掩埋沟道半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术的实施例提供一种用于制造半导体器件的方法，包括在衬底上方形成在第一方向上延伸的一个或多个鳍部。一个或多个鳍部包括沿着第一方向的第一区域和位于第一区域两侧沿着第一方向的第二区域。将掺杂剂注入鳍部的第一区域，但是未注入第二区域。栅极结构位于第一区域上方，并且在鳍部的第二区域上形成源极/漏极。本发明专利技术还提供了一种半导体器件及其包括该半导体器件的Gilbert单元混频器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体涉及半导体领域，更具体地，涉及半导体器件、相关的制造方法及其包括该半导体器件的Gilbert单元混频器。
技术介绍
随着半导体工业已经进入到纳米技术工艺节点以追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本，来自制造和设计问题的挑战已经导致了诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)的三维设计的发展。FinFET器件通常包括具有高纵横比的半导体鳍并且在其中形成半导体晶体管器件的沟道和源极/漏极区。利用沟道和源极/漏极区的增大的表面面积的优势，沿着鳍结构的侧面并且在鳍结构的侧面上方(如，包裹)形成栅极，以产生更快、更可靠和更好控制的半导体晶体管器件。在一些器件中，例如，FinFET的源极/漏极(S/D)部分中的应变材料使用硅锗(SiGe)、磷化硅(SiP)或碳化硅(SiC)，这可以用于增强载流子迁移率。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成在第一方向上延伸的一个或多个鳍部；其中，所述一个或多个鳍部包括沿着所述第一方向的第一区域和位于所述第一区域两侧且沿着所述第一方向的第二区域；将掺杂剂注入所述鳍部的第一区域，但是未注入所述第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成在第一方向上延伸的一个或多个鳍部；其中，所述一个或多个鳍部包括沿着所述第一方向的第一区域和位于所述第一区域两侧且沿着所述第一方向的第二区域；将掺杂剂注入所述鳍部的第一区域，但是未注入所述第二区域；在所述鳍部的第一区域上方形成栅极结构；以及在所述鳍部的第二区域上形成源极/漏极。

【技术特征摘要】
2015.06.05 US 14/732,6611.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成在第一方向上延伸的一个或多个鳍部；其中，所述一个或多个鳍部包括沿着所述第一方向的第一区域和位于所述第一区域两侧且沿着所述第一方向的第二区域；将掺杂剂注入所述鳍部的第一区域，但是未注入所述第二区域；在所述鳍部的第一区域上方形成栅极结构；以及在所述鳍部的第二区域上形成源极/漏极。2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述掺杂剂是选自由磷、砷和锑组成的组中的N型掺杂剂。3.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述掺杂剂是选自由硼、BF2、铝和镓组成的组中的P型掺杂剂。4.一种半导体器件，包括：一个或多个鳍部，位于衬底上方并且在第一方向上延伸；其中，所述一个或多个鳍部包括沿着所述第一方向的第一区域和位于所述第一区域两侧且沿着所述第一方向的第二区域，并且所述鳍部的第一区域包括浓度为大约1.5×1016原子cm-3至2.0×1020原子cm-3的掺杂剂；栅极结构，位于所述鳍部的第一区域上方；以及源极/漏极，形成在所述鳍部的第二区域上。5.根据权利要求4所述的半导体器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈家忠，黄崎峰，梁其翔，蔡辅桓，谢协宏，叶子祯，蔡汉旻，朱虹霖，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71