【技术实现步骤摘要】
本专利技术为申请日为2012年06月21日,申请号为201210211779.2,专利技术名称为“单基板显示面板及其制造方法”的专利技术的分案申请。
本专利技术涉及液晶显示领域,特别是指一种单基板显示面板及其制造方法。
技术介绍
当前,液晶显示器已取代阴极射线管(CathodeRayTube,CRT)显示器,在各类信息显示设备中得到广泛的应用。现有的液晶显示面板一般包括薄膜晶体管阵列基板和彩膜基板两个基板,两个基板之间填充液晶材质,通过阵列基板控制液晶的偏转方向,进而使得其可以显示图像。由于现有的液晶显示面板均具有两个基板,使得液晶显示面板的重量和厚度都比较大,不能满足人们对于更轻薄的液晶显示器的需求。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种单基板显示面板及其制造方法,能够实现单基板显示,从而减小液晶显示面板的重量和厚度,简化液晶显示面板的制造工艺,降低成本,改善显示效果。为解决上述技术问题,本专利技术的实施例提供技术方案如下:本专利技术一方面提供一种单基板显示面板,包括:平行电场基板,及位于平行电场基板上方的显示介质层。进一步的,所述显示介质层包括液晶分子和基质,其中基质包裹对液晶分子形成液晶团。进一步的,所述液晶分子在无电场驱动不偏转形态下的常态折射率no与所述基质的折射率np相匹配;或者所述液晶分子在受到电场驱动而偏转形态下的非常态光折射率ne与所述基质的折射率 ...
【技术保护点】
一种单基板显示面板,其特征在于,包括:平行电场基板;位于平行电场基板上方的显示介质层,所述显示介质层包括液晶分子和基质,其中基质包裹对液晶分子形成液晶团,所述基质包括具有刚性结构的液晶性聚合物和支撑物,所述液晶分子在无电场驱动不偏转形态下的常态折射率no与所述基质的折射率np相匹配;或者所述液晶分子在受到电场驱动而偏转形态下的非常态光折射率ne与所述基质的折射率np相匹配;位于所述显示介质层上方的保护层;位于所述显示介质层一侧的偏振片,所述显示介质层中液晶分子的取向方向与所述偏振片的透过轴平行或垂直。
【技术特征摘要】
1.一种单基板显示面板,其特征在于,包括:
平行电场基板;
位于平行电场基板上方的显示介质层,所述显示介质层包括液晶分子和基
质,其中基质包裹对液晶分子形成液晶团,所述基质包括具有刚性结构的液晶
性聚合物和支撑物,所述液晶分子在无电场驱动不偏转形态下的常态折射率
no与所述基质的折射率np相匹配;或者所述液晶分子在受到电场驱动而偏转
形态下的非常态光折射率ne与所述基质的折射率np相匹配;
位于所述显示介质层上方的保护层;
位于所述显示介质层一侧的偏振片,所述显示介质层中液晶分子的取向方
向与所述偏振片的透过轴平行或垂直。
2.根据权利要求1所述的单基板显示面板,其特征在于,所述液晶性聚
合物在显示介质层中所占的重量百分比为1-5%。
3.根据权利要求1所述的单基板显示面板,其特征在于,所述支撑物在
显示介质层中所占的重量百分比为0.01-5%。
4.根据权利要求3所述的单基板显示面板,其特征在于,所述支撑物在
显示介质层中所占的重量百分比为0.1-1%。
5.根据权利要求1所述的单基板显示面板,其特征在于,所述基质还包
括有光引发材料或热引发材料。
6.根据权利要求5所述的单基板显示面板,其特征在于,所述光引发材
料或热引发材料在显示介质层中所占的重量百分比为0.01%-20%。
7.根据权利要求6所述的单基板显示面板,其特征在于,所述光引发材
料或热引发材料在显示介质层中所占的重量百分比为5-10%。
8.根据权利要求1所述的单基板显示面板,其特征在于,所述偏振片为
位于保护层上方的上偏振片。
9.根据权利要求1所述的单基板显示面板,其特征在于,所述偏振片为
位于显示介质层和保护层之间的上偏振片。
10.根据权利要求8或9所述的单基板显示面板,其特征在于,所述上
偏振片为防水绝氧的。
11.根据权利要求1所述的单基板显示面板,其特征在于,所述偏振片
为位于平行电场基板下方、上方或中间的下偏振片。
12.根据权利要求1所述的单基板显示面板,其特征在于,所述保护层为
保护胶,或为粘结剂及在粘接剂上贴附的保护膜。
13.根据权利要求1所述的单基板显示面板,其特征在于,所述单基板显
示面板还包括:
形成在平行电场基板下方、上方或中间的滤色层。
14.一种单基板显示面板的制造方法,其特征在于,包括:
提供平行电场基板;
在平行电场基板上方形成显示介质层,所述显示介质层包括液晶分子和基
质,其中基质包裹对液晶分子形成液晶团,所述基质包括具有刚性结构的液晶
性聚合物和支撑物,所述液晶分子在无电场驱动不偏转形态下的常态折射率
no与所述基质的折射率np相匹配;或者所述液晶分子在受到电场驱动而偏转
形态下的非常态光折射率ne与所述基质的折射率np相匹配;
在所述显示介质层...
【专利技术属性】
技术研发人员:王东升,董友梅,李文波,武延兵,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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