半导体器件制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件制造方法，用于叠层晶体管的制造，基于多层Si材料层和多层SiGe材料层交替堆叠组成的叠层结构而形成鳍片，并通过选择性地去除其中的SiGe材料层、形成栅极堆栈，非常方便地形成了以多层Si材料层为沟道区域的叠层晶体管结构。本发明专利技术的形成的叠层晶体管结构，相比传统晶体管，具有更高的集成度，同时，由于采用了围栅结构，晶体管的性能也得以提高。另外，本发明专利技术的方法与常规CMOS集成电路工艺兼容性好，不需要对常规工艺进行重大改变即可实现。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体器件制造方法，用于制造叠层晶体管，其特征在于包括如下步骤：提供衬底；在所述衬底上形成由多层Si材料层和多层SiGe材料层交替堆叠组成的叠层结构；将所述叠层结构形成为鳍片，并且，形成包围所述鳍片的隔离结构；形成具有第一开口的第一硬掩模层，去除所述第一开口暴露出的所述多层SiGe材料层；经由所述第一开口，形成栅极堆栈，所述栅极堆栈围绕所述多层Si材料层；在所述第一硬掩膜层中形成第二开口，在所述第二开口的侧壁上形成间隙壁；经由所述第二开口，去除剩余的所述多层SiGe材料层，之后，经由所述第二开口，填充氧化物；自对准刻蚀形成接触孔；在所述接触孔中填充接触材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐唯佳，马小龙，殷华湘，周华杰，徐秋霞，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11