一种发光二极管外延片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层，所述多量子阱层包括交替层叠的InGaN量子阱层和GaN量子垒层，所述发光二极管外延片还包括层叠在所述P型GaN层上的N型接触层，所述N型接触层为掺杂Si的GaN层。本发明专利技术通过在P型GaN层上层叠N型接触层，N型接触层为掺杂Si的GaN层，降低电阻而增大导电率，有利于设置在N型接触层上的P型电极注入电流的横向扩展，特别适用于背光上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管外延片及其制备方法。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)作为一种高效、绿色环保的新型固态照明光源，具有体积小、重量轻、寿命长、可靠性高及使用功耗低等优点，在照明领域得到了广泛的应用，同时LED在手机、显示屏等背光方面的应用也愈来愈热门。现有的LED外延片包括衬底、缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：应用在背光上的LED芯片是细长型的，现有LED外延片制作的LED芯片的横向扩展能力较差，应用在背光上的发光效率较低。
技术实现思路
为了解决现有技术横向扩展能力较差、应用在背光上的发光效率较低的问题，本专利技术实施例提供了一种发光二极管外延片及其制备方法。所述技术方案如下：一方面，本专利技术实施例提供了一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层，所述多量子阱层包括交替层叠的InGaN量子阱层和GaN量子垒层，所述发光二极管外延片还包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层，所述多量子阱层包括交替层叠的InGaN量子阱层和GaN量子垒层，其特征在于，所述发光二极管外延片还包括层叠在所述P型GaN层上的N型接触层，所述N型接触层为掺杂Si的GaN层。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层，所述多量子阱层包括交替层叠的InGaN量子阱层和GaN量子垒层，其特征在于，所述发光二极管外延片还包括层叠在所述P型GaN层上的N型接触层，所述N型接触层为掺杂Si的GaN层。2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述N型接触层中载流子的浓度为1018cm-3～1020cm-3。3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述N型接触层中载流子的浓度为5*1019cm-3。4.根据权利要求1-3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述N型接触层的厚度为1nm～20nm。5.根据权利要求4所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述N型接触层的厚度为5nm。6.一种发光二极管外延片的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙玉芹，董彬忠，王江波，
申请(专利权)人：华灿光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42