半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法。所述形成方法首先提供半导体衬底，所述半导体衬底具有隔离结构，然后在半导体衬底上形成第一伪栅极和第二伪栅极，第一伪栅极和第二伪栅极至少部分位于隔离结构上方，之后对隔离结构进行刻蚀处理，以在隔离结构表面形成凹槽，后续形成第一主侧墙和第二主侧墙时，第一主侧墙和第二主侧墙能够形成在凹槽内壁，从而防止在后续采用硫酸去除残留金属层的过程中，高K介质层和帽盖层被硫酸侵蚀，从而防止半导体结构失效，提高半导体结构的良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
传统半导体工艺技术中，多采用氧化硅(SiO2)和多晶硅(poly-Si)构成的栅极堆叠结构。随着半导体结构的特征尺寸的减小，为了大幅度减小栅极漏电流和栅极电阻，消除多晶硅耗尽效应，提高器件可靠性，缓解费米能级钉扎效应，采用高K(介电常数)介质层(highK，HK)和金属栅极(metalgate，MG)栅极堆叠结构代替传统的氧化硅和多晶硅栅极堆叠结构已成为业界的共识，因此，HKMG工艺技术得到广泛地发展。在HKMG工艺中，高K介质层和金属栅极是最重要的两个构件，而高K介质层和金属栅极之间通常还会制作帽盖层。帽盖层的作用至少包括两方面，一方面用以保护高K介质层，另一方面用于防止金属栅极和高K介质层之间交叉扩散。由此可知，帽盖层也能够防止金属栅极中的金属向有源区扩散。考虑到半导体结构良率的提高，帽盖层和高K介质层越来越成为HKMG工艺中的一个成败因素。然而，现有半导体结构的形成方法中，帽盖层和高K...

【技术保护点】
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有隔离结构；在所述半导体衬底上形成第一伪栅极和第二伪栅极，所述第一伪栅极和第二伪栅极至少部分位于所述隔离结构上；对所述隔离结构进行刻蚀处理，以在所述隔离结构表面形成凹槽；在所述半导体衬底表面，所述第一伪栅极两侧，所述第二伪栅极两侧和所述凹槽中形成主侧墙材料层，所述主侧墙材料层同时填充所述凹槽内壁；刻蚀所述主侧墙材料层，以在第一伪栅极两侧形成第一主侧墙，在所述第二伪栅极两侧形成第二主侧墙，所述第一主侧墙和第二主侧墙同时形成在所述凹槽内壁。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底具有隔离结构；
在所述半导体衬底上形成第一伪栅极和第二伪栅极，所述第一伪栅极和
第二伪栅极至少部分位于所述隔离结构上；
对所述隔离结构进行刻蚀处理，以在所述隔离结构表面形成凹槽；
在所述半导体衬底表面，所述第一伪栅极两侧，所述第二伪栅极两侧和
所述凹槽中形成主侧墙材料层，所述主侧墙材料层同时填充所述凹槽内壁；
刻蚀所述主侧墙材料层，以在第一伪栅极两侧形成第一主侧墙，在所述
第二伪栅极两侧形成第二主侧墙，所述第一主侧墙和第二主侧墙同时形成在
所述凹槽内壁。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述凹槽的深度范围为
3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述刻蚀处理包括湿法刻蚀、
无图案干法刻蚀和SiConi刻蚀的至少其中之一。
4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀采用的溶液为
氢氟酸，所述氢氟酸的质量浓度范围为0.1％～10％。
5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀采用的温度为
20℃～80℃，所述湿法刻蚀采用的时间为30s～30min。

【专利技术属性】
技术研发人员：单朝杰，于书坤，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31