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本申请公开了一种具有空腔的半导体器件。半导体器件包括第一半导体晶片，该第一半导体晶片包括形成在第一半导体管芯中的空腔。第二半导体管芯在该空腔之上被键合到第一半导体管芯。第一晶体管包括形成在空腔之上的该第一晶体管的一部分。...
该专利属于长城半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过长城半导体公司授权不得商用。

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