【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种基于碳纳米管薄膜晶体管的CMOS反相器的制作方法，其特征在于，包括步骤：s1、在同一基底上制作第一碳纳米管薄膜晶体管和第二碳纳米管薄膜晶体管；s2、在第二碳纳米管薄膜晶体管的有源层上制作一层钝化层作为保护层，该钝化层为绝缘的可以溶液化的高分子聚合物；s3、采用介电材料对第一碳纳米管薄膜晶体管沟道间的有源层进行掺杂，使其极性转化为n型或双极性；s4、通过导电物质电性连接第一碳纳米管薄膜晶体管和第二碳纳米管薄膜晶体管，形成CMOS反相器。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐文亚，赵建文，许威威，张祥，崔铮，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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