【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料，尤其是涉及一种。
技术介绍
铟镓铝氮(InxGayAl1-x-yN，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)是制备短波长发光器件的优选材料体系。近年来已经用铟镓铝氮材料制造出许多新颖的发光器件，如蓝色、绿色、白色发光二极管，紫色半导体激光器等等。同时铟镓铝氮材料也是制备许多高性能电子器件的良好材料。现有技术中，在蓝宝石衬底和碳化硅衬底上制备铟镓铝氮材料的方法已经较为成熟。根据这些公开的技术，已经可以制备出高质量的铟镓铝氮材料。但是，碳化硅衬底非常昂贵，用于生长铟镓铝氮材料将使成本很高。而蓝宝石衬底也比较贵，而且它是绝缘体且加工困难，不能制成具有上下电极的芯片结构，这样就导致器件制造工艺复杂，成本增加。硅是一种最成熟的半导体材料，它不仅价格便宜，而且容易控制其导电类型和电阻率，其加工工艺也很成熟，如果用于生长铟镓铝氮将可以大大节约成本。然而在硅衬底上生长铟镓铝氮存在着许多困难，其中开始生长时硅衬底表面被氮化形成氮化硅和生长过程中镓金属回熔对获得高质量的铟镓铝氮影响很大。在已经公开的技术中，一般采用在硅衬底上沉积一层金属铝层来阻止氮化硅的形成和镓回...
【技术保护点】
一种在硅衬底上制备高质量铟镓铝氮材料的方法，其特征在于：（１）、在硅衬底表面形成一金属钛过渡层；（２）、在金属钛过渡层上形成铟镓铝氮叠层。
【技术特征摘要】
1.一种在硅衬底上制备高质量铟镓铝氮材料的方法，其特征在于(1)、在硅衬底表面形成一金属钛过渡层；(2)、在金属钛过渡层上形成铟镓铝氮叠层。2.如权利要求1所述的在硅衬底上制备高质量铟镓铝氮材料的方法，其特征在于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：王立，方文卿，江风益，
申请(专利权)人：晶能光电江西有限公司，
类型：发明
国别省市：36[中国|江西]
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