【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种MOS结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底并在半导体衬底上形成漂移区；在漂移区的表面依次形成栅极结构和阻挡层；通过光刻在栅极结构和阻挡层上打开源区注入窗；以栅极结构和阻挡层为掩膜，通过源区注入窗在漂移区内形成与其掺杂类型相反的体区，在体区内形成与漂移区掺杂类型相同的源区；在所述栅极结构的侧壁形成侧墙；以栅极结构上的阻挡层和侧墙为阻挡在源区内形成深度大于源区深度且小于体区深度的沟槽并在沟槽内进行离子注入，在体区内形成重掺的且与体区掺杂类型相同的体区引出；去除栅极结构上的阻挡层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：韩广涛，陆阳，黄必亮，周逊伟，
申请(专利权)人：杰华特微电子杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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