液晶显示设备、用于驱动该液晶显示设备的方法技术

液晶显示设备包括：包括供应有图像信号的多个像素的像素部分；包括选择性地控制信号线的信号线驱动电路和选择性地控制栅极线的栅极线驱动电路的驱动电路；存储图像信号的存储器电路；比较存储在像素中的存储器电路内的图像信号并检测差异的比较电路；以及根据该差异控制驱动电路并读取图像信号的显示控制电路。显示控制电路只将图像信号供应给检测到该差异的像素。像素包括薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括包含氧化物半导体的半导体层。

【技术实现步骤摘要】
本申请是申请日为2010年11月4日、申请号为“201080053977.X”、专利技术名称为“液晶显示设备、用于驱动该液晶显示设备的方法、以及包括该液晶显示设备的电子设备”的发明专利申请的分案申请。
本专利技术涉及液晶显示设备。此外，本专利技术涉及用于驱动液晶显示设备的方法。此外，本专利技术涉及包括液晶显示设备的电子设备。
技术介绍
如通常在液晶显示设备中看到的，在诸如玻璃基板之类的平板上形成的薄膜晶体管使用非晶硅或多晶硅来形成。虽然包含非晶硅的薄膜晶体管具有低场效应迁移率，但是它可在较大的玻璃基板上形成。相反，虽然包含多晶硅的薄膜晶体管具有高场效应迁移率，但是它需要诸如激光退火之类的结晶工艺，并且阈值电压变化较大，从而这种晶体管未必总是适合较大的玻璃基板。相反，薄膜晶体管使用氧化物半导体来形成且应用于电子设备或光学设备的技术已引起了关注。例如，专利文献1公开了通过将氧化锌或In-Ga-Zn-O基氧化物半导体用于氧化物半导体膜来形成薄膜晶体管、且将其用作液晶显示设备中的开本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设备，包括：一单元，被配置成使静止图像在像素部分中显示时的刷新速率与活动图像在所述像素部分中显示时的刷新速率相比有降低，其中，所述像素部分包括多个像素，每个像素包括晶体管，其沟道形成区包括氧化物半导体，以及其中，在显示一个静止图像期间的周期中图像信号的重写频率是n次，n大于或等于2且小于或等于103。

【技术特征摘要】
2009.11.30 JP 2009-272545;2009.12.08 JP 2009-279001.一种设备，包括：
一单元，被配置成使静止图像在像素部分中显示时的刷新速率与活动图像在所述像素
部分中显示时的刷新速率相比有降低，
其中，所述像素部分包括多个像素，每个像素包括晶体管，其沟道形成区包括氧化物半
导体，以及
其中，在显示一个静止图像期间的周期中图像信号的重写频率是n次，n大于或等于2且
小于或等于103。
2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述多个像素的每个像素包括液晶元件。
3.一种设备，包括：
一单元，被配置成当第一像素的显示在两个相邻帧周期之间变化时将图像信号输入到
所述第一像素且被配置成当第二像素的显示在所述两个相邻帧周期之间不变化时不将图
像信号输入到所述第二像素，
其中，所述第一像素和所述第二像素的每个像素包括晶体管，其沟道形成区包括氧化
物半导体，以及
其中，在显示一个静止图像期间的周期中图像信号的重写频率是n次，n大于或等于2且
小于或等于103。
4.如权利要求1或3所述的设备，其特征在于，所述氧化物半导体是基于In-Ga-Zn-O的
氧化物半导体。
5.如权利要求1或3所述的设备，其特征在于，
所述单元被配置成在10秒或更长时间进行静止图像显示而不重写图像信号。
6.如权利要求3所述的设备，其特征在于，所述第一像素和所述第二像素的每个像素包
括液晶元件。
7.如权利要求1或3所述的设备，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：小山润，山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP