减少晶圆背面生长的装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种减少晶圆背面生长的装置，包括：转移板、安装在转移板上的负载环、以及真空装置；其中，在负载环的面板上形成有与负载环同心的圆形沟槽；在转移板上的每个负载环安装部位上布置有用于朝向负载环通气的通气口，其中真空装置与通气口连通。在本发明专利技术中，在氧化物的生长过程中，通过真空装置的装置，把晶圆吸在负载环上，使晶圆和负载环之间不存在空隙，从而使反应源无法流入晶圆背面而不再生长氧化物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及一种减少晶圆背面生长的装置。
技术介绍
随着半导体工艺发展，原子层沉积(AtomicLayerDeposition，ALD)技术由于填孔能力强，阶梯覆盖好、温度低、高保持性等优点，业界已开始越来越多的利用这种技术。而在用Novellusvector系列的机台生长的原子层沉淀氧化物，由于其机台设计的缺陷，反应源可以进入到晶圆的背面，从而导致晶圆正面生长外，晶圆的背面也跟着生长，由于所用的反应物的问题，在晶圆背面的边缘(edge)生长的氧化物厚，而晶圆背面的中间(center)由于反应源未能达到而不生长氧化物。这样在后续的湿法去除氧化物过程中，在一定的时间内，晶圆背面中间部分的氧化物已被全部去除，但由于边缘部分厚度较厚，就会有氧化物的残留。在后续湿法去除氮化硅SIN过程中，背面的氮化硅SIN由于边缘氧化物的残留，使得背面边缘一圈处的氮化硅SIN还有几百埃无法去除。由于晶圆背面有氮化硅SIN的残留，影响到晶圆的水准测量(leveling)，进而影响到后续工艺中光阻曝光过程的散焦和OVL转变问题。因此，希望能够提出一种技术方案，使得能够在晶圆生长的时候，晶圆背面不会有原子层沉淀氧化物的生长，从而不影响后续工艺的光阻曝光过程的散焦和OVL转变的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种减少晶圆背面生长的装置，使得能够在晶圆生长的时候，晶圆背面不会有原子层沉淀氧化物的生长，从而不影响后续工艺的光阻曝光过程的散焦和OVL转变的问题。为了实现上述技术目的，根据本专利技术，提供了一种减少晶圆背面生长的装置，包括：转移板、安装在转移板上的负载环、以及真空装置；其中，在负载环的面板上形成有与负载环同心的圆形沟槽；在转移板上的每个负载环安装部位上布置有用于朝向负载环通气的通气口，其中真空装置与通气口连通。优选地，在所述的减少晶圆背面生长的装置中，所述圆形沟槽的宽度介于0.5至1.5之间。优选地，在所述的减少晶圆背面生长的装置中，所述圆形沟的宽度为1cm。优选地，在所述的减少晶圆背面生长的装置中，所述圆形沟槽的深度介于1至2.5之间。优选地，在所述的减少晶圆背面生长的装置中，所述圆形沟槽的深度为2cm。优选地，在所述的减少晶圆背面生长的装置中，每个负载环被安装在转移板的相邻翼部之间。优选地，在所述的减少晶圆背面生长的装置中，在转移板上的每个负载环安装部位上布置有用于固定负载环的至少3个固定装置。优选地，在所述的减少晶圆背面生长的装置中，所述通气口与布置在固定装置的位置处。优选地，所述的减少晶圆背面生长的装置还包括：真空装置的控制装置。在本专利技术中，在氧化物的生长过程中，通过真空装置的装置，把晶圆吸在负载环上，使晶圆和负载环之间不存在空隙，从而使反应源无法流入晶圆背面而不再生长氧化物。附图说明结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本专利技术有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：图1示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的减少晶圆背面生长的装置的负载环结构示意图。图2示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的减少晶圆背面生长的装置的转移板结构示意图。图3示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的减少晶圆背面生长的装置的总体示意图。需要说明的是，附图用于说明本专利技术，而非限制本专利技术。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。具体实施方式为了使本专利技术的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本专利技术的内容进行详细描述。在现有的Novellusvector系列的机台上，由于其机台设计的缺陷，用原子层沉淀方法生长出来的氧化物，除了晶圆正面生长外，晶圆的背面也跟着生长，由于晶圆背面氧化物的生长，给后续带来了许多不必要的问题。鉴于此，本专利技术通过改善各种结构，可以避免晶圆背面的生长。在本专利技术装置下生长原子层沉淀氧化物，在晶圆背面将不会有原子层沉淀氧化物的残留，从而不影响后续工艺的光阻曝光过程的散焦和OVL转变的问题。图1示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的减少晶圆背面生长的装置的负载环结构示意图。图2示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的减少晶圆背面生长的装置的转移板结构示意图。图3示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的减少晶圆背面生长的装置的总体示意图。如图1、图2和图3所示，根据本专利技术优选实施例的减少晶圆背面生长的装置包括：转移板100、安装在转移板100上的负载环200、以及真空装置(未示出)；其中，在负载环200的面板上形成有与负载环200同心的圆形沟槽10(如图1所示)；在转移板100上的每个负载环安装部位上布置有用于朝向负载环通气的通气口，其中真空装置与通气口连通。优选地，所述圆形沟槽10的宽度介于0.5至1.5之间。进一步优选地，所述圆形沟槽10的宽度为1cm。优选地，所述圆形沟槽10的深度介于1至2.5之间。进一步优选地，所述圆形沟槽10的深度为2cm。而且，例如，每个负载环200被安装在转移板100的相邻翼部20之间。而且，优选地，在转移板100上的每个负载环安装部位上布置有用于固定负载环200的至少3个固定装置30。进一步优选地，所述通气口与布置在固定装置30的位置处。其中，所述通气口与内置通气通孔31连通。优选地，根据本专利技术优选实施例的减少晶圆背面生长的装置还包括：真空装置的控制装置。在本专利技术中，在氧化物的生长过程中，通过真空装置的装置，把晶圆吸在负载环上，使晶圆和负载环之间不存在空隙，从而使反应源无法流入晶圆背面而不再生长氧化物。此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。可以理解的是，虽然本专利技术已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本专利技术。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本专利技术技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的
技术实现思路
对本专利技术技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本专利技术技术方案的内容，依据本专利技术的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本专利技术技术方案保护的范围内。而且还应该理解的是，本专利技术并不限于此处描述的特定的方法、化合物、材料、制造技术、用法和应用，它们可以变化。还应该理解的是，此处描述的术语仅仅用来描述特定实施例，而不是用来限制本专利技术的范围。必须注意的是，此处的以及所附权利要求中使用的单数形式“一个”、“一种”以及“该”包括复数基准，除非上下文明确表示相反意思。因此，例如，对“一个元素”的引述意味着对一个或多个元素的引述，并且包括本领域技术人员已知的它的等价物。类似地，作为另一示例，对“一个步骤”或“一个装置”的引述意味着对一个或多个步骤或装置的引述，并且可能包括次级步骤以及次级装置。应该以最广义的含义来理解使用的所有连词。因此，词语“或”应该被理解为具有逻辑“或”的定义，而不是逻辑“异或”的定义，除非上下文明确表示相反意思。此处描述的结构将被理解为还引述该结构的功能等效物。可被解释为近似的语言应该被那样理解，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种减少晶圆背面生长的装置，其特征在于包括：转移板、安装在转移板上的负载环、以及真空装置；其中，在负载环的面板上形成有与负载环同心的圆形沟槽；在转移板上的每个负载环安装部位上布置有用于朝向负载环通气的通气口，其中真空装置与通气口连通。

【技术特征摘要】
1.一种减少晶圆背面生长的装置，其特征在于包括：转移板、安装在转移板上的负载环、以及真空装置；其中，在负载环的面板上形成有与负载环同心的圆形沟槽；在转移板上的每个负载环安装部位上布置有用于朝向负载环通气的通气口，其中真空装置与通气口连通。2.根据权利要求1所述的减少晶圆背面生长的装置，其特征在于，所述圆形沟槽的宽度介于0.5至1.5之间。3.根据权利要求1或2所述的减少晶圆背面生长的装置，其特征在于，所述圆形沟的宽度为1cm。4.根据权利要求1或2所述的减少晶圆背面生长的装置，其特征在于，所述圆形沟槽的深度介于1至2.5...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘春文，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31