半导体发光元件制造技术

半导体发光元件包含基体、第1～3半导体层、第1导电层及第1、2绝缘层。第1半导体层包含第1导电型区域。第2半导体层设置在第1半导体层与基体之间，且为第2导电型。第3半导体层设置在第1半导体层与第2半导体层之间。第1导电层设置在第2半导体层的一部分与基体之间。第1导电层与第2半导体层电连接。第1绝缘层设置在第2半导体层的另一部分与基体之间以及第1导电层与基体之间。第2绝缘层设置在第1绝缘层与基体之间。第1绝缘层的第1厚度比第1绝缘层的第2厚度薄。第2绝缘层的第3厚度与第2绝缘层的第4厚度的差的第2绝对值小于第1厚度与第2厚度的差的第1绝对值。

【技术实现步骤摘要】
相关申请本申请享有以日本专利申请2015-46077号(申请日：2015年3月9日)作为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
本专利技术的实施方式一般而言涉及一种半导体发光元件。
技术介绍
在发光二极管(LED：Light Emitting Diode)等半导体发光元件，要求提高耐受电压。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供一种能够提高耐受电压的半导体发光元件。实施方式的半导体发光元件包含基体、第1～第3半导体层、第1导电层及第1、第2绝缘层。所述第1半导体层包含第1导电型区域。所述第2半导体层设置在所述第1半导体层与所述基体之间，且为第2导电型。所述第3半导体层设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间。所述第1导电层设置在所述第2半导体层的一部分与所述基体之间。所述第1导电层与所述第2半导体层电连接。所述第1绝缘层设置在所述第2半导体层的另一部分与所述基体之间以及所述第1导电层与所述基体之间。所述第2绝缘层设置在所述第1绝缘层与所述基体之间。从所述第2半导体层朝向所述第1半导体层的第1方向上与所述第1导电层重叠的第1位置上的所述第1绝缘层的第1厚度，比所述第1方向上不与所述第1导电层重叠的第2位置上的所述第1绝缘层的第2厚度薄。所述第1位置上的所述第2绝缘层的第3厚度与所述第2位置上的所述第2绝缘层的第4厚度的差的第2绝对值小于所述第1厚度与所述第2厚度的差的第1绝对值。附图说明图1A及图1B是例示第1实施方式的半导体发光元件的示意性剖视图。图2是例示第1实施方式的半导体发光元件的示意性俯视图。图3是例示半导体发光元件的显微镜照片图像。图4A～图4D是例示第1实施方式的半导体发光元件的制造方法的一部分的步骤顺序示意性剖视图。图5是例示第1实施方式的半导体发光元件的一部分的示意性剖视图。图6A～图6F是例示第1实施方式的半导体发光元件的制造方法的步骤顺序示意性剖视图。图7A及图7B是例示第1实施方式的另一半导体发光元件的示意性剖视图。图8A及图8B是例示第2实施方式的半导体发光元件的示意性剖视图。图9是例示第2实施方式的半导体发光元件的示意性俯视图。图10是例示第2实施方式的半导体发光元件的示意性剖视图。图11A及图11B是例示第2实施方式的另一半导体发光元件的示意性剖视图。图12是例示实施方式的半导体发光元件的示意性剖视图。图13是例示第3实施方式的半导体发光元件的示意性剖视图。图14A及图14B是例示第3实施方式的另一半导体发光元件的示意性剖视图。图15A及图15B是例示第3实施方式的另一半导体发光元件的示意性剖视图。图16是例示第3实施方式的另一半导体发光元件的示意性剖视图。图17A及图17B是例示第3实施方式的另一半导体发光元件的示意性剖视图。图18A及图18B是例示第3实施方式的另一半导体发光元件的示意性剖视图。图19是例示第4实施方式的半导体发光元件的示意性剖视图。具体实施方式以下，一边参照附图一边对本专利技术的各实施方式进行说明。另外，附图是示意性或概念性的图，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等未必与实物相同。而且，即便是在表示相同部分的情况下，也会存在根据附图将相互的尺寸或比率不同地表示的情况。另外，在本申请的说明书及各图中，对与关于已出现过的图在上文已叙述过的要素相同的要素标注相同的符号，并适当省略详细的说明。(第1实施方式)图1A及图1B是例示第1实施方式的半导体发光元件的示意性剖视图。图2是例示第1实施方式的半导体发光元件的示意性俯视图。图1A是图2的A1-A2线剖视图。图1B放大表示图1A的一部分AP。图2是从图1A所示的箭头AA的方向观察的俯视图。在图2中，以虚线表示透视一部分要素的状态。如图1A、图1B及图2所示，本实施方式的半导体发光元件110包含基体70、第1半导体层10、第2半导体层20、第3半导体层30、第1导电层50、第1绝缘层81及第2绝缘层82。作为基体70，例如使用Si等半导体基板。关于基体70的示例将在下文中进行叙述。第1半导体层10包含第1导电型区域。第2半导体层20设置在第1半导体层10与基体70之间。第2半导体层20为第2导电型。例如，第1导电型为n型，第2导电型为p型。也可以第1导电型为p型，第2导电型为n型。在以下的示例中，设为第1导电型为n型且第2导电型为p型。第3半导体层30设置在第1半导体层10与第2半导体层20之间。第3半导体层30例如包含活性层。第3半导体层30例如为发光部。关于第3半导体层30的示例将在下文中进行叙述。将从第2半导体层20朝向第1半导体层10的方向设为Z轴方向(第1方向D1)。Z轴方向是将第2半导体层20与第1半导体层10积层的方向。将相对于Z轴方向垂直的一个方向设为X轴方向。将相对于Z轴方向及X轴方向垂直的方向设为Y轴方向。第1半导体层10、第2半导体层20及第3半导体层30包含于积层体15。积层体15沿着X-Y平面扩展。第1半导体层10、第2半导体层20及第3半导体层30包含例如氮化物半导体。第1导电层50设置在第2半导体层20的一部分(第1部分20a)与基体70之间。也就是说，第2半导体层20包含第1部分20a及第2部分20b。第2部分20b在相对于第1方向D1交叉的方向(例如第2方向D2)上与第1部分20a并排。第1导电层50未设置在第2部分20b与基体70之间。第1导电层50与第2半导体层20电连接。在本说明书中，电连接的状态包含第1导体与第2导体直接接触的状态。进而，电连接的状态包含在第1导体与第2导体之间插入第3导体，经由第3导体使电流流至第1导体及第2导体之间的状态。第1导电层50的至少一部分与第2半导体层20欧姆接触。第1导电层50具有光反射性。第1绝缘层81设置在第2半导体层20的另一部分(第2部分20b)与基体70之间(第1设置位置)、以及第1导电层50与基体70之间(第2设置位置)。第2绝缘层82设置在第1绝缘层81与基体70之间。第1绝缘层81及第2绝缘层82例如含有氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等。关于这些绝缘层的材料的示例将在下文中进行叙述。该例中，在半导体发光元件110设置着第1焊垫45及第2焊垫55。在第1焊垫45与第3半导体层30之间配置第1半导体层10。第1焊垫45与第1半导体层10电连接。在第1半导体层10为n型半导体的情况下，第1焊垫45成为n侧焊垫。如图2所示，在该例中设置线状的电极46。电极46与第1焊垫45电连接。在电极46与第3半导体层30之间配置第1半导体层10。电极46例如具有扩大电流的功能。如图1A所示，第1导电层50的一部分(第1导电部分50a)配置在第2半导体层20的所述一部分(第1部分20a)与基体70之间。第1导电层50的另一部分(第2导电部分50b)配置在第2焊垫55与基体70之间。也就是说，第1导电层50的第1导电部分50a在第1方向D1上与第2半导体层20重叠。另一方面，第1导电层50的第2导电部分50b在第1方向D1上不与第2半导体层20重叠，而在第1方向D1上与第2焊垫55重叠。第2焊垫55与第1导电层50的第2导电部分50b电连接。在该例中，第1导电层50具有积层膜的构成。也就是说，第1导电层50包含本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光元件，其特征在于具备：基体；第1半导体层，包含第1导电型区域；第2导电型的第2半导体层，设置在所述第1半导体层与所述基体之间；第3半导体层，设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间；第1导电层，设置在所述第2半导体层的一部分与所述基体之间，且与所述第2半导体层电连接；第1绝缘层，设置在所述第2半导体层的另一部分与所述基体之间以及所述第1导电层与所述基体之间；以及第2绝缘层，设置在所述第1绝缘层与所述基体之间；且从所述第2半导体层朝向所述第1半导体层的第1方向上与所述第1导电层重叠的第1位置上的所述第1绝缘层的第1厚度，比所述第1方向上不与所述第1导电层重叠的第2位置上的所述第1绝缘层的第2厚度薄，所述第1位置上的所述第2绝缘层的第3厚度与所述第2位置上的所述第2绝缘层的第4厚度的差的第2绝对值小于所述第1厚度与所述第2厚度的差的第1绝对值。

【技术特征摘要】
2015.03.09 JP 2015-0460771.一种半导体发光元件，其特征在于具备：基体；第1半导体层，包含第1导电型区域；第2导电型的第2半导体层，设置在所述第1半导体层与所述基体之间；第3半导体层，设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间；第1导电层，设置在所述第2半导体层的一部分与所述基体之间，且与所述第2半导体层电连接；第1绝缘层，设置在所述第2半导体层的另一部分与所述基体之间以及所述第1导电层与所述基体之间；以及第2绝缘层，设置在所述第1绝缘层与所述基体之间；且从所述第2半导体层朝向所述第1半导体层的第1方向上与所述第1导电层重叠的第1位置上的所述第1绝缘层的第1厚度，比所述第1方向上不与所述第1导电层重叠的第2位置上的所述第1绝缘层的第2厚度薄，所述第1位置上的所述第2绝缘层的第3厚度与所述第2位置上的所述第2绝缘层的第4厚度的差的第2绝对值小于所述第1厚度与所述第2厚度的差的第1绝对值。2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述第2绝对值小于所述第1导电层的厚度。3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述第2绝对值为所述第1导电层的厚度的1/2以下。4.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述第1绝对值与所述第2绝对值的差的绝对值为所述第1导电层的厚度的1/2倍以上且1.2倍以下。5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于还具备：第1焊垫、及第2焊垫，且在所述第1焊垫与所述第3半导体层之间配置所述第1半导体层，所述第1焊垫与所述第1半导体层电连接，所述第1导电层的一部分配置在所述第2半导体层的所述一部分与所述基体之间，所述第1导电层的另一部分配置在所述第2焊垫与所述基体之间，所述第2焊垫与所述第1导电层的所述另一部分电连接。6.根据权利要求5所述的半导体发光元件，其特征在于：所述第1焊垫与所述第1导电层之间的距离为1.5微米以上且30微米以下。7.根据权利要求5所述的半导体发光元件，其特征在于：所述第2焊垫的至少一部分在与所述第1方向交叉的方向上，与包含所述第1半导体层、所述第3半导体层及所述第2半导体层的积层体的至少一部分重叠。8.根据权利要求5所述的半导体发光元件，其特征在于：所述第1导电层包含第1金属层及第2金属层，所述第1金属层设置在所述第2金属层的一部分与所述第2半导体层之间，所述第1方向上与所述第1金属层重叠的第3位置上的所述第1绝缘层的第5厚度，比所述第1方向上与所述第1导电层重叠且不与所述第1金属层重叠的第4位置上的所述第1绝缘层的第6厚度薄，且所述第3位置上的所述第2绝缘层的第7厚度与所述第4位置上的所述第2绝缘层的第8厚度的差的第4绝对值小于所述第5厚度与所述第6厚度的差的第3绝对值。9.根据权利要求8所述的半导体发光元件，其特征在于：所述第4绝对值小于所述第1金属层的厚度。10.根据权利要求5所述的半导体发光元件，其特征在于：所述第1导电层包含第1金属层及第2金属层，所述第1金属层的一部分设置在所述第2金属层与所述第2半导体层之间，所述第1方向上与所述第1金属层的所述一部分重叠的第3位置上的所述第1绝缘层的第5厚度，比所述第1方向上与所述第1金属层重叠且不与所述第2金属层重叠的第4位置上的所述第1绝缘层的第6厚度薄，且所述第3位置上的所述第2绝缘层的第7厚度与所述第4位置上的所述第2绝缘层的第8厚度的差的第4绝对值小于所述第5厚度与所述第6厚度的差的第3绝对值。11.根据权利要求10所述的半导体发光元件，其特征在于：所述第4绝对值小于所述第2金属层的厚度。12.根据权利要求8所述的半导体发光元...

【专利技术属性】
技术研发人员：胜野弘，石黑阳，山田真嗣，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP