用于改进ESD性能的方法和设备技术

本发明专利技术提供一种用于改进ＥＳＤ保护的集成电路和形成这种集成电路的方法。这种集成电路包括衬底和在衬底上面形成的绝缘层。电路还包括在绝缘层上面形成的场效应晶体管（ＦＥＴ）。ＦＥＴ包含第一导电类型势阱区。电路还包含与ＦＥＴ耦接的势阱电阻器以便为电路提供镇流。势阱电阻器也包含第一导电类型的势阱区。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种具有衬底和电路结点的集成电路，包括：在上述衬底上面形成的绝缘层；在上述绝缘层上形成的场效应晶体管（ＦＥＴ），上述ＦＥＴ具有在上述绝缘层上面的彼此留有间距的位置上形成的第一导电类型高掺杂的源区和漏区以及在上述彼此留有间距的源区和漏区之间的上述绝缘层上面形成的第二导电类型势阱区；在上述ＦＥＴ的上述漏区上的上述绝缘层上面形成的并且具有用于在上述电路结点和上述ＦＥＴ中间流动电流的电阻的上述第二导电类型第一势阱区。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：本杰明万卡姆普，格尔德沃蒙特，
申请(专利权)人：沙诺夫欧洲公司，沙诺夫公司，
类型：发明
国别省市：BE[比利时]