一种宽视角模式TFT基板制备方法技术

本发明专利技术公开了一种宽视角模式TFT基板制备方法。所述方法包括：在基板上沉积Gate层的工序；采用CVD工艺，沉积岛层的工序；沉积第一ITO层的工序；沉积源极漏极层的工序；采用PECVD工艺，沉积PA层的工序；在本工序中，包括：以一相对较低的功率将本工序的工艺气体解离成等离子体，进行反应沉积为第一PA层，以及以另一相对较高的功率将所述工艺气体解离成等离子体，进行反应沉积为第二PA层；沉积第二ITO层的工序。应用本发明专利技术技术方案，能够在制备过程中避免将第一ITO层还原，进而可以保护第一ITO层的电学和光学性能，同时可以提升TFT基板的透过率，从而减小TFT显示器的功耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件制备和显示领域，特别是涉及一种宽视角模式TFT基板制备方法。
技术介绍
TFT LCD(Thin-Film-Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)由于其高速度、高亮度、高对比度等优点，目前已经得到普遍的应用。TFT基板的模式有很多，较常见的有TN、IPS、MVA等。TN模式，响应速度最快，但色彩最差，可视角度相对较小，成本低，主要应用在显示器和小型电视领域。宽视角模式的TFT基板，视角可达170°以上，以IPS模式为典型，可视角度相对较高，响应速度较快，色彩准确，成本适中。传统技术中，宽视角模式的TFT基板在制备过程中需要先后经过多道工序，分别以制作不同的材料膜层，包括Gate层、岛层、D/S(源极漏极)层、第一ITO层、PA(保护层)、第二ITO层。有一些非金属材料膜层的制作是采用CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)工艺，例如用PECVD法沉积PA。专利技术人在研究中发现，传统技术至少具有下列问题：在使用PECVD制作PA层的工序中，形成PA层的工艺气体会形成等离子体，其中又包含了大量的H离子和电子，H离子和这些电子可能会与基板裸露的第一ITO层发生还原反应，从而影响最终宽视角TFT基板成品第一ITO层的电学和光学性能，降低成品良率。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种宽视角模式TFT基板制备方法，能够在PECVD法制备PA的工序中，降低H离子和电子与裸露的第一ITO层发生还原反应的几率，从而提升TFT基板成品整体上的良率。一种宽视角模式TFT基板制备方法，包括：在基板上沉积Gate层的工序；采用CVD工艺，沉积岛层的工序；沉积第一ITO层的工序；沉积源极漏极层的工序；采用PECVD工艺，沉积PA层的工序；在本工序中，包括：以一相对较低的功率将本工序的工艺气体解离成等离子体，进行反应沉积为第一PA层，以及以另一相对较高的功率将所述工艺气体解离成等离子体，进行反应沉积为第二PA层；沉积第二ITO层的工序。在一个实施例中，所述采用PECVD工艺，沉积PA层的工序包括：经过本工序前述工序的基板进入PECVD工艺腔室；通过等离子体清洁气体进行清洁；通过本工序的工艺气体，以一相对较低的功率将本工序的工艺气体解离成等离子体，进行反应沉积为第一PA层；以另一相对较高的功率将所述工艺气体解离成等离子体，进行反应沉积为第二PA层；对经过前述步骤的基板进行优化除静电；从所述PECVD工艺腔室中移出基板。在一个实施例中，在所述以一相对较低的功率将本工序的工艺气体解离成等离子体，进行反应沉积为第一PA层的步骤中：产生等离子体的射频电源功率为800～1500W；所述工艺气体包括N2、NH3、SiH4，气体流量分别为6000sccm、2000sccm、220sccm，所述PECVD腔室内压力为1200mTorr。在一个实施例中，沉积的第一PA层的厚度为200～300A。在一个实施例中，在所述以另一相对较高的功率将所述工艺气体解离成等离子体，进行反应沉积为第二PA层的步骤中：产生等离子体的射频电源功率为2500～3500W；所述工艺气体包括N2、NH3、SiH4，气体流量分别为7850sccm、3360sccm、750sccm，所述PECVD腔室内压力为1500mTorr。在一个实施例中，所述等离子体清洁气体为N2、NH3或其混合气体等离子体；在进行清洁的过程中，所述PECVD腔室内的压力值为1500mTorr，气流量为1500sccm，产生等离子体的射频电源功率为300～500W。在一个实施例中，所述对经过前述步骤的基板进行优化除静电的步骤，包括：通过H2，气流量为800sccm，所述PECVD腔室压力为1500mTorr，利用射频电源产生等离子体进行除静电。在一个实施例中，所述在基板上沉积Gate层的工序，所述沉积第一ITO层的工序，所述沉积源极漏极层的工序，以及所述沉积第二ITO层的工序，采用PVD成膜工艺。上述宽视角模式TFT基板制备方法，在采用PECVD工艺，沉积PA层的工序当中，先以一相对较低的功率将本工序的工艺气体解离成等离子体，进行反应沉积为第一PA层，使得等离子气体中H离子和电子具备较低的能量，从而抑制了H离子和电子与裸露的第一ITO层发生还原反应，从而保证了第一ITO层和第二ITO层之间的电场和光学性能，提升了TFT基板的良率。附图说明图1为一个实施例中的宽视角模式TFT基板制备方法的流程示意图；图2为一个实施例中的宽视角模式TFT基板的结构示意图；图3为一个实施例中沉积PA层工序的流程示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。参见图1和图2，在一个实施例中提供了一种宽视角模式TFT基板制备方法，包括：101，在基板上沉积Gate层的工序。具体的，可采用PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)成膜工艺，在基板20上沉积金属，经工艺处理得到Gate图案21。102，采用CVD工艺，沉积岛层的工序。具体的，岛(Island)层为非金属膜层，包括G-SiNx(图2中221)、a-Si(图2中区域222)、n+a-Si(图2中223)。103，沉积第一ITO层的工序。具体的，采用PVD沉积ITO，第一ITO如图2中23。104，沉积源极漏极层的工序。具体的，在前述基础上，沉积金属层，经工艺处理得到源极漏极(S/D)图案24。105，采用PECVD工艺，沉积PA层的工序。具体的，PA层即图2中的25，为非金属层。工艺为PECVD工艺。由于第一ITO层为裸露的(源极漏极层不覆盖第一ITO层)，为避免等离子体中的H离子和电子与第一ITO层(含有In2O3、SnO2)发生还原反应，本工序，先以一相对较低的功率将本工序的工艺气体解离成等离子体，进行反应沉积为第一PA层，再以另一相对较高的功率将所述工艺气体解离成等离子体，进行反应沉积为第二PA层。106，沉积第二ITO层的工序。具体的，第二ITO层为图2中26，采用PVD成膜工艺。上述宽视角模式TFT基板制备方法，在采用PECVD工艺，沉积PA层的工序当中，先以一相对较低的功率将本工序的工艺气体解离成等离子体，进行反应沉积为第一PA层，使得等离子气体中H离子和电子具备较低的能量，从而抑制了H离子和电子与裸露的第一ITO层发生还原反应，从而保证了第一ITO层和第二ITO层之间的电场和光学性能，提升了TFT基板的良率。在图3实施例中，采用PECVD工艺，沉积PA层的工序包括：301，经过本工序前述工序的基板进入PECVD工艺腔室。302，通过等离子体清洁气体进行清洁。等离子清洁气体主要作用是抑制膜内，不能与第一ITO层进行反应，可以从后续的工艺气体中优选，例如等离子体清洁气体为N2、NH3或其混合气体等离子体。在进行清洁的过程中，PECVD腔室内的压力值为1500mTorr，气流量为1500sccm，产生等离子体的射频电源功率为300～500W。303，通过本工序的工艺气体，进行P本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种宽视角模式TFT基板制备方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上沉积Gate层的工序；采用CVD工艺，沉积岛层的工序；沉积第一ITO层的工序；沉积源极漏极层的工序；采用PECVD工艺，沉积PA层的工序；在本工序中，包括：以一相对较低的功率将本工序的工艺气体解离成等离子体，进行反应沉积为第一PA层，以及以另一相对较高的功率将所述工艺气体解离成等离子体，进行反应沉积为第二PA层；沉积第二ITO层的工序。

【技术特征摘要】
1.一种宽视角模式TFT基板制备方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上沉积Gate层的工序；采用CVD工艺，沉积岛层的工序；沉积第一ITO层的工序；沉积源极漏极层的工序；采用PECVD工艺，沉积PA层的工序；在本工序中，包括：以一相对较低的功率将本工序的工艺气体解离成等离子体，进行反应沉积为第一PA层，以及以另一相对较高的功率将所述工艺气体解离成等离子体，进行反应沉积为第二PA层；沉积第二ITO层的工序。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用PECVD工艺，沉积PA层的工序包括：经过本工序前述工序的基板进入PECVD工艺腔室；通过等离子体清洁气体进行清洁；通过本工序的工艺气体，以一相对较低的功率将本工序的工艺气体解离成等离子体，进行反应沉积为第一PA层；以另一相对较高的功率将所述工艺气体解离成等离子体，进行反应沉积为第二PA层；对经过前述步骤的基板进行优化除静电；从所述PECVD工艺腔室中移出基板。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述以一相对较低的功率将本工序的工艺气体解离成等离子体，进行反应沉积为第一PA层的步骤中：产生等离子体的射频电源功率为800～1500W；所述工艺气体包括N2、NH3、SiH4，气体流量分别为6000sccm、2000sccm、220...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱东梅，刘力明，邓泽新，黄伟东，李建华，
申请(专利权)人：信利惠州智能显示有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44