半导体装置制造方法及图纸

提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；第一栅极结构，沿第一方向延伸并且与PMOSFET区和NMOSFET区交叉；栅极接触件，在第一栅极结构上并且连接到第一栅极结构，栅极接触件在PMOSFET区与NMOSFET区之间，栅极接触件包括：第一子接触件，与第一栅极结构的顶表面接触，第一子接触件包括沿第一栅极结构的一个侧壁朝向基底竖直地延伸的竖直延伸部分，第二子接触件，与第一栅极结构分隔开，第二子接触件的顶表面位于与第一子接触件的顶表面的水平面相同的水平面处。

【技术实现步骤摘要】
于2015年4月1日提交到韩国知识产权局的标题为“Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same”(半导体装置及制造半导体装置的方法)的第10-2015-0046274号韩国专利申请通过引用全部包含于此。
示例实施例涉及一种半导体装置和一种制造该半导体装置的方法，更具体地，涉及一种包括场效应晶体管的半导体装置和一种制造该半导体装置的方法。
技术介绍
由于半导体装置的小型、多功能和/或低成本特性，而使半导体装置作为电子产业中的重要元件正在备受关注。半导体装置可以被划分为用于存储逻辑数据的存储装置、用于处理逻辑数据的逻辑装置与包括存储元件和逻辑元件两者的混合装置。为了满足对于具有快速和/或低功耗的电子装置的日益增长的需求，有必要实现具有高可靠性、高性能和/或多功能的半导体装置。为了满足这些技术要求，正在提高半导体装置的复杂性和/或集成度。
技术实现思路
示例实施例提供了一种包括具有更加改善的电特性的场效应晶体管的半导体装置。其他示例实施例提供了一种包括具有更加改善的电特性场效应晶体管的半导体装置的制造方法。根据示例实施例，半导体装置可以包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；第一栅极结构，沿第一方向延伸并且与PMOSFET区和NMOSFET区交叉；栅极接触件，在第一栅极结构上并且连接到第一栅极结构，栅极接触件在PMOSFET区与NMOSFET区之间，栅极接触件包括第一子接触件和第二子接触件，第一子接触件与第一栅极结构的顶表面接触，第
一子接触件包括沿第一栅极结构的一个侧壁朝向基底竖直地延伸的竖直延伸部分，第二子接触件与第一栅极结构分隔开，第二子接触件的顶表面位于与第一子接触件的顶表面的水平面相同的水平面处。在示例实施例中，半导体装置还可以包括设置在PMOSFET区与NMOSFET区之间的装置隔离层，栅极接触件可以设置在与装置隔离层交叉的第一栅极结构上。在示例实施例中，竖直延伸部分的底表面可以与装置隔离层的顶表面接触。在示例实施例中，基底可以包括有源图案，有源图案在PMOSFET区和NMOSFET区上沿与第一方向垂直的第二方向延伸。第一栅极结构可以与有源图案交叉。在示例实施例中，半导体装置还可以包括限定基底中的有源图案的第二装置隔离层。有源图案的上部可以从第二装置隔离层突出。在示例实施例中，半导体装置还可以包括过孔和导电线，过孔设置在栅极接触件上，导电线设置在过孔上以通过过孔和栅极接触件电连接到第一栅极结构。在示例实施例中，第一子接触件和第二子接触件可以具有相同的材料并且相互连接而构成单一整体。在示例实施例中，当在平面图中看时，竖直延伸部分可以与第二子接触件叠置。在示例实施例中，半导体装置还可以包括与第一栅极结构直接相邻的第二栅极结构。当在平面图中看时，第二子接触件可以设置在第一栅极结构与第二栅极结构之间。在示例实施例中，半导体装置还可以包括覆盖第一栅极结构和第二栅极结构的顶表面的覆盖层。竖直延伸部分的底表面可以位于比覆盖层的底表面的水平面低的水平面处。在示例实施例中，半导体装置还可以包括源区/漏区、导电连接图案和源极/漏极接触件，源区/漏区设置在第一栅极结构的两侧，导电连接图案设置在第一栅极结构的两侧处并连接到源区/漏区，源极/漏极接触件设置在导电连接图案上并通过导电连接图案与源区/漏区电连接。第二子接触件的底表面可以位于与源极/漏极接触件的底表面的水平面相同的水平面处。在示例实施例中，当在沿与第一方向垂直的第二方向的剖视图中看时，第二子接触件可以从第一子接触件的一个侧壁突出。在示例实施例中，栅极接触件的一个侧壁可以在第一子接触件与第二子接触件彼此接触的边界处具有阶梯式剖面。在示例实施例中，第一子接触件可以具有第一侧壁，第二子接触件可以具有与第一侧壁相邻的第二侧壁。第一子接触件的第一侧壁和第二子接触件的第二侧壁可以彼此共面。在示例实施例中，当在平面图中看时，第一子接触件可以沿与第一方向垂直的第二方向延伸以穿过第二子接触件。在示例实施例中，第一子接触件的竖直延伸部分可以包括形成在其中的空隙。在示例实施例中，半导体装置还可以包括围绕栅极接触件的侧壁和底表面的阻挡层，阻挡层的一部分可以设置在第一子接触件和第一栅极结构之间。根据其他示例实施例，半导体装置可以包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；装置隔离层，在PMOSFET区与NMOSFET区之间；第一栅电极和第二栅电极，与装置隔离层交叉并且从PMOSFET区延伸到NMOSFET区；栅极接触件，在装置隔离层上的第一栅电极上并且连接到第一栅电极；过孔，在栅极接触件上；导电线，设置在过孔上并且通过过孔和栅极接触件电连接到第一栅电极。栅极接触件可以包括第一子接触件和第二子接触件，第一子接触件与第一栅电极接触，当在平面图中看时，第二子接触件可以设置在第一栅电极与第二栅电极之间。在示例实施例中，基底可以包括形成在PMOSFET区和NMOSFET区中的各个上的有源图案。第一栅电极和第二栅电极可以相互平行地延伸并与有源图案交叉。在示例实施例中，第一子接触件可以包括朝向基底竖直地延伸的竖直延伸部分，竖直延伸部分与第一栅电极的一个侧壁相邻。当在平面图中看时，竖直延伸部分可以与第二子接触件叠置。根据其他示例实施例，半导体装置包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；第一栅极结构，沿第一方向延伸并且与PMOSFET区和NMOSFET区交叉；栅极接触件，在第一栅极结构上并且连接到第一栅极结构，栅极接触件在PMOSFET区与NMOSFET区之间，其中，栅极接触件包
括第一子接触件和第二子接触件，第一子接触件与第一栅极结构的顶表面接触，第一子接触件包括沿第一栅极结构的一个侧壁朝向基底竖直地延伸的竖直延伸部分，第二子接触件从第一子接触件横向延伸以与栅极结构具有非叠置关系，第二子接触件的顶表面与第一子接触件的顶表面在同一水平面处。第一子接触件的长度方向和第二子接触件的长度方向可以相互垂直，第一子接触件和第二子接触件限定单一无缝结构。竖直延伸部分可以与第二子接触件叠置，竖直延伸部分从第二子接触件向基底延伸。半导体装置还可以包括：源区/漏区，在第一栅极结构的两侧处；导电连接图案，在第一栅极结构的两侧处，并连接到源区/漏区；源极/漏极接触件，在导电连接图案上并通过导电连接图案与源区/漏区电连接；源极/漏极接触件的顶表面与第一子接触件和第二子接触件的顶表面在同一水平面处。第二子接触件的厚底可以等于源极/漏极接触件的厚度。根据其他示例实施例制造半导体装置的方法包括：在基底中限定PMOSFET区和NMOSFET区；形成第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构和第二栅极结构相互平行地延伸并与PMOSFET区和NMOSFET区交叉；形成层间绝缘层以覆盖第一栅极结构和第二栅极结构；对层间绝缘层进行图案化以形成第一子接触孔，其中，当在平面图中看时，第一子接触孔位于PMOSFET区和NMOSFET区之间并且位于第一栅极结构和第二栅极结构之间；对层间绝缘层进行图案化以形成暴露第一栅极结构的顶表面的第二子接触孔；第一子接触孔和第二子接触孔彼此连接以形成单一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括P型金属氧化物半导体场效应管区和N型金属氧化物半导体场效应管区；第一栅极结构，沿第一方向延伸并且与P型金属氧化物半导体场效应管区和N型金属氧化物半导体场效应管区交叉；以及栅极接触件，在第一栅极结构上并且连接到第一栅极结构，栅极接触件在P型金属氧化物半导体场效应管区与N型金属氧化物半导体场效应管区之间，其中，栅极接触件包括：第一子接触件，与第一栅极结构的顶表面接触，第一子接触件包括沿第一栅极结构的一个侧壁朝向基底竖直地延伸的竖直延伸部分，第二子接触件，与第一栅极结构分隔开，第二子接触件的顶表面位于与第一子接触件的顶表面的水平面相同的水平面处。

【技术特征摘要】
2015.04.01 KR 10-2015-00462741.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括P型金属氧化物半导体场效应管区和N型金属氧化物半导体场效应管区；第一栅极结构，沿第一方向延伸并且与P型金属氧化物半导体场效应管区和N型金属氧化物半导体场效应管区交叉；以及栅极接触件，在第一栅极结构上并且连接到第一栅极结构，栅极接触件在P型金属氧化物半导体场效应管区与N型金属氧化物半导体场效应管区之间，其中，栅极接触件包括：第一子接触件，与第一栅极结构的顶表面接触，第一子接触件包括沿第一栅极结构的一个侧壁朝向基底竖直地延伸的竖直延伸部分，第二子接触件，与第一栅极结构分隔开，第二子接触件的顶表面位于与第一子接触件的顶表面的水平面相同的水平面处。2.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括在P型金属氧化物半导体场效应管区与N型金属氧化物半导体场效应管区之间的装置隔离层，栅极接触件在与装置隔离层交叉的第一栅极结构上。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，竖直延伸部分的底表面与装置隔离层的顶表面接触。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中,基底包括有源图案，有源图案在P型金属氧化物半导体场效应管区和N型金属氧化物半导体场效应管区上沿与第一方向垂直的第二方向延伸，第一栅极结构与有源图案交叉。5.根据权利要求4所述的半导体装置，所述半导体装置还包括限定基底中的有源图案的第二装置隔离层，有源图案的上部从第二装置隔离层突出。6.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：过孔，在栅极接触件上；导电线，在过孔上并且通过过孔和栅极接触件电连接到第一栅极结构。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一子接触件和第二子接触件包括相同的材料并且相互连接而构成单一整体。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，当在平面图中看时，竖直延伸部分与第二子接触件叠置。9.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括与第一栅极结构相邻的第二栅极结构，当在平面图中看时，第二子接触件在第一栅极结构与第二栅极结构之间。10.根据权利要求9所述的半导体装置，所述半导体装置还包括覆盖第一栅极结构和第二栅极结构的顶表面的覆盖层，竖直延伸部分的底表面在比覆盖层的底表面的水平面低的水平面处。11.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：源区/漏区，在第一栅极结构的两侧；导电连接图案，在第一栅极结构的两侧处，并连接到源区/漏区；源极/漏极接触件，在导电连接图案上并通过导电连接图案与源区/漏区电连接，其中，第二子接触件的底表面位于与源极/漏极接触件的底表面的水平面相同的水平面处。12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，当在沿与第一方向垂直的第二方向的剖视图中看时，第二子接触件从第一子接触件的一个侧壁突出。13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，栅极接触件的一个侧壁在第一子接触件与第二子接触件彼此接触的边界处具有阶梯式剖面。14.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：第一子接触件具有第一侧壁，第二子接触件具有与第一侧壁相邻的第二侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹彰燮，尹广燮，尹锺密，李炯宗，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR