晶片切割用胶粘带及使用该胶粘带的芯片的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种在基材薄膜上设置了粘合剂层的晶片切割用胶粘带，包含２层以上的该粘合剂层，构成任一粘合剂层的树脂组合物都含有可辐射聚合的化合物，同时，构成粘合剂层中最外层的树脂组合物所含有的可辐射聚合的化合物的含量和构成内侧粘合剂层的树脂组合物所含有的可辐射聚合的化合物的含量不同，并达到使施加在基材薄膜上的应力被充分传递到放射线照射后的最外层以充分剥离该层和芯片的程度，本发明专利技术还提供使用该晶片切割用胶粘带的芯片的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种晶片切割用胶粘带，其在基材薄膜上设置了粘合剂层，其中，包含２层以上的该粘合剂层，构成任一粘合剂层的树脂组合物都含有可辐射聚合的化合物，同时，构成粘合剂层中最外层的树脂组合物所含有的可辐射聚合的化合物的含量与构成内侧粘合剂层的树脂组合物所含有的可辐射聚合的化合物的含量不同，并达到使施加于基材薄膜上的应力被充分传递到放射线照射后的最外层以充分剥离该层和芯片的程度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：矢吹朗，矢野正三，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]