反相器结构及其显示面板制造技术

本发明专利技术提供一种反相器结构及其显示面板，该反相器结构包括第一晶体管和第二晶体管，其中，第一晶体管由第一源电极、第一源极区域、第一沟道区域、第一漏极区域、第一漏电极和第一栅电极构成；第二晶体管由第二源电极、第二源极区域、第二沟道区域、第二漏极区域、第二漏电极和第二栅电极构成。本发明专利技术提供的反相器结构由于设有第一漏极区域和第二漏极区域，第一漏极区域和第二漏极区域相互匹配且设置在同一行中，可以减少反相器结构的高度和面积，从而达到减少显示面板的高度和面积，以便节约成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，具体是指一种反相器结构及其显示面板。
技术介绍
反相器是可以将输入信号的相位反转180度，反相器电路主要应用在模拟电路中，比如音频放大电路，时钟振荡器电路等。在液晶显示面板的线路设计中，也要经常要用到反相器电路。目前，在低温多晶硅(LTPS)半导体薄膜晶体管的线路设计中，反相器的结构是将NTFT和PTFT单独进行设计，因此反相器的高度和面积会影响整个液晶显示面板的高度和面积，从而增加成本。
技术实现思路
本专利技术提供一种反相器结构及其显示面板，以解决现有技术中反相器的高度和面积影响液晶显示面板的高度和面积从而增加成本的技术问题。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种反相器结构，所述反相器结构包括：多晶硅层，其中，所述多晶硅层包括第一源极区域、第一漏极区域、第一沟道区域、第二源极区域、第二漏极区域和第二沟道区域，所述第一漏极区域和所述第二漏极区域相互匹配且设置在同一行中，且所述第一漏极区域和所述第二漏极区域所组成的区域与所述第一源极区域和所述第二源极区域分别相对，所述第一沟道区域位于所述第一源极区域与所述第一漏极区域和所述第二漏极区域所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种反相器结构，其特征在于，所述反相器结构包括：多晶硅层，其中，所述多晶硅层包括第一源极区域、第一漏极区域、第一沟道区域、第二源极区域、第二漏极区域和第二沟道区域，所述第一漏极区域和所述第二漏极区域相互匹配且设置在同一行中，且所述第一漏极区域和所述第二漏极区域所组成的区域与所述第一源极区域和所述第二源极区域分别相对，所述第一沟道区域位于所述第一源极区域与所述第一漏极区域和所述第二漏极区域所组成的区域之间，而所述第二沟道区域位于所述第二源极区域与所述第一漏极区域和所述第二漏极区域所组成的区域之间；栅极金属层，包括第一栅电极和第二栅电极，其中，所述第一栅电极设置在所述第一沟道区域上，而所述第二栅电...

【技术特征摘要】
1.一种反相器结构，其特征在于，所述反相器结构包括：多晶硅层，其中，所述多晶硅层包括第一源极区域、第一漏极区域、第一沟道区域、第二源极区域、第二漏极区域和第二沟道区域，所述第一漏极区域和所述第二漏极区域相互匹配且设置在同一行中，且所述第一漏极区域和所述第二漏极区域所组成的区域与所述第一源极区域和所述第二源极区域分别相对，所述第一沟道区域位于所述第一源极区域与所述第一漏极区域和所述第二漏极区域所组成的区域之间，而所述第二沟道区域位于所述第二源极区域与所述第一漏极区域和所述第二漏极区域所组成的区域之间；栅极金属层，包括第一栅电极和第二栅电极，其中，所述第一栅电极设置在所述第一沟道区域上，而所述第二栅电极设置在所述第二沟道区域上，且所述第一栅电极与所述第二栅电极电连接以作为所述反相器的输入端；第一源电极，设置在所述第一源极区域上；第二源电极，设置在所述第二源极区域上；漏极金属层，包括第一漏电极和第二漏电极，其中，所述第一漏电极设置在所述第一漏极区域上，而所述第二漏电极设置在所述第二漏极区域上，且所述第一漏电极和所述第二漏电极电连接以作为所述反相器的输出端；其中，所述第一源电极、所述第一源极区域、所述第一沟道区域、所述第一漏极区域、所述第一漏电极和所述第一栅电极构成第一晶体管；而所述第二源电极、所述第二源极区域、所述第二沟道区域、所述第二漏极区域、所述第二漏电极和所述第二栅电极构成第二晶体管。2.根据权利要求1所述的反相器结构，其中，所述第一漏极区域和所述第二漏极区域分别为长条状结构，且所述第一漏极区域和所述第二漏极区域排列在同一行中。3.根据权利要求1所述的反相器结构，其中，所述第一漏极区域包括第一主体部分和第一延伸部分，所述第一延伸部分的宽度小于所述第一主体部...

【专利技术属性】
技术研发人员：田勇，赵莽，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42