从而导致相邻的两条栅线之间的距离不能太近以避免短路现象的发生，但是这样会造成阵列基板的开口率降低，增加整个显示面板的功耗。本专利技术实施例采用一次构图工艺可以改善液晶面板的长期信赖性，并且可以缩小阵列基板相邻电极之间的距离，从而提高显示面板的开口率，降低功耗。可选的，在对所述ITO薄膜表面进行刻蚀，以形成ITO图形后，还包括：灰化工艺去除所述部分保留区中的光刻胶，并减薄所述完全保留区中的光刻胶的厚度；对所述金属层进行第二次刻蚀以形成栅极图形。可选的，采用等离子处理工艺对裸露的所述ITO薄膜表面进行处理，包括：用等离子混合气体对裸露的所述ITO薄膜表面进行处理。本专利技术实施例用等离子气体对ITO薄膜表面进行处理，因而可以使ITO薄膜发生雾化，析出更多的金属In，增加ITO刻蚀液对TIO薄膜的刻蚀速率。可选的，用等离子混合气体对裸露的所述ITO薄膜表面进行处理之前，还包括：对所述ITO薄膜表面上的金属层进行第一次刻蚀。可选的，所述等离子混合气体，包括：氢气、氩气和氦气的等离子混合气体。本专利技术实施例提供的等离子气体中包含的气体的种类可以使ITO薄膜析出更多的金属In，能加快ITO薄膜的刻蚀速率。可选的，用于生成所述等离子混合气体的氢气的流量为300～10000标况毫升/分钟，氩气的流量为300～10000标况毫升/分钟，氦气的流量为30～1000标况毫升/分钟。由于本专利技术实施例提供了用于生成等离子混合气体的气体的流量，因此生成的等离子气体的各种气体的比例适合使ITO薄膜析出更多的金属In，能加快ITO薄膜的刻蚀速率。可选的，用等离子气体对所述ITO薄膜表面进行处理的条件为：处理所述ITO薄膜表面时的温度为25度；所述等离子混合气体的间距为900～1200密位，所述等离子混合气体的压力为100～3000毫托。本专利技术实施例提供了用等离子混合气体对ITO薄膜表面进行处理的更适宜的条件，因此可以使ITO薄膜表面析出更多的金属In，因此在对ITO薄膜表面处理后，能加快ITO薄膜的刻蚀速率。附图说明图1为现有技术阵列基板的ITO刻蚀方法的效果示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制备方法示意图；图3为本专利技术实施例阵列基板的制备涉及的阵列基板结构的示意图；图4为本专利技术实施例阵列基板的ITO刻蚀方法的效果示意图；图5为本专利技术实施例提供一种阵列基板的制备方法的完整流程示意图；图6为本专利技术实施例提供一种阵列基板的制备方法效果示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种阵列基板的制备方法，在衬底基板上形成ITO薄膜图形的步骤包括：在铟锡氧化物半导体ITO薄膜上形成预定的光刻胶图案；采用等离子处理工艺对裸露的所述ITO薄膜表面进行处理，使所述ITO薄膜表面析出金属In；对所述ITO薄膜表面进行刻蚀，以形成ITO图形。由于本专利技术实施例在对ITO薄膜进行刻蚀之前，使ITO薄膜析出金属In，金属In刻蚀速率更高，因此能加快ITO薄膜的刻蚀速率，减少了ITO薄膜刻蚀的残留物。如图2所示，本专利技术实施例提供一种阵列基板的制备方法，在衬底基板上形成ITO薄膜图形的步骤包括：步骤201，在铟锡氧化物半导体ITO薄膜上形成预定的光刻胶图案；步骤202，采用等离子处理工艺对裸露的所述ITO薄膜表面进行处理，使所述ITO薄膜表面析出金属In；步骤203，对所述ITO薄膜表面进行刻蚀，以形成ITO图形。本专利技术实施例用于刻蚀阵列基板的ITO(IndiumTinOxide，铟锡氧化物半导体)薄膜。如图3所示，本专利技术实施例刻蚀ITO薄膜3涉及阵列基板的四部分结构：光刻胶图案1、金属层2、ITO薄膜3和玻璃基板4。光刻胶图案1的作用是，保护光刻胶图案1下面与光刻胶图案1的形状相同的金属层2和IT本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制备方法，其特征在于，在衬底基板上形成ITO薄膜图形的步骤包括：在铟锡氧化物ITO薄膜上形成预定的光刻胶图案；采用等离子处理工艺对裸露的所述ITO薄膜表面进行处理，使所述ITO薄膜表面析出金属铟In；对所述ITO薄膜表面进行刻蚀，以形成ITO图形。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，在衬底基板上形成ITO薄膜
图形的步骤包括：
在铟锡氧化物ITO薄膜上形成预定的光刻胶图案；
采用等离子处理工艺对裸露的所述ITO薄膜表面进行处理，使所述ITO薄
膜表面析出金属铟In；
对所述ITO薄膜表面进行刻蚀，以形成ITO图形。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在铟锡氧化物ITO薄膜上形
成预定的光刻胶图案，包括：
在衬底基板上依次形成金属层和所述ITO薄膜；
在所述ITO薄膜上形成光刻胶层；
利用半灰阶掩膜版，通过一次构图工艺形成所述光刻胶层的完全去除区，
部分保留区和完全保留区。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在对所述ITO薄膜表面进行
刻蚀，以形成ITO图形后，还包括：
灰化工艺去除所述部分保留区中的光刻胶，并减薄所述完全保留区中的光
刻胶的厚度；
对所述金属层进行第二次刻蚀以形成栅极图形。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用等离...

【专利技术属性】
技术研发人员：张锋，曹占锋，姚琪，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11