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本发明公开了一种宽视角模式TFT基板制备方法。所述方法包括：在基板上沉积Gate层的工序；采用CVD工艺，沉积岛层的工序；沉积第一ITO层的工序；沉积源极漏极层的工序；采用PECVD工艺，沉积PA层的工序；在本工序中，包括：以一相对较低的功...
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