【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体
,尤其涉及一种半导体封装治具,特别涉及一种晶圆片级芯片规模封装(WLCSP)植球治具
技术介绍
晶圆级芯片封装方式,此种最新技术是先在整片晶圆上进行封装和测试,然后才切割成一个个的IC颗粒,因此封装后的体积即等同IC裸晶的原尺寸,为实现芯片尺寸大小的封装,WLCSP工艺将传统封装的焊脚通过重布线层(RDL)再布线技术,从芯片边缘改动到了芯片整个平面,并使用焊锡凸点的方式进行表面组装技术(SMT)焊接。其中WLCSP焊锡凸点制造工艺植球工艺就是其中重要的凸点制造制程。目前市面上,传统的WLCSP植球设备来源均为进口,其中植球治具是一道技术瓶颈,国内诸多供应商都望而却步。目前进口设备使用的植球方式是利用圆形毛刷将焊球进行包裹并旋转刷球,再通过电机控制完成S型植球过程,该方式可以达到较高的良率水平,但植球速度缺一般较慢。本专利技术为WLCSP植球提供了一种新型的植球治具,该治具不仅可以实现较高的植球良率,还能提高植球速度。
技术实现思路
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,本技术提供一种半导体封装治具,包括:治具框架,所述治具框架设置有若干个植球盒,所述植球盒设置有储球腔体和在所述储球腔体底部设置的至少一排植球孔洞,待植焊球能够通过所述植球孔洞排出所述储球腔体外。与现有技术相比,本技术的有益效果是:在植球过程中通过使用本技术提供的半导体封装治具,可以采取直线移动单次植 ...
【技术保护点】
一种半导体封装治具,其特征在于,包括:治具框架,所述治具框架设置有若干个植球盒,所述植球盒设置有储球腔体和在所述储球腔体底部设置的至少一排植球孔洞,待植焊球能够通过所述植球孔洞排出所述储球腔体外。
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装治具,其特征在于,包括:治具框架,所述治
具框架设置有若干个植球盒,所述植球盒设置有储球腔体和在所述储
球腔体底部设置的至少一排植球孔洞,待植焊球能够通过所述植球孔
洞排出所述储球腔体外。
2.根据权利要求1所述的半导体封装治具,其特征在于,所述储
球腔体为长方形腔体,所述长方形腔体长度大于待植球晶圆的直径。
3.根据权利要求1所述的半导体封装治具,其特征在于,在所述
治具框架上还设置有若干刮刀装置,所述刮刀装置包括插刀槽和刮刀
片,所述插刀槽设置在所述植球盒沿植球方向外侧,所述刮刀片插入
所述插刀槽中且刮刀片的最底端超出所述植球盒植球孔洞最底端。
4.根据权利要求3所述的半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员:钱泳亮,
申请(专利权)人:南通富士通微电子股份有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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