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一种半导体结构的形成方法。所述形成方法首先提供半导体衬底，所述半导体衬底具有隔离结构，然后在半导体衬底上形成第一伪栅极和第二伪栅极，第一伪栅极和第二伪栅极至少部分位于隔离结构上方，之后对隔离结构进行刻蚀处理，以在隔离结构表面形成凹槽，后续形...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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