半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置及半导体装置的制造方法，提高半导体装置的可靠性。半导体装置的制造方法具有以下工序：在相邻的两个密封体(21)间，放入具有与相邻的密封体(21)的间隔大致相等的宽度的夹具(25)，从与引线框架(1)的外框(2)相连的基片悬吊引线支撑部(6)切断基片悬吊引线(4)。并且，虽然在基片悬吊引线(4)中形成有切口(5)，但该切口(5)配置在与密封体(21)的边(21Y)交叉的位置，在切断基片悬吊引线(4)的工序中，基片悬吊引线(4)在切口(5)的部分被切断。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置及半导体装置的制造方法，例如，应用于使用了引线框架的树脂密封型半导体装置而有效的技术。
技术介绍
在日本特开平5-315525号公报(专利文献1)中，公开了如下构造：为了易于逃脱吸湿水分，较宽地确保模型外周线7的悬吊引线5的宽度的同时，为了防止发生切断基片悬吊引线5时的应力所引起的树脂剥离或破裂，在模型外周线7的外侧，在基片悬吊引线5中设置了贯通孔6。此外，在日本专利第2536184号公报(专利文献2)中，公开了如下技术：通过悬吊引线13和可拆式辅助悬吊引线110而维持支撑强度的同时，解除在悬吊引线13切断工序中的树脂损害。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平5-315525号公报专利文献2：日本专利第2536184号公报
技术实现思路
本申请专利技术人正在研究在SOP(小外形封装(SmallOutlinePackage))、SSOP(缩小外形封装(ShrinkSmallOutlinePackage))等的小型封装中安装的半导体装置。为了削减成本，这样的小型封装使用各个半导体装置形成区域以矩阵状配置有多个的引线框架而制造。并且，为了增加引线框架内的半导体装置的取得数，在半导体芯片的树脂密封工序中，使用“直通模型(Throughmold)方式”。但是，由于将使用“直通模型方式”而密封了半导体芯片的密封体靠近配置，所以在将多个密封体进行单片化时的基片悬吊引线切断工序<br>中，无法使用将管芯与基片悬吊引线的一个面接触、将冲头与另一面接触而切断基片悬吊引线的方法。即，在相邻的密封体间没有放入冲头和管芯的双方的空间。因此，在本专利技术人正在研究的半导体装置中，在切断基片悬吊引线的工序中，实施称为“摁着切”的方法。即，是在基片悬吊引线的一侧支撑密封体，从另一侧通过冲头(夹具)而切断基片悬吊引线的方法。但是，在该方法中，已知由于对密封体施加切断基片悬吊引线时的应力，在基片悬吊引线和密封体的界面上在密封体中产生破裂，半导体装置的可靠性降低。即，通过本专利技术人的研究而判明了如下情况：通过从破裂部分侵入水分等，产生在密封体内的半导体芯片中形成的布线等腐蚀而导致半导体装置误动作的问题。其它的课题和新的特征应通过本说明书的描述以及附图而变得明白。作为一实施方式的半导体装置的制造方法具有以下工序：在相邻的两个密封体间，放入具有与相邻的密封体的间隔大致相等的宽度的夹具，从与引线框架的外框相连的基片悬吊引线支撑部切断基片悬吊引线。并且，虽然在基片悬吊引线中形成有切口，但该切口配置在与密封体的边交叉的位置，在切断基片悬吊引线的工序中，基片悬吊引线在切口部分被切断。根据上述一实施方式，能够提高半导体装置的可靠性。附图说明图1是表示作为一实施方式的半导体装置的制造工序的工艺流程图。图2是一实施方式的半导体装置的制造工序中的俯视图。图3是接着图2的半导体装置的制造工序中的俯视图。图4是在一实施方式的半导体装置的制造工序中使用的树脂密封模具的俯视图。图5是接着图3的半导体装置的制造工序中的俯视图。图6是接着图5的半导体装置的制造工序中的俯视图。图7是接着图6的半导体装置的制造工序中的俯视图。图8是接着图6的半导体装置的制造工序中的剖视图。图9(a)是接着图7的半导体装置的制造工序中的剖视图。图9(b)是接着图7的半导体装置的制造工序中的侧视图。图10是变形例1的半导体装置的制造工序中的俯视图。图11(a)是变形例2的半导体装置的制造工序中的俯视图。图11(b)是变形例2的半导体装置的制造工序中的剖视图。图12(a)是变形例3的半导体装置的制造工序中的俯视图。图12(b)是变形例3的半导体装置的制造工序中的剖视图。具体实施方式(本申请中的记载方式/基本用语/用法的说明)在本申请中，实施方式的记载根据需要，为方便而分为多个部分等而记载，但除了特别明示并非如此的情况之外，它们并不是相互独立的分体，无论记载的前后，是单一例的各部分、一方为另一方的一部分详细或者一部分或者全部的变形例等。此外，原则上，同样的部分省略重复的说明。此外，实施方式中的各构成元素除了在特别明示并非如此的情况、理论上被限定于其数目的情况以及从上下文明确并非如此的情况之外，也不是必须的。同样在实施方式等的记载中，关于材料、组成等，即使是“由A构成的X”等，除了在特别明示并非如此的情况以及从上下文明确并非如此的情况之外，并不排除包括A以外的元素。例如，关于成分而言，是“将A作为主要的成分而包含的X”等的含义。例如，即使是“硅构件”等，也并不限定于纯粹的硅，理所当然还包括SiGe(硅锗)合金或其它将硅作为主要的成分的多合金、包括其它的添加物等的构件。此外，即使是镀金、Cu层、镀镍等，除了特别明示并非如此的情况之外，设为除了纯粹的之外，分别包括将金、Cu、镍等作为主要的成分的构件。进一步，在涉及到特定的数值、数量时，在特别明示并非如此的情况、理论上被限定为该数目的情况以及从上下文明确并非如此的情况之外，既可以是超过该特定的数值的数值，也可以是小于该特定的数值的数值。此外，在实施方式的各图中，相同或者同样的部分由相同或者相似的标记或者参照号表示，原则上不重复说明。此外，在附图中，反而会变得麻烦的情况下或者与空隙的区别明确的情况下，即使是剖面，也存在省略影线等的情况。与此相关，在通过说明等而清楚的情况下等，即使是俯视时关闭的孔，也存在省略背景的轮廓线的情况。进一步，即使不是剖面，为了明示不是空隙或者明示区域的边界，有时会附加影线或圆点图案。(实施方式)〈半导体装置的制造方法〉关于本实施方式的半导体装置(半导体集成电路装置)的制造方法，使用图1至图9进行说明。图1是表示本实施方式的半导体装置的制造工序的工艺流程图。图2至图9是本实施方式的半导体装置的制造工序中的俯视图或者剖视图。在俯视图中，将纸面的横向作为X方向、将纵向作为Y方向来进行说明。X方向和Y方向是相互正交的方向。图2表示在图1所示的工艺流程图的“引线框架以及半导体芯片的准备”工序(S1)中的、引线框架1的准备工序。引线框架1具有在X方向以及Y方向上以矩阵状配置的多个单位半导体装置形成区域UT。例如，单位半导体装置形成区域UT沿X方向配置有36行、沿Y方向配置有7列，在引线框架1中，配置有252个单位半导体装置形成区域UT。在图2中，表示构成1个组的3个单位半导体装置形成区域UT。即，在引线框架1的X方向上，配置有1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括：基片，具有第一边、与所述第一边相反侧的第二边、与所述第一边及所述第二边交叉的第三边以及与所述第三边相反侧的第四边；第一基片悬吊引线，仅在所述基片的所述第一边连接有1条；第二基片悬吊引线，仅在所述基片的所述第二边连接有1条；多个引线，配置在所述基片的周边；半导体芯片，搭载在所述基片上，且具有形成有多个焊盘的主面；多个金属线，连接所述多个焊盘和所述多个引线；以及密封体，通过树脂将所述基片、所述第一基片悬吊引线及所述第二基片悬吊引线的一部分、所述多个引线各自的一部分、所述半导体芯片以及所述多个金属线密封，所述密封体包括与所述基片的所述第一边相对的第一侧面、与所述基片的所述第二边相对的第二侧面、与所述基片的所述第三边相对的第三侧面以及与所述基片的所述第四边相对的第四侧面，所述第一基片悬吊引线的一端连接到所述基片的所述第一边，所述第一基片悬吊引线的另一端在所述密封体的所述第一侧面露出，所述第二基片悬吊引线的一端连接到所述基片的所述第二边，所述第二基片悬吊引线的另一端在所述密封体的所述第二侧面露出，所述第一基片悬吊引线的另一端的第一露出部在侧视时，相比所述密封体的所述第三侧面，配置在所述密封体的所述第四侧面的附近，所述第二基片悬吊引线的另一端的第二露出部在侧视时，相比所述密封体的所述第四侧面，配置在所述密封体的所述第三侧面的附近。...

【技术特征摘要】
2014.12.26 JP 2014-2651841.一种半导体装置，其特征在于，包括：
基片，具有第一边、与所述第一边相反侧的第二边、与所述第一边及所述第二边交叉的
第三边以及与所述第三边相反侧的第四边；
第一基片悬吊引线，仅在所述基片的所述第一边连接有1条；
第二基片悬吊引线，仅在所述基片的所述第二边连接有1条；
多个引线，配置在所述基片的周边；
半导体芯片，搭载在所述基片上，且具有形成有多个焊盘的主面；
多个金属线，连接所述多个焊盘和所述多个引线；以及
密封体，通过树脂将所述基片、所述第一基片悬吊引线及所述第二基片悬吊引线的一
部分、所述多个引线各自的一部分、所述半导体芯片以及所述多个金属线密封，
所述密封体包括与所述基片的所述第一边相对的第一侧面、与所述基片的所述第二边
相对的第二侧面、与所述基片的所述第三边相对的第三侧面以及与所述基片的所述第四边
相对的第四侧面，
所述第一基片悬吊引线的一端连接到所述基片的所述第一边，
所述第一基片悬吊引线的另一端在所述密封体的所述第一侧面露出，
所述第二基片悬吊引线的一端连接到所述基片的所述第二边，
所述第二基片悬吊引线的另一端在所述密封体的所述第二侧面露出，
所述第一基片悬吊引线的另一端的第一露出部在侧视时，相比所述密封体的所述第三
侧面，配置在所述密封体的所述第四侧面的附近，
所述第二基片悬吊引线的另一端的第二露出部在侧视时，相比所述密封体的所述第四
侧面，配置在所述密封体的所述第三侧面的附近。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述密封体内的所述第一基片悬吊引线的宽度在所述基片的所述第一边的延伸方向
上比所述第一露出部的宽度大。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，
所述密封体内的所述第二基片悬吊引线的宽度在所述基片的所述第二边的延伸方向
上比所述第二露出部的宽度大。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第一基片悬吊引线的另一端在所述第一边的延伸方向上的宽度在俯视时在从所
述基片的所述第一边朝向所述密封体的所述第一侧面的方向上减小，
所述第二基片悬吊引线的另一端在所述第二边的延伸方向上的宽度在俯视时在从所
述基片的所述第二边朝向所述密封体的所述第二侧面的方向上减小。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第一基片悬吊引线在俯视时在与所述第三侧面相对的长边形成有与所述第一侧
面相接的第一切口部，
所述第二基片悬吊引线在俯视时在与所述第四边相对的长边具有与所述第二侧面相
接的第二切口部。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述多个引线包括第一引线和第二引线，
所述第一引线与所述基片的第三边相对地配置，
所述第二引线与所述基片的第四边相对地设置，
所述半导体芯片的所述多个焊盘包括第一焊盘和第二焊盘，
所述第一焊盘与所述第一引线相对地配置，
所述第二焊盘与所述第二引线相对地配置，
所述多个金属线包括第一金属线和第二金属线，
所述第一引线和所述第一焊盘经由所述第一金属线连接，
所述第二引线和所述第二焊盘经由所述第二金属线连接。
7.如权利要求6所述的半导体装置，其中，
未配置与所述基片的所述第三边相对的引线，
未配置与所述基片的所述第四边相对的引线。
8.一种半导体装置，其特征在于，包括：
基片，具有第一边、与所述第一边相反侧的第二边、与所述第一边及所述第二边交叉的
第三边以及与所述第三边相反侧的第四边；
第一基片悬吊引线，仅在所述基片的所述第一边连接有1条；
第二基片悬吊引线，仅在所述基片的所述第二边连接有1条；
多个引线，配置在所述基片的周边；
半导体芯片，搭载在所述基片上，且具有形成有多个焊盘的主面；
多个金属线，连接所述多个焊盘和所述多个引线；以及
密封体，通过树脂将所述基片、所述第一基片悬吊引线及所述第二基片悬吊引线的一
部分、所述多个引线各自的一部分、所述半导体芯片以及所述多个金属线密封，
所述密封体包括与所述基片的所述第一边相对的第一侧面、与所述基片的所述第二边
相对的第二侧面、与所述基片的所述第三边相对的第三侧面以及与所述基片的所述第四边
相对的第四侧面，
所述第一基片悬吊引线的一端连接到所述基片的所述第一边，
所述第一基片悬吊引线的另一端在所述密封体的所述第一侧面露出，
所述第二基片悬吊引线的一端连接到所述基片的所述第二边，
所述第二基片悬吊引线的另一端在所述密封体的所述第二侧面露出，
所述第一基片悬吊引线具有在俯视时与所述第三侧面相对的第五边以及与所述第四
侧面相对的第六边，所述第五边在与所述第一侧面的边界具有第一切口部，所述第六边直
线地延伸至所述第一侧面，
所述第二基片悬吊引线具有在俯视时与所述第四侧面相对的第七边以及与所述第三
侧面相对的第八边，所述第七边在与所述第二侧面的边界具有第二切口部，所述第八边直
线地延伸至所述第二侧面。
9.如权利要求8所述的半导体装置，其中，
所述多个引线包括第一引线和第二引线，
所述第一引线与所述基片的第三边相对地配置，
所述第二引线与所述基片的第四边相对地设置，
所述半导体芯片的所述多个焊盘包括第一焊盘和第二焊盘，
所述第一焊盘与所述第一引线相对地配置，
所述第二焊盘与所述第二引线相对地配置，
所述多个金属线包括第一金属线和第二金属线，
所述第一引线和所述第一焊盘经由所述第一金属线连接，
所述第二引线和所述第二焊盘经由所述第二金属线连接。
10.如权利要求9所述的半导体装置，其中，
未配置与所述基片的所述第三边相对的引线，
未配置与所述基片的所述第四边相对的引线。
11.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：
工序(a)，准备引线框架，该引线框架具有沿第一方向延伸的外框、沿与所述第一方向
正交的第二方向延伸且连接到所述外框的基片悬吊引线支撑部、在所述第一方向上从所述
...

【专利技术属性】
技术研发人员：重松亮一，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP