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本发明公开了一种在硅衬底上制备高质量铟镓铝氮材料的方法，它首先在硅衬底表面形成一金属钛过渡层，然后在金属钛过渡层上形成铟镓铝氮叠层。所述铟镓铝氮叠层中包含至少一个氮化铝低温缓冲层，且该氮化铝低温缓冲层直接生长于钛过渡层上。本发明通过使用金属...
该专利属于晶能光电（江西）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶能光电（江西）有限公司授权不得商用。

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