半导体元件及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种半导体元件及其制作方法。其制作方法为首先提供一基底，该基底上具有一第一栅极层、一第一介电层以及一浅沟隔离(shallow trench isolation,STI)环绕该基底、该第一栅极层及该第一介电层。然后去除该第一介电层、形成一第一间隙壁于第一栅极层上方的浅沟隔离侧壁以及利用第一间隙壁为掩模去除部分第一栅极层及部分基底以形成一第一开口并同时定义出一第一栅极结构及一第二栅极结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件，尤其是涉及一种非挥发性存储器及其制作方法。
技术介绍
闪存存储器(flashmemory)是一种非挥发性(non-volatile)存储器，其在缺乏外部电源供应时，也能够保存存储在存储器中的信息内容。近几年来，由于闪存存储器具有可重复写入以及可被电抹除等优点，因此，已被广泛地应用在移动电话(mobilephone)、数字相机(digitalcamera)、游戏机(videoplayer)、个人数字助理(personaldigitalassistant,PDA)等电子产品或正在发展中的系统单芯片(systemonachip,SOC)中。一般而言，现今闪存存储器架构中由于栅极有源面积(activearea)的设计，特别是在大面积的情况下时常影响存储器的整体效能。因此如何通过改变制作工艺来改良现有存储器架构以提升闪存存储器的整体效能即为现今一重要课题。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术优选实施例是揭露一种制作半导体元件的方法。首本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底，该基底上具有第一栅极层、第一介电层以及浅沟隔离(shallow trench isolation,STI)设于该基底内并环绕该第一栅极层及该第一介电层；去除该第一介电层；形成一第一间隙壁于该第一栅极层上方的该浅沟隔离侧壁；以及利用该第一间隙壁为掩模去除部分该第一栅极层及部分该基底以形成一第一开口并同时定义出一第一栅极结构及一第二栅极结构。

【技术特征摘要】
2014.10.14 TW 1031355491.一种制作半导体元件的方法，包含：
提供一基底，该基底上具有第一栅极层、第一介电层以及浅沟隔离
(shallowtrenchisolation,STI)设于该基底内并环绕该第一栅极层及该第一介
电层；
去除该第一介电层；
形成一第一间隙壁于该第一栅极层上方的该浅沟隔离侧壁；以及
利用该第一间隙壁为掩模去除部分该第一栅极层及部分该基底以形成
一第一开口并同时定义出一第一栅极结构及一第二栅极结构。
2.如权利要求1所述的方法，其中该第一栅极层包含不掺杂的多晶硅。
3.如权利要求1所述的方法，还包含第二栅极层，设于该第一栅极层及
该第一介电层之间。
4.如权利要求3所述的方法，其中该第二栅极层包含掺杂的多晶硅。
5.如权利要求3所述的方法，还包含：
形成该第一间隙壁于该第二栅极层上方的该浅沟隔离侧壁；
利用该第一间隙壁为掩模去除部分该第二栅极层、部分该第一栅极层及
部分该基底以形成该第一开口，并形成该第一栅极结构及该第二栅极结构于
该基底上以及一第三栅极结构及一第四栅极结构分别设于该第一栅极结构
及该第二栅极结构上；
形成一第二间隙壁于该第一开口内；
形成一第三间隙壁于该第二间隙壁上；
去除部分该浅沟隔离；
去除该第一间隙壁及该第三间隙壁；以及
形成一氧化物-氮化物-氧化物(oxide-nitride-oxide,ONO)堆叠层于该浅沟
隔离、该第二间隙壁、该第一栅极结构及该第二栅极结构上。
6.如权利要求1所述的方法，其中该第二间隙壁包含氧化硅。
7.如权利要求1所述的方法，其中该第三间隙壁包含氮化硅。
8.如权利要求1所述的方法，还包含；
形成一第二介电层并填满该第一开口；
去除部分该浅沟隔离、部分该第二介电层及部分该第一间隙壁，使该浅

\t沟隔离与该第一间隙壁表面齐平；
去除部分该浅沟隔离及部分该第二介电层；
去除剩余的该第一间隙壁；以及
形成一氧化物-氮化物-氧化物(oxide-nitride-oxide,ONO)堆叠层于该浅沟
隔离、该第二介电层、该第一栅极结构及该第二栅极结构上。
9.如权利要求1所述的方法，还包含利用一化学机械研磨制作工艺...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱建隆，陈俊宏，邱达乾，
申请(专利权)人：力晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71