Ⅲ-Ⅴ族氮化物系化合物半导体装置及电极形成方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种Ⅲ－Ⅴ族氮化物系化合物半导体装置，尤其涉及一种在该半导体的ｎ型层上形成低接触电阻的电极的Ⅲ－Ⅴ族氮化物系化合物半导体装置，特别是ＧａＮ系半导体装置及其电极形成方法。为提供接触电阻率低的电极形成方法及具有此种电极的半导体装置，在Ⅲ－Ⅴ族氮化物系化合物半导体的ｎ型层的表面上形成的电极的电极材料中至少使用Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ。特别地，通过在Ⅲ－Ⅴ族氮化物系化合物半导体的ｎ型层的表面上形成Ｔｉ层，并在Ｔｉ层上叠层由Ａｌ和Ｓｉ的混晶相构成的层，能够形成良好的电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种Ⅲ－Ⅴ族氮化物系化合物半导体装置，其特征在于，在由Ⅲ－Ⅴ族氮化物系化合物半导体构成的ｎ型层的表面上形成的电极材料中至少包含Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：池田成明，吉田清辉，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]