单层铝基板结构的MOS管调压器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种单层铝基板结构的MOS管调压器，包括设置在壳体内的单层铝基板，所述单层铝基板上设置有由MOS管、控制元件和集成芯片组成的集成电路，本实用新型专利技术单层铝基板结构的MOS管调压器通过将功率元件选用MOS管结构，将功率元件和控制元件贴装到同一块铝基板上，不仅减少了调压器的合板组装工艺，提高装配效益，而且减少人工焊接，提高产品的质量和合格率。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于调节电压或电流的
，具体是涉及一种用于摩托车或者电动车上的单层铝基板结构的MOS管调压器。
技术介绍
如图1和图2所示为现有的调压器的结构示意图，现有的安装在摩托车上的单相调压器或者三相调压器，通过插头4连接在摩托车和供用电器之间，由于安装位置以及变压器大小的局限，考虑到现有的功率元件散热问题，均采用双层电路板布置结构，其中功率元件焊接在铝基板上，功率元件主要是采用可控硅二极管5，用于电路控制的控制元件6焊接在PCB板3上，然后将铝基板2和PCB板3合在一起进行合板装配，合板焊接，然后组装在调压器机内，其工艺流程如图3所示，但是双层电路板结构的调压器存在以下缺陷：1、生产工艺过程较难控制；2、容易造成装配及焊接不良现象，影响调压器质量。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的在于提供一种单层铝基板结构的MOS管调压器，该单层铝基板结构的MOS管调压器通过将功率元件选用MOS管结构，将功率元件和控制元件贴装到同一块铝基板上，不仅减少了调压器的合板组装工艺，提高装配效益，而且减少人工焊接，提高产品的质量和合格率。为了达到上述目的，本技术一种单层铝基板结构的MOS管调压器，包括设置在壳体内的单层铝基板，所述单层铝基板上设置有由MOS管、控制元件和集成芯片组成的集成电路。进一步，所述集成芯片设置为MST2101。进一步，所述集成芯片上设置有电源端（VCC）、 接地端（GND）、 第一信号输入端（PH1）、第二信号输入端（PH2）、 第三信号输入端（PH3）、输出电压取样检测输入端（VSEM）、高压电压取样检测输入端（VCH）、低压电压取样检测输入端（VCL）、电源控制端（TD）、电压输出端（VREF）、蓄电池连接端（BAT）、正相激励输出端（DRV1）和反相激励输出端（DRV2）。进一步，所述MOS管包括MOS管I和MOS管II，所说MOS管I 和MOS管II的D端分别与磁电机的输出端连接，S端均与接地线连接， G端分别连接在集成芯片的正、反相激励输出端上。进一步，所述集成电路包括整流电路和控制电路，所述控制电路包括第一控制通道、第二控制通道、第三控制通道、输出电压检测电路、调整电压检测电路、电源控制电路和电源电路。本技术的有益效果在于：1、本技术单层铝基板结构的MOS管调压器通过将功率元件的可控硅选用MOS管结构，MOS管导通压降比可控硅小一个数量级，能够大幅度降低调压器的热负荷，一方面提高了调压器可靠性，另一方面大幅度减小调压器体积，减少资源消耗。2、本技术单层铝基板结构的MOS管调压器将功率元件、控制元件和集成芯片贴装到同一块铝基板上组成集成电路，工艺简单、成本低、可靠性高、抗干扰能力强，提高装配效益，并且减少人工焊接，降低焊接质量隐患；3、本技术单层铝基板结构的MOS管调压器去除合板，减少了调压器的合板组装工艺，提高工作效率，避免合板过程中出现的装配不良机焊接不良的现象，提高产品的质量和合格率。附图说明为了使本技术的目的、技术方案和有益效果更加清楚，本技术提供如下附图进行说明：图1为现有的SCR调压器的剖视图；图2为现有的SCR调压器的主视图；图3为现有的SCR调压器的加工工艺流程图；图4为本技术单层铝基板结构的MOS管调压器的加工工艺流程图；图5为本技术单层铝基板结构的MOS管调压器的剖视图；图6为本技术单层铝基板结构的MOS管调压器的主视图；图7为现有的SCR调压器的电路图；图8为本技术单层铝基板结构的MOS管调压器的电路图。    附图标记：1-壳体；2-铝基板；3-PCB板；4-插头；5-可控硅二极管；6-控制元件；7-MOS管；8-集成芯片。具体实施方式下面将结合附图，对本技术的优选实施例进行详细的描述。如图5所示为本技术单层铝基板结构的MOS管调压器的剖视图；如图6所示为本技术单层铝基板结构的MOS管调压器的主视图；本技术一种单层铝基板结构的MOS管调压器，包括设置在壳体1内的单层铝基板2，所述单层铝基板2上设置有由MOS管7、控制元件6和集成芯片8组成的集成电路，本技术通过将功率元件选用MOS管结构，将功率元件、控制元件和集成芯片贴装到同一块铝基板上组成集成电路，工艺简单、成本低、可靠性高、抗干扰能力强，提高装配效益，并且减少人工焊接，降低焊接质量隐患，不仅减少了调压器的合板组装工艺，提高装配效益，而且减少人工焊接，提高产品的质量和合格率。进一步，优选的所述集成芯片8设置为MST2101，优选的集成芯片8设置为MST21011448D。进一步，如图8所示为本技术单层铝基板结构的MOS管调压器的电路图，优选的所述集成芯片上设置有电源端（VCC）、 接地端（GND）、 第一信号输入端（PH1）、第二信号输入端（PH2）、 第三信号输入端（PH3）、输出电压取样检测输入端（VSEM）、高压电压取样检测输入端（VCH）、低压电压取样检测输入端（VCL）、电源控制端（TD）、电压输出端（VREF）、蓄电池连接端（BAT）、正相激励输出端（DRV1）和反相激励输出端（DRV2）。进一步，优选的所述MOS管包括MOS管I和MOS管II，所说MOS管I 和MOS管II的D端分别与磁电机的输出端连接，S端均与接地线连接， G端分别连接在集成芯片的正、反相激励输出端上。进一步，优选的所述集成电路包括整流电路和控制电路，所述控制电路包括第一控制通道、第二控制通道、第三控制通道、输出电压检测电路、调整电压检测电路、电源控制电路和电源电路。最后说明的是，以上优选实施例仅用以说明本技术的技术方案而非限制，尽管通过上述优选实施例已经对本技术进行了详细的描述，但本领域技术人员应当理解，可以在形式上和细节上对其作出各种各样的改变，而不偏离本技术权利要求书所限定的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单层铝基板结构的MOS管调压器，其特征在于：包括设置在壳体内的单层铝基板，所述单层铝基板上设置有由MOS管、控制元件和集成芯片组成的集成电路。

【技术特征摘要】
1.一种单层铝基板结构的MOS管调压器，其特征在于：包括设置在壳体内的单层铝基板，所述单层铝基板上设置有由MOS管、控制元件和集成芯片组成的集成电路。
2.根据权利要求1所述的一种单层铝基板结构的MOS管调压器，其特征在于：所述集成芯片设置为MST2101。
3.根据权利要求1或2所述的一种单层铝基板结构的MOS管调压器，其特征在于：所述集成芯片上设置有电源端（VCC）、 接地端（GND）、 第一信号输入端（PH1）、第二信号输入端（PH2）、 第三信号输入端（PH3）、输出电压取样检测输入端（VSEM）、高压电压取样检测输入端（VCH）、低压电压取样检测输入端（VCL）、电源控制端（...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭成美，宋宏均，李良波，
申请(专利权)人：重庆力华科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：重庆;85