阵列基板、阵列基板的制造方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板、阵列基板的制造方法和显示装置，属于显示技术领域。该阵列基板包括：衬底基板；衬底基板上设置有至少一个电极；设置有至少一个电极的衬底基板上设置有树脂层；设置有树脂层的衬底基板上设置有至少一个电极；其中，树脂层包括绝缘区域和至少一个导电区域，每个导电区域分别与位于导电区域上下两侧，且需要导通的两个电极接触。本发明专利技术提供的阵列基板，通过树脂层中的导电区域将树脂层两侧的电极进行连接，解决了相关技术中绝缘区域上方的电极在通过绝缘区域过孔与绝缘区域下方电极连接时，绝缘区域过孔处会形成较大的凹陷，阵列基板的平坦度较低的问题。达到了阵列基板的平坦度较高的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板、阵列基板的制造方法和显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、画面品质高等特点，在显示器市场中占有主导地位。TFT-LCD的性能参数是决定液晶显示屏优于其他模式显示屏的主要决定因素，其中开口率是是衡量液晶显示屏对光的利用率的性能参数，开口率越高，那么显示屏的亮度会越高，从而使得显示屏耗能越低。目前，可以采用有机树脂来提高TFT-LCD的开口率，有机树脂能够有效降低数据线和公共电极间的耦合电容，并进一步降低了TFT-LCD的功耗。图1为现有技术TFT-LCD阵列基本结构的示意图，如图1所示，现有技术TFT-LCD阵列基板主要包括：衬底基板11；在衬底基板11上形成的栅极12；在形成有栅极12的衬底基板11上形成的栅绝缘层13；在形成有栅绝缘层13的衬底基板11上形成的有源层14；在形成有源层14的衬底基板11上形成的源极15与漏极16；在形成有源极15与漏极16的衬底基板11上形成的阻挡层17；在形成阻挡层17的衬底基板11上形成有绝缘树脂层18，且绝缘树脂层18设置有绝缘树脂层过孔181；在形成有绝缘树脂层18的衬底基板11上形成有像素电极19，且像素电极19通过绝缘树脂层过孔181与漏极16进行相连。专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：由于绝缘树脂层的厚度较大，因而绝缘树脂层上方的电极(如像素电极和公共电极)在通过绝缘树脂层过孔与绝缘树脂层下方电极连接时，绝缘树脂层过孔处会形成较大的凹陷，该凹陷处的段差较大，阵列基板的平坦度较低。
技术实现思路
为了解决相关技术中阵列基板的平坦度较低的问题，本专利技术实施例提供了一种阵列基板、阵列基板的制造方法和显示装置。所述技术方案如下：一方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底基板；所述衬底基板上设置有至少一个电极；设置有所述至少一个电极的衬底基板上设置有树脂层；设置有所述树脂层的衬底基板上设置有至少一个电极；其中，所述树脂层包括绝缘区域和至少一个导电区域，每个所述导电区域分别与位于所述导电区域上下两侧，且需要导通的两个电极接触。可选的，所述衬底基板和所述树脂层之间设置有薄膜晶体管TFT，所述TFT包括漏极，所述漏极与所述至少一个导电区域中的第一导电区域接触；设置有所述树脂层的衬底基板上还设置有像素电极，所述像素电极与所述第一导电区域接触。可选的，所述阵列基板还包括外围电路，所述外围电路包括设置在所述衬底基板和所述树脂层之间的栅极和漏极，所述外围电路还包括设置在设置有所述树脂层的衬底基板上的公共电极，所述外围电路的栅极与所述至少一个导电区域中的第二导电区域接触，所述外围电路的漏极与所述至少一个导电区域中的第三导电区域接触，所述公共电极与所述第二导电区域和所述第三导电区域均接触。可选的，形成所述树脂层中导电区域的材料包括聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯中的至少一种。第二方面，提供一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：在衬底基板上形成至少一个电极；在形成有所述至少一个电极的衬底基板上形成树脂层；在形成有所述树脂层的衬底基板上形成至少一个电极；其中，所述树脂层包括绝缘区域和至少一个导电区域，每个所述导电区域分别与位于所述导电区域上下两侧，且需要导通的两个电极接触。可选的，所述在形成有所述至少一个电极的衬底基板上形成树脂层，包括：在形成有所述至少一个电极的衬底基板上形成导电树脂涂层；通过预设方式对所述导电树脂涂层的预设区域进行处理，使所述预设区域的导电树脂涂层失去导电性而转变为所述绝缘区域。可选的，所述预设方式包括紫外线照射、等离子处理和离子注入中的任意一种。可选的，所述在衬底基板上形成至少一个电极，包括：在衬底基板上形成TFT，所述TFT包括漏极；所述在形成有所述至少一个电极的衬底基板上形成树脂层，包括：在形成有所述TFT的衬底基板上形成所述树脂层，所述至少一个导电区域中的第一导电区域与所述漏极接触；所述在形成有所述树脂层的衬底基板上形成至少一个电极，包括：在形成有所述树脂层的衬底基板上形成所述像素电极，所述像素电极与所述第一导电区域接触。可选的，所述在衬底基板上形成至少一个电极，包括：在所述衬底基板上形成外围电路的栅极和漏极；所述在形成有所述至少一个电极的衬底基板上形成树脂层，包括：在形成有所述外围电路的栅极和漏极的衬底基板上形成所述树脂层，所述至少一个导电区域中的第三导电区域与所述外围电路的漏极接触，所述至少一个导电区域中的第二导电区域与所述外围电路的栅极接触；所述在形成有所述树脂层的衬底基板上形成至少一个电极，包括：在形成有所述树脂层的衬底基板上形成所述公共电极，所述公共电极与所述第二导电区域和所述第三导电区域均接触。第三方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括第一方面所述的阵列基板。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：通过树脂层中的导电区域将树脂层两侧的电极进行连接，解决了相关技术中绝缘区域上方的电极在通过绝缘区域过孔与绝缘区域下方电极连接时，绝缘区域过孔处会形成较大的凹陷，该凹陷处的段差较大，阵列基板的平坦度较低的问题。达到了阵列基板的平坦度较高的效果。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是相关技术的阵列基板的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图3-1是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图3-2是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图；图5-1是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图；图5-2是图5-1所示实施例中一种衬底基板的结构示意图；图5-3是图5-1所示实施例中形成树脂层的流程图；图5-4是图5-1所示实施例中另一种衬底基板的结构示意图；图5-5是图5-1所示实施例中另一种衬底基板的结构示意图；图5-6是图5-1所示实施例中另一种衬底基板的结构示意图；图6-1是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图；图6-2是图6-1所示实施例中一种衬底基板的结构示意图；图7-1是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图；图7-2图7-1所示实施例中一种衬底基板的结构示意图；图7-3图7-1所示实施例中另一种衬底基板的结构示意图；图7-4图7-1所示实施例中另一种衬底基板的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。本专利技术实施例提供了一种阵列基板，如图2所示，衬底基板21；衬底基板21上设置有至少一个电极22；设置有至少一个电极22的衬底基板21上设置有树脂层23；设置有树脂层23的衬底基板21上设置有至少一个电极24。其中，树脂层23包括绝缘区域231和至少一个导电区域232，每个导电区域232分别与位于导电区域232上下两侧，且需要导通的两个电极(图1示出的是电极22和电极2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板；所述衬底基板上设置有至少一个电极；设置有所述至少一个电极的衬底基板上设置有树脂层；设置有所述树脂层的衬底基板上设置有至少一个电极；其中，所述树脂层包括绝缘区域和至少一个导电区域，每个所述导电区域分别与位于所述导电区域上下两侧，且需要导通的两个电极接触。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板；所述衬底基板上设置有至少一个电极；设置有所述至少一个电极的衬底基板上设置有树脂层；设置有所述树脂层的衬底基板上设置有至少一个电极；其中，所述树脂层包括绝缘区域和至少一个导电区域，每个所述导电区域分别与位于所述导电区域上下两侧，且需要导通的两个电极接触。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板和所述树脂层之间设置有薄膜晶体管TFT，所述TFT包括漏极，所述漏极与所述至少一个导电区域中的第一导电区域接触；设置有所述树脂层的衬底基板上还设置有像素电极，所述像素电极与所述第一导电区域接触。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括外围电路，所述外围电路包括设置在所述衬底基板和所述树脂层之间的栅极和漏极，所述外围电路还包括设置在设置有所述树脂层的衬底基板上的公共电极，所述外围电路的栅极与所述至少一个导电区域中的第二导电区域接触，所述外围电路的漏极与所述至少一个导电区域中的第三导电区域接触，所述公共电极与所述第二导电区域和所述第三导电区域均接触。4.根据权利要求1至3任一所述的阵列基板，其特征在于，形成所述树脂层中导电区域的材料包括聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯中的至少一种。5.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上形成至少一个电极；在形成有所述至少一个电极的衬底基板上形成树脂层；在形成有所述树脂层的衬底基板上形成至少一个电极；其中，所述树脂层包括绝缘区域和至少一个导电区域，每个所述导电区域分别与位于所述导电区域上下两侧，且需要导通的两个电极接触。6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：操彬彬，马骏，钱海蛟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11