温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种Ⅲ－Ⅴ族氮化物系化合物半导体装置，尤其涉及一种在该半导体的ｎ型层上形成低接触电阻的电极的Ⅲ－Ⅴ族氮化物系化合物半导体装置，特别是ＧａＮ系半导体装置及其电极形成方法。为提供接触电阻率低的电极形成方法及具有此种电极的半导体装置，在...
该专利属于古河电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过古河电气工业株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。