双向电源开关制造技术

由两个或更多的ＭＯＳ管组成的半导体器件形成一个双向电源开关。该双向开关的一个实例由以下几部分组成：（ａ）一个具有上表面和下表面的半导体衬底；（ｂ）在半导体衬底内紧邻上表面处具有第一种传导性的第一区；（ｃ）在第一区内具有第二种传导性的第一和第二源区；（ｄ）在第一区内，第一和第二源区之间，紧邻上表面处形成的具有第二种传导性的漏区；（ｅ）连接第一源区的第一源镀层；（ｆ）连接第二源区的第二源镀层；（ｇ）高于上表面处，放置在第一和第二源之间的第一栅。此处，第一栅覆盖了第一源区和漏区的一部分；（ｈ）高于上表面处，放置在第二源和第一栅之间的第二栅。此处，第二栅覆盖了第二源区和漏区的一部分。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及半导体器件领域，特别是与双向电源开关相关。
技术介绍
电源MOS管(金属—氧化物—半导体场效应晶体管)用于制造单模块双向电源开关(BDS)。双向电源开关应用于诸如电池充电电路以控制电池的过充和欠充的众多领域。例如，充满电的锂离子电池不能连续充电以免着火和其他灾难性后果。目前有两类双向开关。第一类的代表产品有Siliconix公司的Si8900EDB和International Rectifier公司的FlipFET。在这类开关中，两个MOS管的漏通过共用的硅衬底相连，如图2所示。第二类的代表产品有仙童公司(Fairchild)的FDZ2551N，其漏由昂贵的铜封装相连。两种情况下，从MOS管源流出的电流都经过衬底流向漏。制作双向开关时，采用两个垂直的沟道MOS管并通过共用的漏相连。第一类双向开关(例如Siliconix公司的Si8900EDB和InternationalRectifier公司的FlipFET)有更高的RDSON(静态漏—源导通电阻)。这是因为采用垂直沟道MOS管形成了从第一个MOS管的源到第二个MOS管的源的长的电流通道。特别地，电流首先垂直向下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其包括：ａ、一个半导体衬底，具有上表面和下表面；ｂ、具有第一种传导性的第一区，其在半导体衬底内紧邻所述的上表面处；ｃ、具有第二种传导性的第一和第二源区，其在所述的第一区内；ｄ、具有第二种传导性 的漏区，在所述的第一区内、所述的第一和所述的第二源区之间、紧邻所述的上表面处形成；ｅ、镀在以及连接所述第一源区的第一源；ｆ、镀在以及连接所述第二源区的第二源；ｇ、第一栅，位于所述上表面上方，在所述第一和所述第二源之间 ，其中，第一栅层迭在所述第一源区和所述漏区的一部分；ｈ、第二栅，...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-2-4 60/444,932;US 2003-9-8 60/501,1921.一种半导体器件，其包括a、一个半导体衬底，具有上表面和下表面；b、具有第一种传导性的第一区，其在半导体衬底内紧邻所述的上表面处；c、具有第二种传导性的第一和第二源区，其在所述的第一区内；d、具有第二种传导性的漏区，在所述的第一区内、所述的第一和所述的第二源区之间、紧邻所述的上表面处形成；e、镀在以及连接所述第一源区的第一源；f、镀在以及连接所述第二源区的第二源；g、第一栅，位于所述上表面上方，在所述第一和所述第二源之间，其中，第一栅层迭在所述第一源区和所述漏区的一部分；h、第二栅，位于所述上表面上方，在所述第二源和所述第一栅之间。其中，第二栅层迭在所述第二源区和所述漏区的一部分。2.一种半导体器件，其包括a、一个半导体衬底，其具有上表面和下表面；b、具有第一种传导性的第一区，其在半导体衬底内紧邻上表面处；c、具有第二种传导性的第二和第三区，位于第一阱区内；d、在第二区内具有第一种传导性的第一源区，在第三区内具有第一种传导性的第二源区；e、镀在并连接第一源区的第一源；f、镀在并连接第二源区的第二源；g、第一栅，位于所述上表面上方，在所述第一和所述第二源之间，其中，第一栅层迭在所述第一源区和所述第二区的一部分；h、第二栅，位于所述上表面上方，在所述第二源和所述第一栅之间，其中，第二栅层迭在所述第二源区和所述第三区的一部分。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其进一步包括a、具有第一传导性的漏区，其在所述第一区内紧邻上表面处形成，在第二和第三区之间。4.一个半导体器件由如下几部分组成a、一个半导体衬底，其具有上表面和下表面；b、具有第一种传导性的第一和第二区，在所述半导体衬底内紧邻上表面处；c、在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈征，戴维诺博鲁奥卡达，
申请(专利权)人：长城半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]