阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置，属于显示领域。阵列基板包括：衬底基板；在所述衬底基板上形成有黑矩阵；在形成有所述黑矩阵的衬底基板上形成有色阻层。本发明专利技术减小了黑矩阵的面积，有效地提高了开口率，降低了因对盒偏差而产生的开口率较低的不良影响。本发明专利技术用于显示。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(英文：ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay；简称：TFT-LCD)包括显示面板、背光源和驱动电路板。显示面板是由阵列基板和彩膜基板配向并对盒后，在中间加入液晶后制作完成的。彩膜基板上包括有黑矩阵，该黑矩阵是为了防止TFT-LCD漏光而设置的。在对盒时，由于工艺限制等原因，对盒可能会存在一定的对盒偏差，该对盒偏差会导致TFT-LCD出现漏光问题。现有技术一般采用增大彩膜基板上黑矩阵面积(主要反映为宽度的增加)的方式解决该漏光问题。由于TFT-LCD的开口率为显示面板的有效透光面积与整体面积的比值，而有效透光面积为整体面积与黑矩阵面积的差值，因此，采用现有技术解决由于存在对盒偏差而出现的漏光问题时，由于TFT-LCD的整体面积一定，增大黑矩阵面积就相当于减小了有效透光面积，导致TFT-LCD的开口率较低。
技术实现思路
为了解决现有技术开口率较低的问题，本专利技术实施例提供了一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置。所述技术方案如下：第一方面，提供了一种阵列基板，包括：衬底基板；在所述衬底基板上形成有黑矩阵；在形成有所述黑矩阵的衬底基板上形成有色阻层。可选地，在形成有所述色阻层的衬底基板上依次形成有栅极图形、栅绝缘层、有源层、源漏极图形、钝化层和像素电极，其中，所述栅极图形包括栅极，所述源漏极图形包括：源极和漏极。可选地，所述色组层和所述栅极图形之间还形成有平坦层。可选地，所述源极与所述漏极存在交错区域和非交错区域，所述交错区域在所述栅极上的正投影与所述栅极重叠，所述非交错区域在所述栅极上的正投影与所述栅极不重叠。可选地，所述源极为U型结构，所述漏极的一端延伸至所述U型结构的内部，形成所述交错区域。第二方面，提供了一种显示面板，包括第一方面任一所述的阵列基板。可选地，所述显示面板还包括显示基板，所述显示基板包括：衬底基板及设置在所述衬底基板上的公共电极，或者，所述显示基板包括：衬底基板；所述显示基板与所述阵列基板之间填充有液晶层。第三方面，提供了一种显示装置，包括第二方面所述的显示面板。第四方面，提供了一种阵列基板的制造方法，包括：在衬底基板上形成黑矩阵；在形成有所述黑矩阵的衬底基板上形成色阻层。可选地，在形成有所述黑矩阵的衬底基板上形成色阻层之后，所述方法还包括：在形成有所述色阻层的衬底基板上依次形成栅极图形、栅绝缘层、有源层、源漏极图形、钝化层和像素电极，其中，所述栅极图形包括栅极，所述源漏极图形包括：源极和漏极。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：本专利技术实施例提供的阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置，通过在衬底基板上形成黑矩阵和色阻层，在阵列基板侧可以通过黑矩阵来遮光，不存在TFT-LCD漏光的问题，因此，无需通过增大黑矩阵的面积来解决因对盒偏差而出现的漏光问题，所以，相对于现有技术，本专利技术减小了黑矩阵的面积，有效地提高了开口率，降低了因对盒偏差而产生的开口率较低的不良影响。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；图4-1为一种传统的阵列基板的部分结构俯视图；图4-2为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的部分结构俯视图；图5是本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图；图6是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图；图7是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。图1是本专利技术实施例提供了一种阵列基板00的结构示意图，如图1所示，该阵列基板00包括：衬底基板001。在衬底基板001上形成有黑矩阵002。在形成有黑矩阵002的衬底基板001上形成有色阻层003。综上所述，本专利技术实施例提供的阵列基板，通过在衬底基板上形成黑矩阵和色阻层，在阵列基板侧可以通过黑矩阵来遮光，不存在TFT-LCD漏光的问题，因此，无需通过增大黑矩阵的面积来解决因对盒偏差而出现的漏光问题，所以，相对于现有技术，本专利技术减小了黑矩阵的面积，有效地提高了开口率，降低了因对盒偏差而产生的开口率较低的不良影响。图2是本专利技术实施例提供了另一种阵列基板00的结构示意图，如图2所示，该阵列基板00包括：衬底基板001，该衬底基板001为可以玻璃、硅片、石英以及塑料等具有一定坚固性的导光的且非金属材料制成的基板，通常为透明基板，该衬底基板001的材料优选为玻璃。在衬底基板001上形成有黑矩阵002。黑矩阵一般包括显示区域的黑矩阵和显示区域以外的周边区域的黑矩阵，该周边区域的黑矩阵用于覆盖为对盒而预留出的对盒边距(英文：margin)。在现有技术中，由于有对盒偏差，对盒边距就会相应地增大，因此，为了防止漏光，就需要增加黑矩阵的面积(主要反映为宽度的增加)，最终导致TFT-LCD的开口率较低。但是在本专利技术中，将黑矩阵形成在阵列基板侧，阵列基板可以使用该黑矩阵来遮光，就不会存在TFT-LCD漏光的问题，因此，就无需通过增大黑矩阵的面积来解决因对盒偏差而出现的漏光问题。所以，相对于现有技术，本专利技术减小了黑矩阵的面积，有效地提高了开口率，降低了因对盒偏差而产生的开口率较低的不良影响，保证了显示图像的质量。并且，也几乎无需预留对盒边距，这在工艺上有一定的进步。在形成有黑矩阵002的衬底基板001上形成有色阻层003。该色阻层003可以包括彩色滤光片，彩色滤光片一般包括红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片。其中，红色滤光片仅允许红光通过，绿色滤光片仅允许绿光通过，蓝色滤光片仅允许蓝光通过。在形成有色阻层003的衬底基板001上依次形成有栅极图形、栅绝缘层005、有源层006、源漏极图形007、钝化层008和像素电极009，其中，栅极图形包括栅极004，源漏极图形007包括：源极0071和漏极0072。可选的，如图3所示，在色组层003和栅极图形之间还形成有平坦层0010。通过在色组层003和栅极图形之间形成平坦层0010，使得在形成有平坦层0010的衬底基板001上形成其他膜层时，其他膜层之间的段差较小。图4-1为一种传统的阵列基板的部分结构俯视图，如图4-1所示，源极11为M型结构，漏极12与源极11形成交错结构(如图4-1中虚线框所示)，并且，源极11和漏极12在栅极20上的正投影位于栅极20所在区域内。图4-2为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的部分结构俯视图，如图4-1所示，源极0071与漏极0072存在交错区域B和非交错区域A，交错区域B在栅极004上的正投影与栅极004重叠，该重叠指的是全部重叠或部分重叠(通常为部分重叠)，非交错区域A在栅极004上的正投影与栅极004不重叠。可选的，该源极0071可以为U型结构，漏本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；在所述衬底基板上形成有黑矩阵；在形成有所述黑矩阵的衬底基板上形成有色阻层。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；在所述衬底基板上形成有黑矩阵；在形成有所述黑矩阵的衬底基板上形成有色阻层。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在形成有所述色阻层的衬底基板上依次形成有栅极图形、栅绝缘层、有源层、源漏极图形、钝化层和像素电极，其中，所述栅极图形包括栅极，所述源漏极图形包括：源极和漏极。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述色组层和所述栅极图形之间还形成有平坦层。4.根据权利要求1至3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述源极与所述漏极存在交错区域和非交错区域，所述交错区域在所述栅极上的正投影与所述栅极重叠，所述非交错区域在所述栅极上的正投影与所述栅极不重叠。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述源极为U型结构，所述漏极的一端延伸至所述U型结构的内部，形成所述交错区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓鸣，王小元，王武，童杨，许志财，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11