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本发明提供一种用于改进ＥＳＤ保护的集成电路和形成这种集成电路的方法。这种集成电路包括衬底和在衬底上面形成的绝缘层。电路还包括在绝缘层上面形成的场效应晶体管（ＦＥＴ）。ＦＥＴ包含第一导电类型势阱区。电路还包含与ＦＥＴ耦接的势阱电阻器以便为电路...
该专利属于沙诺夫欧洲公司;沙诺夫公司所有，仅供学习研究参考，未经过沙诺夫欧洲公司;沙诺夫公司授权不得商用。

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