N-取代苯基酰胺衍生物及其制备方法和用途技术

本发明专利技术属于化学医药领域，具体涉及N‑取代苯基酰胺衍生物及其制备方法和用途。本发明专利技术提供了一种N‑取代苯基酰胺衍生物，其结构如式Ⅰ所示。本发明专利技术还提供了上述N‑取代苯基酰胺衍生物的制备方法和用途。本发明专利技术提供的N‑取代苯基酰胺衍生物，可以选择性地抑制JAK3，为治疗与之相关的疾病，如类风湿关节炎、哮喘、慢性阻塞性肺疾病和肿瘤等提供了新的选择。

【技术实现步骤摘要】
201610051840

【技术保护点】
N‑取代苯基丙烯酰胺衍生物，其结构如式Ⅰ所示：其中，X1～X3、Y1～Y4独立为C、N或S；R1为‑H、C1～C8烷基、卤素、‑CN、‑OH、C1～C8烷氧基、或‑CON(CH3)2；R2、R3独立为‑H、C1～C8烷基、C1～C8烷氧基、C1～C8卤代烷基、C2～C8烯基、C2～C8炔基、‑CN、‑OH、C3～C8环烷基、‑O(C1～C8烷基)CF3或卤素；R4～R6独立为‑H、C1～C8烷基、C1～C8烷氧基、C1～C8卤代烷基、C2～C8烯基、C2～C8炔基、C3～C8环烷基或卤素。

【技术特征摘要】
2015.02.02 CN 20151005446831.N-取代苯基丙烯酰胺衍生物，其结构如式Ⅰ所示：其中，X1～X3、Y1～Y4独立为C、N或S；R1为-H、C1～C8烷基、卤素、-CN、-OH、C1～C8烷氧基、或-CON(CH3)2；R2、R3独立为-H、C1～C8烷基、C1～C8烷氧基、C1～C8卤代烷基、C2～C8烯基、C2～C8炔基、-CN、-OH、C3～C8环烷基、-O(C1～C8烷基)CF3或卤素；R4～R6独立为-H、C1～C8烷基、C1～C8烷氧基、C1～C8卤代烷基、C2～C8烯基、C2～C8炔基、C3～C8环烷基或卤素。2.权利要求1所述的N-取代苯基丙烯酰胺衍生物，其特征在于：X1～X3、Y1～Y4独立为C或N；R1为-H、C1～C8烷基、卤素、-CN、-OH、C1～C8烷氧基、或-CON(CH3)2；R2、R3独立为-H、C1～C8烷基、C1～C8烷氧基、C1～C8卤代烷基、C2～C8烯基、C2～C8炔基、-CN、-OH、C3～C8环烷基、-O(C1～C8烷基)CF3或卤素；R4～R6独立为-H、C1～C8烷基、C1～C8烷氧基、C1～C8卤代烷基、C2～C8烯基、C2～C8炔基、C3～C8环烷基或卤素；优选的，X1～X3、Y1～Y4独立为C或N；R1为-H、C1～C4烷基、卤素、-CN、-OH、C1～C4烷氧基、或-CON(CH3)2；R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、-CN、-OH、C3～C6环烷基、-O(C1～C8烷基)CF3或卤素；R4～R6独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、C3～C6环烷基或卤素；进一步优选的，R1为-H、C1～C4烷基、卤素、-CN、C1～C4烷氧基、X1～X3、Y1～Y4独立为C或N；R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、-CN、-OH、C3～C6环烷基、-O(C1～C8烷基)CF3或卤素；R4～R6独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、C3～C6环烷基或卤素；更进一步优选的，R1为-H、C1～C4烷基、-F、-Cl、-CN、C1～C4烷氧基、X1～X3、Y1～Y4独立为C或N；R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、-CN、-OH、C3～C6环烷基、-O(C1～C8烷基)CF3或卤素；R4～R6独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、C3～C6环烷基或卤素；优选的，R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、C3～C6环烷基或卤素；X1～X3、Y1～Y4独立为C或N；R1为-H、C1～C4烷基、卤素、-CN、C1～C4烷氧基、R4～R6独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、C3～C6环烷基或卤素；进一步优选的，R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C2～C4烯基、C2～C4炔基或卤素；X1～X3、Y1～Y4独立为C或N；R1为-H、C1～C4烷基、卤素、-CN、C1～C4烷氧基、R4～R6独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、C3～C6环烷基或卤素；更进一步优选的，R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C2～C4烯基或卤素；X1～X3、Y1～Y4独立为C或N；R1为-H、C1～C4烷基、卤素、-CN、C1～C4烷氧基、R4～R6独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、C3～C6环烷基或卤素；再进一步优选的，R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C2～C4烯基、-Cl或-Br；X1～X3、Y1～Y4独立为C或N；R1为-H、C1～C4烷基、卤素、-CN、C1～C4烷氧基、R4～R6独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、C3～C6环烷基或卤素；优选的，R4～R6独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基或C3～C6环烷基；X1～X3、Y1～Y4独立为C或N；R1为-H、C1～C4烷基、卤素、-CN、C1～C4烷氧基、R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C2～C4烯基、C2～C4炔基或卤素；进一步优选的，R4～R6独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基或C1～C4卤代烷基；X1～X3、Y1～Y4独立为C或N；R1为-H、C1～C4烷基、卤素、-CN、C1～C4烷氧基、R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C2～C4烯基、C2～C4炔基或卤素；更进一步优选的，R4～R6独立为-H或C1～C4烷基；X1～X3、Y1～Y4独立为C或N；R1为-H、C1～C4烷基、卤素、-CN、C1～C4烷氧基、R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C2～C4烯基、C2～C4炔基或卤素；优选的，X1～X3、Y1～Y4独立为C或N；R1为-H、C1～C4烷基、卤素、-CN、C1～C4烷氧基、R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C2～C4烯基或卤素；R4～R6独立为-H或C1～C4烷基；最优的，X1～X3、Y1～Y4独立为C或N；R1为-H、甲基、-F、-Cl、-CN、甲氧基、二甲基氨基或R2、R3独立为-H、甲基、乙烯基、-Cl或-Br。3.根据权利要求1或2所述的N-取代苯基丙烯酰胺衍生物，其特征在于：当X1和X3为N，X2为C，Y3和Y4为C时，其结构如式Ⅱ所示：其中，Y1、Y2独立为C或N；R1为-H、C1～C8烷基、卤素、-CN、-OH、C1～C8烷氧基、或-CON(CH3)2；R2、R3独立为-H、C1～C8烷基、C1～C8烷氧基、C1～C8卤代烷基、C2～C8烯基、C2～C8炔基、-CN、-OH、C3～C8环烷基、-O(C1～C8烷基)CF3或卤素；R4～R6独立为-H、C1～C8烷基、C1～C8烷氧基、C1～C8卤代烷基、C2～C8烯基、C2～C8炔基、C3～C8环烷基或卤素。4.权利要求3所述的N-取代苯基丙烯酰胺衍生物，其特征在于：Y1、Y2独立为C或N；R1为-H、C1～C4烷基、卤素、-CN、-OH、C1～C4烷氧基、或-CON(CH3)2；R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、-CN、-OH、C3～C6环烷基、-O(C1～C8烷基)CF3或卤素；R4～R6独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、C3～C6环烷基或卤素；进一步优选的，R1为-H、C1～C4烷基、卤素、-CN、C1～C4烷氧基、Y1、Y2独立为C或N；R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、-CN、-OH、C3～C6环烷基、-O(C1～C8烷基)CF3或卤素；R4～R6独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、C3～C6环烷基或卤素；更进一步优选的，R1为-H、C1～C4烷基、-F、-Cl、-CN、C1～C4烷氧基、Y1、Y2独立为C或N；R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、-CN、-OH、C3～C6环烷基、-O(C1～C8烷基)CF3或卤素；R4～R6独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、C3～C6环烷基或卤素；优选的，R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、C3～C6环烷基或卤素；Y1、Y2独立为C或N；R1为-H、C1～C4烷基、卤素、-CN、C1～C4烷氧基、R4～R6独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、C3～C6环烷基或卤素；进一步优选的，R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C2～C4烯基、C2～C4炔基或卤素；Y1、Y2独立为C或N；R1为-H、C1～C4烷基、卤素、-CN、C1～C4烷氧基、R4～R6独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、C3～C6环烷基或卤素；更进一步优选的，R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C2～C4烯基或卤素；Y1、Y2独立为C或N；R1为-H、C1～C4烷基、卤素、-CN、C1～C4烷氧基、R4～R6独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、C3～C6环烷基或卤素；再进一步优选的，R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C2～C4烯基、-Cl或-Br；Y1、Y2独立为C或N；R1为-H、C1～C4烷基、卤素、-CN、C1～C4烷氧基、R4～R6独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、C3～C6环烷基或卤素；优选的，R4～R6独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基或C3～C6环烷基；Y1、Y2独立为C或N；R1为-H、C1～C4烷基、卤素、-CN、C1～C4烷氧基、R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C2～C4烯基、C2～C4炔基或卤素；进一步优选的，R4～R6独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基或C1～C4卤代烷基；Y1、Y2独立为C或N；R1为-H、C1～C4烷基、卤素、-CN、C1～C4烷氧基、R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C2～C4烯基、C2～C4炔基或卤素；更进一步优选的，R4～R6独立为-H或C1～C4烷基；Y1、Y2独立为C或N；R1为-H、C1～C4烷基、卤素、-CN、C1～C4烷氧基、R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C2～C4烯基、C2～C4炔基或卤素；优选的，Y1、Y2独立为C或N；R1为-H、C1～C4烷基、卤素、-CN、C1～C4烷氧基、R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C2～C4烯基或卤素；R4～R6独立为-H或C1～C4烷基；最优的，Y1、Y2独立为C或N；R1为-H、甲基、-F、-Cl、-CN、甲氧基、二甲基氨基R2、R3独立为-H、甲基、乙烯基、-Cl或-Br。5.根据权利要求1或2所述的N-取代苯基丙烯酰胺衍生物，其特征在于：当X1和X2为C，X3为N，Y1～Y4为C时，其结构如式Ⅲ所示：其中，R1为-H、C1～C8烷基、卤素、-CN、-OH、C1～C8烷氧基、-CON(CH3)2；R2、R3独立为-H、C1～C8烷基、C1～C8烷氧基、C1～C8卤代烷基、C2～C8烯基、C2～C8炔基、-CN、-OH、C3～C8环烷基、-O(C1～C8烷基)CF3或卤素；R4～R6独立为-H、C1～C8烷基、C1～C8烷氧基、C1～C8卤代烷基、C2～C8烯基、C2～C8炔基、C3～C8环烷基或卤素。6.根据权利要求5所述的N-取代苯基丙烯酰胺衍生物，其特征在于：R1为-H、C1～C4烷基、卤素、-CN、-OH、C1～C4烷氧基、或-CON(CH3)2；R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、-CN、-OH、C3～C6环烷基、-O(C1～C8烷基)CF3或卤素；R4～R6独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、C3～C6环烷基或卤素；进一步优选的，R1为-H、C1～C4烷基、卤素、C1～C4烷氧基、R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、-CN、-OH、C3～C6环烷基、-O(C1～C8烷基)CF3或卤素；R4～R6独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、C3～C6环烷基或卤素；更进一步优选的，R1为-H、C1～C4烷基、-F、-Cl或C1～C4烷氧基；R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、-CN、-OH、C3～C6环烷基、-O(C1～C8烷基)CF3或卤素；优选的，R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、C3～C6环烷基或卤素；R1为-H、C1～C4烷基、卤素、-CN、C1～C4烷氧基、R4～R6独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、C3～C6环烷基或卤素；进一步优选的，R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C2～C4烯基、C2～C4炔基或卤素；R1为-H、C1～C4烷基、卤素、-CN、C1～C4烷氧基、R4～R6独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、C3～C6环烷基或卤素；更进一步优选的，R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C2～C4烯基或卤素；R1为-H、C1～C4烷基、卤素、-CN、C1～C4烷氧基、R4～R6独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、C3～C6环烷基或卤素；再进一步优选的，R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C2～C4烯基、-Cl或-Br；R1为-H、C1～C4烷基、卤素、-CN、C1～C4烷氧基、R4～R6独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、C3～C6环烷基或卤素；优选的，R4～R6独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基或C1～C4卤代烷基；R1为-H、C1～C4烷基、卤素、-CN、C1～C4烷氧基、R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C2～C4烯基、C2～C4炔基或卤素；进一步优选的，R4～R6独立为-H或C1～C4烷基；R1为-H、C1～C4烷基、卤素、-CN、C1～C4烷氧基、R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C2～C4烯基、C2～C4炔基或卤素；优选的，R1为-H、C1～C4烷基、卤素或C1～C4烷氧基；R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C2～C4烯基或卤素；最优的，R1为-H、甲基、-F、-Cl或甲氧基；R2、R3独立为-H、甲基、乙烯基、-Cl或-Br。7.根据权利要求1或2所述的N-取代苯基丙烯酰胺衍生物，其特征在于：当X1～X3为C，Y1～Y4为C时，其结构如式Ⅳ所示：其中，R1为-H、C1～C8烷基、卤素、-CN、-OH、C1～C8烷氧基、-CON(CH3)2；R2、R3独立为-H、C1～C8烷基、C1～C8烷氧基、C1～C8卤代烷基、C2～C8烯基、C2～C8炔基、-CN、-OH、C3～C8环烷基、-O(C1～C8烷基)CF3或卤素；R4～R6独立为-H、C1～C8烷基、C1～C8烷氧基、C1～C8卤代烷基、C2～C8烯基、C2～C8炔基、C3～C8环烷基或卤素。8.根据权利要求7所述的N-取代苯基丙烯酰胺衍生物，其特征在于：R1为-H、C1～C4烷基、卤素、-CN、-OH、C1～C4烷氧基、或-CON(CH3)2；R2、R3独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、-CN、-OH、C3～C6环烷基、-O(C1～C8烷基)CF3或卤素；R4～R6独立为-H、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、C1～C4卤代烷基、C2～C4烯基、C2～C4炔基、C3～C6环...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俐娟，魏于全，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：四川;51