阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板技术

本发明专利技术提供一种阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板，所述阵列基板包括：基板；多晶硅薄膜，位于所述基板上，所述多晶硅薄膜包括多条沿第一方向延伸的第一边界；以及多个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括在所述多晶硅薄膜中形成的沟道，每个所述沟道在第二方向上的长度L＝NP，其中，N为大于0的整数，P为相邻所述第一边界的间隔，所述第二方向垂直于所述第一方向。本发明专利技术提供的阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板提高第一薄膜晶体管的晶化均一性，进而提高显示面板显示效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板。
技术介绍
现有的显示面板利用诸如薄膜晶体管(TFT，ThinFilmTransistor)的开关元件来对诸如OLED(OrganicLight-EmittingDiode)、LCD(LiquidCrystalDisplay)的发光单元进行控制。然而，显示面板中TFT元件的制备通常在基板上形成用作TFT元件的沟道的多晶硅薄膜，以使得TFT元件具有开关控制的效果。目前，多晶硅薄膜制备的主流技术为准分子激光退火技术(ELA，ExcimerLaserAnnealing)。准分子激光退火技术利用激光光束对非晶硅层进行扫描使得非晶硅层结晶成为多晶硅薄膜。然而，采用准分子激光退火技术时，多晶硅薄膜具有周期性晶化变化的特点，并在准分子激光退火技术的激光光束扫描方向上形成多条边界。具体参见图1，现有技术制备TFT元件时，通常未考虑多晶硅薄膜的周期性晶化变化的特点，例如，一些TFT的沟道133B不穿过边界131，一些TFT的沟道133A平行于边界并与边界部分重叠。这样的设置会导致TFT元件上的电流差异，并容易在点亮发光元件后形成水平或垂直线性云纹(Mura)。
技术实现思路
本专利技术为了克服上述现有技术存在的缺陷，提供一种阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板，其能够提高第一薄膜晶体管的晶化均一性。本专利技术提供一种阵列基板，包括：基板；多晶硅薄膜，位于所述基板上，所述多晶硅薄膜包括多条沿第一方向延伸的第一边界；以及多个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括在所述多晶硅薄膜中形成的沟道，每个所述沟道在第二方向上的长度L＝NP，其中，N为大于0的整数，P为相邻所述第一边界的间隔，所述第二方向垂直于所述第一方向。根据本专利技术的又一个方面，还提供一种显示面板，包括：上述的阵列基板；以及多个显示元件，位于所述阵列基板上。根据本专利技术的又一个方面，还提供一种显示装置，包括如上述的显示面板。根据本专利技术的另一个方面，还提供一种阵列基板的制造方法，包括：在基板上形成非晶硅层；采用多次准分子激光退火工艺，使得所述非晶硅层形成多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜包括沿第一方向延伸的多条第一边界；形成多个第一薄膜晶体管，其中，利用所述多晶硅薄膜形成多个所述第一薄膜晶体管的沟道，每个所述沟道在第二方向上的长度L＝NP，其中，N为大于0的整数，P为相邻第一边界之间的距离，所述第二方向垂直于所述第一方向。与现有技术相比，本专利技术通过使第一薄膜晶体管的沟道在第二方向上的长度L＝NP，各个沟道在第二方向上跨过相同数量的晶化变化的周期，使得每个第一薄膜晶体管上的晶化缺陷程度相等，提高第一薄膜晶体管的晶化均一性，进而提高第一薄膜晶体管的性能，改善显示面板由于第一薄膜晶体管性能差异所产生的水平或垂直线性云纹。附图说明通过参照附图详细描述其示例实施方式，本专利技术的上述和其它特征及优点将变得更加明显。图1示出了现有技术的阵列基板的示意图。图2至图4示出了采用准分子激光退火技术沿Y方向扫描所形成的多晶硅薄膜示意图。图5示出了采用准分子激光退火技术形成边界的原理图。图6示出了采用准分子激光退火技术沿X方向和Y方向扫描所形成的多晶硅薄膜示意图。图7示出了根据本专利技术实施例的阵列基板的示意图。图8示出了根据本专利技术实施例的沟道及现有技术沟道的示意图。图9示出了根据本专利技术另一种实施例的阵列基板示意图。图10示出了根据本专利技术实施例的阵列基板的截面图。图11示出了根据本专利技术实施例的阵列基板制作方法的流程图。图12示出了根据本专利技术实施例的显示面板的截面图。图13示出了根据本专利技术实施例的显示面板制作方法的流程图。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本专利技术将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本专利技术的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员应意识到，没有特定细节中的一个或更多，或者采用其它的方法、组元、材料等，也可以实践本专利技术的技术方案。在某些情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本发明。本专利技术的附图仅用于示意相对位置关系，附图中元件的大小并不代表实际大小的比例关系。首先，具体参见图2至图4，图2至图4示出采用准分子激光退火技术沿Y方向(第二方向)扫描所形成的多晶硅薄膜130示意图。由于准分子激光退火技术的准分子激光光束110具有一定形状，每次执行准分子激光退火工艺时，准分子激光光束110只能作用于非晶硅薄膜的部分区域，并且准分子激光退火技术的准分子激光光束110为矩形，准分子激光光束110的宽度(沿第一方向延伸)远大于长度(沿第二方向延伸)。因此，非晶硅薄膜实际在扫描时被划分为多个区域，每次执行准分子激光退火工艺时，准分子激光光束110扫描一个区域以形成第一结晶区域130A。第一结晶区域扫描完后，准分子激光光束110沿Y方向步进，继续扫描下个区域以形成第二结晶区域130B。每个结晶区域的形状的沿第一方向延伸的长度与准分子激光光束110的沿第一方向延伸的长度大约相同，每个结晶区域的形状的沿第二方向延伸的长度小于准分子激光光束110的沿第二方向延伸的长度。准分子激光光束110扫描完一个区域后步进的距离小于等于准分子激光光束110的长度(沿第二方向延伸)。依照这样的方式，扫描基板上的整个非晶硅薄膜形成的多个结晶区域，多个结晶区域构成多晶硅薄膜130。进一步地，参见图5，图5示出示出了采用准分子激光退火技术形成边界的原理图。根据图5，当利用准分子激光光束110扫描一区域的非晶硅薄膜时，由于准分子激光光束110边缘的能量小于阈值能量，进而在扫描非晶硅薄膜形成多晶硅薄膜130时，在准分子激光光束110的能量小于阈值能量的部分形成表示晶化缺陷区的边界131，同时在结晶区域内的晶粒(未示出)的大小、形状也会周期性晶化不均的问题。结合图5所示的准分子激光退火技术形成边界的原理，继续说明图2至图4所示的多晶硅薄膜130。由于每次执行准分子激光退工工艺时，在结晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；多晶硅薄膜，位于所述基板上，所述多晶硅薄膜包括多条沿第一方向延伸的第一边界；以及多个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括在所述多晶硅薄膜中形成的沟道，每个所述沟道在第二方向上的长度L＝NP，其中，N为大于0的整数，P为相邻所述第一边界的间隔，所述第二方向垂直于所述第一方向。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
多晶硅薄膜，位于所述基板上，所述多晶硅薄膜包括多条沿第一方向延
伸的第一边界；以及
多个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括在所述多晶硅薄膜中形
成的沟道，每个所述沟道在第二方向上的长度L＝NP，其中，N为大于0的
整数，P为相邻所述第一边界的间隔，所述第二方向垂直于所述第一方向。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每个所述沟道在所述第
二方向上的长度等于相邻所述第一边界之间的间隔。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多晶硅薄膜还包括
一条或多条沿第二方向延伸的第二边界，所述第二边界不穿过所述沟道。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，各所述沟道在所述第一
方向上的长度大约相等。
5.如权利要求1至4任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
多条栅极线；
多条数据线，与多条所述栅极线交叉绝缘；
多个像素区，由所述栅极线和所述数据线围成的区域限定；
像素元件，位于所述像素区内，一个所述像素区内包括一个所述像素元
件，所述像素元件的像素驱动电路至少包括驱动薄膜晶体管及开关薄膜晶体
管，所述第一薄膜晶体管至少包含所述驱动薄膜晶体管。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还
包括所述开关薄膜晶体管。
7.如权利要求1至4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述沟道为
直线型沟道、半圆形沟道、半椭圆形沟道、“S”型沟道、“V”型沟道、“N”
型沟道及“W”型沟道中的一种。
8.如权利要求1至4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述沟道为
直线型沟道，
所述直线型沟道的延伸方向平行于所述第二方向；或者
所述直线型沟道的延伸方向与所述第二方向成角度，所成角度大于0度
小于90度。
9.如权利要求1至4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一边
界是由准分子激光退火工艺形成的晶化缺陷区。
10.一种显示面板，其特征在于，包括：
如权利要求1至9任一项所述的阵列基板；以及
显示元件，位于所述阵列基板之上。
11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10所述的显示面板。
12.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成非晶硅层；
采用多...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖坚坚，范刘静，熊志勇，
申请(专利权)人：上海天马有机发光显示技术有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31