薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，属于显示技术领域。其中，所述互补型薄膜晶体管包括N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管，所述方法包括：通过一次构图工艺在基板上形成N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层。本发明专利技术的技术方案能够减少金属氧化物CMOS薄膜晶体管的构图次数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别是指一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置。
技术介绍
为了实现显示器的超窄边框和低成本，需要将栅极驱动电路和源极驱动电路集成在阵列基板上，要实现这个目的，需要制作出CMOS(互补型)薄膜晶体管。现有的CMOS薄膜晶体管(即同时包括N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管)通常是以低温多晶硅(LTPS)作为半导体层材料，但是由于低温多晶硅的工艺过程复杂，可控性差，并且均匀性不好，目前还没有应用于6代线以上大面积的显示装置。如果采用金属氧化物半导体来制作CMOS薄膜晶体管，又需要分别形成P型金属氧化物图形和N型金属氧化物图形，增加了构图工艺的次数。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，能够减少金属氧化物CMOS薄膜晶体管的构图次数。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：一方面，提供一种互补型薄膜晶体管的制作方法，所述互补型薄膜晶体管包括N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管，所述方法包括：通过一次构图工艺在基板上形成N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层。进一步地，所述通过一次构图工艺在基板上形成N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层包括：在基板上形成N型金属氧化物层；对所述N型金属氧化物层进行构图形成第一N型金属氧化物图形和第二N型金属氧化物图形，其中，第一N型金属氧化物图形为N型金属氧化物薄膜晶体管的有源层，第二N型金属氧化物图形用以形成P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层；对第二N型金属氧化物图形进行离子注入，使得第二N型金属氧化物图形转换为P型金属氧化物。进一步地，所述通过一次构图工艺在基板上形成N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层包括：在基板上形成P型金属氧化物层；对所述P型金属氧化物层进行构图形成第一P型金属氧化物图形和第二P型金属氧化物图形，其中，第一P型金属氧化物图形为P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层，第二P型金属氧化物图形用以形成N型金属氧化物薄膜晶体管的有源层；对第二P型金属氧化物图形进行离子注入，使得第二P型金属氧化物图形转换为N型金属氧化物。进一步地，所述通过一次构图工艺在基板上形成N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层之前还包括：通过一次构图工艺形成第一金属层的图形，所述第一金属层的图形包括N型金属氧化物薄膜晶体管的第一电极的图形和P型金属氧化物薄膜晶体管的第二电极的图形；所述通过一次构图工艺在基板上形成N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层之后还包括：通过一次构图工艺形成第二金属层的图形，所述第二金属层的图形包括N型金属氧化物薄膜晶体管的第三电极的图形和P型金属氧化物薄膜晶体管的第四电极的图形；其中，所述第一电极和第三电极其中之一为栅电极，另一为源电极和漏电极，所述第二电极和第四电极其中之一为栅电极，另一为源电极和漏电极。进一步地，所述N型金属氧化物薄膜晶体管采用的有源层材料包括IGZO、IZO或ZnON。进一步地，所述P型金属氧化物薄膜晶体管采用的有源层材料包括CuO或SnO。本专利技术实施例还提供了一种互补型薄膜晶体管，所述互补型薄膜晶体管包括N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管，所述互补型薄膜晶体管为采用上述方法制作得到。进一步地，所述互补型薄膜晶体管包括：第一金属层的图形，所述第一金属层的图形包括N型金属氧化物薄膜晶体管的第一电极的图形和P型金属氧化物薄膜晶体管的第二电极的图形；N型金属氧化物薄膜晶体管的有源层和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层；第二金属层的图形，所述第二金属层的图形包括N型金属氧化物薄膜晶体管的第三电极的图形和P型金属氧化物薄膜晶体管的第四电极的图形；其中，所述第一电极和第三电极其中之一为栅电极，另一为源电极和漏电极，所述第二电极和第四电极其中之一为栅电极，另一为源电极和漏电极。本专利技术实施例还提供了一种阵列基板，包括上述的互补型薄膜晶体管。进一步地，所述阵列基板具体包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的N型金属氧化物薄膜晶体管的栅电极和P型金属氧化物薄膜晶体管的栅电极；栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的N型金属氧化物薄膜晶体管的有源层和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层；位于N型金属氧化物薄膜晶体管的有源层上的第一刻蚀阻挡层图形和位于P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层上的第二刻蚀阻挡层图形；N型金属氧化物薄膜晶体管的源电极、漏电极和P型金属氧化物薄膜晶体管的源电极、漏电极；钝化层。进一步地，所述阵列基板具体包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的N型金属氧化物薄膜晶体管的有源层和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层；位于N型金属氧化物薄膜晶体管的有源层上的第一刻蚀阻挡层图形和位于P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层上的第二刻蚀阻挡层图形；N型金属氧化物薄膜晶体管的源电极、漏电极和P型金属氧化物薄膜晶体管的源电极、漏电极；栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的N型金属氧化物薄膜晶体管的栅电极和P型金属氧化物薄膜晶体管的栅电极；钝化层。进一步地，所述N型金属氧化物薄膜晶体管的源电极、漏电极和P型金属氧化物薄膜晶体管的源电极、漏电极为采用Al和/或Mo制成。进一步地，所述阵列基板具体包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的N型金属氧化物薄膜晶体管的栅电极和P型金属氧化物薄膜晶体管的栅电极；栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的N型金属氧化物薄膜晶体管的有源层和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层；N型金属氧化物薄膜晶体管的源电极、漏电极和P型金属氧化物薄膜晶体管的源电极、漏电极；钝化层。进一步地，所述阵列基板具体包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的N型金属氧化物薄膜晶体管的有源层和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层；N型金属氧化物薄膜晶体管的源电极、漏电极和P型金属氧化物薄膜晶体管的源电极、漏电极；栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的N型金属氧化物薄膜晶体管的栅电极和P型金属氧化物薄膜晶体管的栅电极；钝化层。进一步地，所述N型金属氧化物薄膜晶体管的源电极、漏电极和P型金属氧化物薄膜晶体管的源电极、漏电极为采用Cu制成。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。本专利技术的实施例具有以下有益效果：上述方案中，通过一次构图工艺在基板上形成N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层，不用通过两次构图工艺分别形成N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层，能够减少金属氧化物CMOS薄膜晶体管的构图次数，用相对简单的工艺制作金属氧化物CMOS器件，以降低阵列基板的制造成本。附图说明图1为本专利技术实施例互补型薄膜晶体管的结构示意图；图2为本专利技术实施例互补型薄膜晶体管的结构示意图；图3为本专利技术实施例互补型薄膜晶体管的结构示意图；图4为本专利技术实施例互补型薄膜晶体管的结构示意图。附图标记100：基板101：栅电极102：栅绝缘层103a：p型金属氧化物薄膜晶体管的有源层103b：n型金属氧化物薄膜晶体管的有源层104：刻蚀阻挡层105：源电极106：漏电极107：钝化层具体实施方式为使本专利技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种互补型薄膜晶体管的制作方法，所述互补型薄膜晶体管包括N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述方法包括：通过一次构图工艺在基板上形成N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层。

【技术特征摘要】
1.一种互补型薄膜晶体管的制作方法，所述互补型薄膜晶体管包括N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述方法包括：通过一次构图工艺在基板上形成N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层。2.根据权利要求1所述的互补型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺在基板上形成N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层包括：在基板上形成N型金属氧化物层；对所述N型金属氧化物层进行构图形成第一N型金属氧化物图形和第二N型金属氧化物图形，其中，第一N型金属氧化物图形为N型金属氧化物薄膜晶体管的有源层，第二N型金属氧化物图形用以形成P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层；对第二N型金属氧化物图形进行离子注入，使得第二N型金属氧化物图形转换为P型金属氧化物。3.根据权利要求1所述的互补型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺在基板上形成N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层包括：在基板上形成P型金属氧化物层；对所述P型金属氧化物层进行构图形成第一P型金属氧化物图形和第二P型金属氧化物图形，其中，第一P型金属氧化物图形为P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层，第二P型金属氧化物图形用以形成N型金属氧化物薄膜晶体管的有源层；对第二P型金属氧化物图形进行离子注入，使得第二P型金属氧化物图形转换为N型金属氧化物。4.根据权利要求1所述的互补型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺在基板上形成N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层之前还包括：通过一次构图工艺形成第一金属层的图形，所述第一金属层的图形包括N型金属氧化物薄膜晶体管的第一电极的图形和P型金属氧化物薄膜晶体管的第二电极的图形；所述通过一次构图工艺在基板上形成N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层之后还包括：通过一次构图工艺形成第二金属层的图形，所述第二金属层的图形包括N型金属氧化物薄膜晶体管的第三电极的图形和P型金属氧化物薄膜晶体管的第四电极的图形；其中，所述第一电极和第三电极其中之一为栅电极，另一为源电极和漏电极，所述第二电极和第四电极其中之一为栅电极，另一为源电极和漏电极。5.根据权利要求1-4任一项所述的互补型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述N型金属氧化物薄膜晶体管采用的有源层材料包括IGZO、IZO或ZnON。6.根据权利要求1-4任一项所述的互补型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述P型金属氧化物薄膜晶体管采用的有源层材料包括CuO或SnO。7.一种互补型薄膜晶体管，所述互补型薄膜晶体管包括N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述互补型薄膜晶体管为采用如权利要求1-6中任一项所述方法制作得到。8.根据权利要求7所述的互补型薄膜晶体管，其特征在于，所述互补型薄膜晶体管包括：第一金属层的图形，所述第一金属层的图形包括N型金属氧化物薄膜晶体管的第一电极的图...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱夏明，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11