【技术实现步骤摘要】
本专利申请是中国专利申请号为：201180046933.9，申请日2011年9月27日，专利技术名称为“制备高级氢化硅烷化合物的方法”的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及用于快速和无金属地从低级氢化硅烷化合物制备高级氢化硅烷化合物的方法，涉及利用此方法可制备的所述高级氢化硅烷化合物和它们的应用。这些材料中不含金属对于半导体应用和光电部件是非常重要的。
技术介绍
在文献中记载了氢化硅烷化合物包括氢化硅烷作为可能的起始材料用于制备硅层。在此,氢化硅烷是指只含有硅和氢原子的化合物。原则上，氢化硅烷可以是气态、液态或固态，并且它们—尤其在固态的情况下—基本上可溶于诸如甲苯或环己烷的溶剂中，或诸如环戊硅烷的液态硅烷中。作为实例可列举乙硅烷、丙硅烷、丁硅烷、戊硅烷和新戊硅烷。具有至少三个或四个硅原子的氢化硅烷可以具有带有Si-H键的直链的、支链的或(任选双-/多-)环状的结构，并且可以优选通过各自的通式来描述：SinH2n+2(直链的或支链的；其中n>=2)、SinH2n(环状的；其中n=3-20)或SinH2(n-i)(双-或多环的；n=4-20；i={环的数目
【技术保护点】
氢化硅烷化合物，其能通过由低级氢化硅烷化合物制备高级氢化硅烷化合物的方法制备，其中：将至少一种低级氢化硅烷化合物(I)在至少一种具有重均分子量为至少500g/mol的氢化硅烷化合物(II)存在下进行热反应，其中低级氢化硅烷化合物表示平均具有少于或等于10个硅原子的氢化硅烷化合物，高级氢化硅烷化合物表示具有平均至少26个硅原子的氢化硅烷化合物。
【技术特征摘要】
2010.10.01 DE 102010041842.01.氢化硅烷化合物，其能通过由低级氢化硅烷化合物制备高级氢化硅烷化合物的方法制备，其中：将至少一种低级氢化硅烷化合物(I)在至少一种具有重均分子量为至少500g/mol的氢化硅烷化合物(II)存在下进行热反应，其中低级氢化硅烷化合物表示平均具有少于或等于10个硅原子的氢化硅烷化合物，高级氢化硅烷化合物表示具有平均至少26个硅原子的氢化硅烷化合物。2.根据权利要求1的氢化硅烷化合物，其中在所述方法中，将至少一种掺杂剂在反应之前或反应期间加入到反应混合物中，所述掺杂剂选自B2H6；BHxR3-x，其中x=0–2和R=C1-C...
【专利技术属性】
技术研发人员：S韦贝尔，M帕茨，J黑辛格，J克拉特，
申请(专利权)人：赢创德固赛有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。