具有空腔的半导体器件制造技术

本申请公开了一种具有空腔的半导体器件。半导体器件包括第一半导体晶片，该第一半导体晶片包括形成在第一半导体管芯中的空腔。第二半导体管芯在该空腔之上被键合到第一半导体管芯。第一晶体管包括形成在空腔之上的该第一晶体管的一部分。

【技术实现步骤摘要】
本国优先权本申请要求2014年12月17日提交的美国临时申请号62/092,903的权益，该申请通过引用结合于此。
技术介绍
半导体器件通常存在于现代电子产品中。半导体器件在电气部件的数量和密度上变化。分立的半导体器件通常包含一种类型的电气部件，例如，发光二极管(LED)、小信号晶体管、电阻器、电容器、电感器，以及功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。集成半导体器件典型地包含数百至数百万的电气部件。集成半导体器件的示例包括微控制器、微处理器、电荷耦合器件(CCD)、太阳能电池、以及数字微镜器件(DMD)。半导体器件执行大范围的功能，诸如信号处理、高速运算、发射和接收电磁信号、控制电子器件、将太阳光转换为电、以及为电视显示器创建视觉投射。半导体器件存在于娱乐、通信、功率变换、网络、计算机、以及消耗品领域中。半导体器件还存在于军事应用、航空、汽车、工业控制器、以及办公设备中。尤其，功率MOSFET常用于电子电路(诸如通信系统和电源)中，作为用于启>用及禁用在例如直流本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作半导体器件的方法，包括：提供第一半导体晶片；在所述第一半导体晶片中形成空腔；在所述空腔之上将第二半导体晶片键合到所述第一半导体晶片；以及形成晶体管，所述晶体管包括设置在所述空腔之上的所述晶体管的一部分。

【技术特征摘要】
2014.12.17 US 62/092,903;2015.12.11 US 14/966,7831.一种制作半导体器件的方法，包括：
提供第一半导体晶片；
在所述第一半导体晶片中形成空腔；
在所述空腔之上将第二半导体晶片键合到所述第一半导体晶片；以及
形成晶体管，所述晶体管包括设置在所述空腔之上的所述晶体管的一部分。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述晶体管进一步包括：
在所述空腔之上形成P沟道区域；
在所述空腔的占位外形成漏极区域；以及
在所述P沟道区域和漏极区域之间形成漂移区域。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括在所述第一半导体晶
片或第二半导体晶片中在所述空腔之上形成超级结。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，进一步包括毗邻于所述超级结
形成沟道区域。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括在所述第一半导体
晶片中形成基准标记。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括在形成所述空腔之
前在所述第一半导体晶片上形成外延层。
7.一种制作半导体器件的方法，包括：
提供第一半导体管芯；
在所述第一半导体管芯中形成空腔；
在所述空腔之上将第二半导体管芯键合到所述第一半导体管芯；以及
形成晶体管，所述晶体管包括形成在所述空腔之上的所述晶体管的栅极。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，进一步包括在沟槽中形成所述
栅极。
9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，进一步包括完全地在所述空腔
的占位内形成漂移区域。
10.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·M·谢伊，
申请(专利权)人：长城半导体公司，
类型：发明
国别省市：美国;US