控制半导体存储器件的控制器及其操作方法技术

一种根据实施例的用于控制半导体存储器件的操作方法可以包括：将读取命令储存在基于先进先出法来管理的命令队列中；将读取命令中的一个提供给半导体存储器件；基于响应于提供的读取命令而从半导体存储器件提供的读取数据来判断提供的读取命令通过还是失败；以及当提供的读取命令通过时，中止命令队列中的剩余读取命令。

【技术实现步骤摘要】

各种实施例总体而言涉及一种电子器件，更具体地，涉及一种控制半导体存储器件的控制器及其操作方法。
技术介绍
半导体存储器件由诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)及磷化铟(InP)的半导体材料制成。半导体存储器件分为易失性存储器件和非易失性存储器件。易失性存储器件在断电时丢失储存的数据。易失性存储器件的示例包含静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)。不管为上电状态还是断电状态，非易失性存储器件都保留储存的数据。非易失性存储器件的示例包含只读存储器(ROM)、掩膜只读存储器(MROM)、可编程只读存储器(PROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪存储器、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)以及铁电式随机存取存储器(FRAM)。快闪存储器分为NOR型存储器和NAND型存储器。半导体存储器件控制器可以在主机的请求下产生命令，并执行产生的命令。控制器可以包含用来储存命令的命令队列。命令队列可以被限定在诸如RAM的存储器单元中。储存于命令队列中的命令可以顺序地输出至该半导体存储器件。
技术实现思路
实施例针对一种具有改善的操作时间的控制器及其操作方法。根据一个实施例，一种用于控制半导体存储器件的操作方法可以包括：将多个读取命令储存在基于先进先出法来管理的命令队列中；将所述多个读取命令中的一个提供给半导体存储器件；基于响应于提供的读取命令而从半导体存储器件提供的读取数据来判断提供的读取命令通过还是失败；以及当提供的读取数据命令通过时，中止命令队列中的剩余的读取命令。半导体存储器件可以包含多个页，且所述多个读取命令可以用于识别所述多个页之一中储存的数据的命令。判断可以包括：对读取数据执行ECC解码，且当ECC解码通过时，提供的读取命令可以通过。该操作方法还可以包括：当提供的读取命令失败时，用剩余的读取命令来重复提供和判断。该操作方法还可以包括：产生用来改变半导体存储器件的设定值的多个参数设定命令，所述多个参数设定命令与所述多个读取命令一起储存在命令队列中；以及将所述多个参数设定命令中的一个提供给半导体存储器件。该中止可以包括：当提供的读取命令通过时，中止命令队列中的剩余的参数设定命令。该设定值可以对应于在半导体存储器件的读取操作期间施加至半导体存储器件的字线的电压。命令队列可以包含从头地址至尾地址的存储空间，以及所述多个读取命令可以被储存在头地址与尾地址之间的从开始地址至结束地址的存储空间中。该中止可以包括：当提供的读取命令通过时，产生阴影指针，该阴影指针指向与剩余的读取命令中的第一个相对应的地址；以及擦除由该阴影指针所指向的剩余读取命令，同时将该阴影指针从当前的地址移动至下一个地址，直到该阴影指针指向结束地址为止。该中止可以包括：顺序地停止开始地址与结束地址之间的剩余读取命令。该中止可以擦除命令队列中的储存在开始地址与结束地址之间的存储空间中的剩余读取命令。当对读取数据中包含的一个或多个码字的ECC解码失败时，该判断可以判断提供的读取命令是否失败。可以对响应于先前提供的读取命令而先前从半导体存储器件提供的读取数据中ECC解码失败的一个或多个码字执行ECC解码。根据另一实施例，一种控制半导体存储器件的控制器可以包括：命令队列，基于先进先出法来管理；命令发生单元，适用于将多个读取命令储存在命令队列中；存储器控制单元，适用于：将所述多个读取命令中的一个提供给半导体存储器件；以及基于响应于提供的读取命令而从半导体存储器件提供来判断提供的读取命令通过还是失败；以及命令管理单元，适用于当提供的数据通过时中止剩余的读取命令。该半导体存储器件可以包含多个页，以及所述多个读取命令可以用于识别储存在所述多个页之一中的数据。该存储器控制单元可以包括：数据缓冲器，适用于储存响应于提供的读取命令而从半导体存储器件提供的读取数据；错误校正块，适用于以单个码字为单位来对读取数据执行ECC解码；解码状态表，适用于储存对包含于读取数据中的每个码字的ECC解码的通过或失败信息；多路复用块，适用于以单个码字为单位将读取数据从数据缓冲器提供至错误校正块；以及存储器控制器，适用于：通过查阅解码状态表来控制多路复用块以将响应于先前提供的读取命令先前从半导体存储器件提供的读取数据中ECC解码失败的一个或多个码字提供给错误校正块；以及根据ECC解码的结果，更新储存在解码状态表中的失败信息。当对读取数据中包含的一个或多个码字的ECC解码失败时，该存储器控制单元确定提供的读取命令失败。根据一个实施例，一种用于控制包含多个页的半导体存储器件的操作方法可以包括：将用于识别选中页中的数据的多个命令储存在基于先进先出法来管理的命令队列中；将所述多个命令中的一个提供给半导体器件；当提供的读取命令失败时，重复提供剩余的读取命令；以及当提供的读取命令通过时，中止剩余的读取命令附图说明图1为图示根据一个实施例的存储系统的框图。图2为图示图1中所示的半导体存储器件的框图。图3为图示图2中所示的存储单元阵列的框图。图4为图示根据一个实施例的图1中所示的控制器的框图。图5为图示根据一个实施例的控制器的操作方法的流程图。图6为图示命令队列的概念图。图7为图示图5中所示的步骤S150的一个实施例的流程图。图8为图示图7中所示的实施例的概念图。图9为图示图5中所示的步骤S150的另一实施例的流程图。图10为图9中所示的实施例的概念图。图11为图示根据另一实施例的图1中所示的控制器的框图。图12为图示图11中所示的第一命令队列和第二命令队列的概念图。图13为图示图4和图11中所示的存储器控制单元的示图。图14为图示包含于读取数据中的码字的概念图。图15为图示图13中所示的解码状态表的概念图。图16为图示图4和图11中所示的控制器的实施例的框图。图17为图示图1中所示的存储系统的应用示例的框图。具体实施方式在下文中，将参照附图来详细描述各种实施例。附图被提供以允许本领域技术人员理解本专利技术的实施例的范围。然而，本专利技术可以以不同形式体现，且不应被解释为局限于所阐述的实施例。相反地，这些实施例被提供使得本公开将是彻底且完整的。此外，实施例被提供以将本专利技术的范围充分地传达给本领域技术人员。贯穿本公开，附图标记直接对应于本专利技术的各种附图和实施例中相同编号的部件。亦注意到，在本说明书中，“连接/耦接”表示一个组件不仅直接耦接到另一组件，而且也表示通过中间组件而间接耦接到另一组件。此外，只要未说明，则单数形态可以包含复数形态，反之亦然。图1为图示根据一个实施例的存储系统50的框图。参照图1，存储系统50可以包含半导体存储器件100和控制器200。半导体存储器件100可以通过控制器200来控制。半导体存储器件100可以包含存储单元阵列110和驱动该存储单元阵列110的外围电路120。存储单元阵列110可以包含多个非易失性存储单元。外围电路120可以通过控制器200来控制。在控制器200的控制下，外围电路120可以将数据编程至存储单元阵列110中、从存储单元阵列110读取数据以及从存储单元阵列110擦除数据。根据一个实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于控制半导体存储器件的操作方法，所述操作方法包括：将多个读取命令储存在基于先进先出法来管理的命令队列中；将所述读取命令中的一个提供给半导体存储器件；基于读取数据来判断提供的读取命令通过还是失败，所述读取数据响应于提供的读取命令而从半导体存储器件提供；以及当提供的读取命令通过时，中止命令队列中的剩余的读取命令。

【技术特征摘要】
2015.06.29 US 14/754,0141.一种用于控制半导体存储器件的操作方法，所述操作方法包括：将多个读取命令储存在基于先进先出法来管理的命令队列中；将所述读取命令中的一个提供给半导体存储器件；基于读取数据来判断提供的读取命令通过还是失败，所述读取数据响应于提供的读取命令而从半导体存储器件提供；以及当提供的读取命令通过时，中止命令队列中的剩余的读取命令。2.如权利要求1所述的操作方法，其中，半导体存储器件包含多个页，以及其中，所述多个读取命令用于识别储存在所述页之一中的数据。3.如权利要求1所述的操作方法，其中，判断的步骤对读取数据执行ECC解码，以及其中，当ECC解码通过时，提供的读取命令通过。4.如权利要求1所述的操作方法，还包括：当提供的读取命令失败时，用剩余的读取命令来重复提供的步骤和判断的步骤。5.如权利要求1所述的操作方法，还包括：产生用来改变半导体存储器件的设定值的多个参数设定命令，其中，所述多个参数设定命令与所述多个读取命令一起储存在命令队列中；以及将所述多个参数设定命令中的一个提供给半导体存储器件。6.如权利要求5所述的操作方法，中止的步骤包括：当提供的读取命令通过时，中止命令队列中的剩余的参数设定命令。7.如权利要求5所述的操作方法，其中，设定值对应于在半导体存储器件的读取操作期间施加至半导体存储器件的字线的电压。8.如权利要求1所述的操作方法，其中，命令队列包括从头地址至尾地址的存储空间，以及其中，所述多个读取命令储存在头地址与尾地址之间的从开始地址至结束地址的存储空间中。9.如权利要求8所述的操作方法，其中，中止的步骤包括：当提供的读取命令通过时，产生阴影指针，所述阴影指针指向与剩余的读取命令中的第一个相对应的地址；以及擦除由所述阴影指针所指向的剩余读取命令，同时将所述阴影指针从当前的地址移动至下一个地址，直到所述阴影指针指向结束地址为止。10.如权利要求8所述的操作方法，其中，中止的步骤包括：顺序地停止开始地址与结束地址之间的剩余读取命令。11.如权利要求1所述的操作方法，其中，中止的步骤擦除命令队列中的在开始地址与结束地址之间的存储空间中储存的剩余读取命令。12.如权利要求1所述的操作方法，其中，当对包含在读取数据中的一个或多个码字的ECC解码失败时，判断的步骤确定所提供的读取命令失败。13.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢永东，朴世天，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR