阵列基板、包含其的显示面板和显示装置制造方法及图纸

技术编号:13290804 阅读:36 留言:0更新日期:2016-07-09 09:19
本申请公开了一种阵列基板、包含其的显示面板和显示装置。其中,阵列基板包括衬底基板,设置于衬底基板之上的多个像素单元,以及设置在像素单元内的第一电极、第二电极;其中,第一电极设置于第二电极之上;第一电极包括一个沿第一方向延伸的条状的第一开口区,第一开口区包括第一端和第二端;像素单元的透光区向衬底基板所在平面的正投影覆盖第一端和第二端之间的部分第一开口区;像素单元的非透光区向衬底基板所在平面的正投影覆盖第一端和第二端向衬底基板所在平面的正投影。这样,使得形成的电场中,引起液晶分子无序扭转的电场分量位于像素单元的非透光区,从而改善了像素单元透光区的拖尾现象。

【技术实现步骤摘要】

本公开一般涉及显示技术,尤其涉及阵列基板、包含其的显示面板和显示装置
技术介绍
液晶显示面板通常包括阵列基板、与阵列基板相对设置的彩膜基板以及形成在阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。阵列基板包含呈阵列排布的多个像素区域,而各像素区域中均形成有像素电极和公共电极。通过向像素电极和公共电极施加不同的电压,可以使液晶层中的液晶分子产生相应的旋转,从而使显示面板显示预定的画面。在现有技术的一些液晶显示面板中,公共电极设置在像素电极之上。如图1所示,公共电极100可以具有条状开口110。当在像素电极和公共电极100上施加不同的电压时,公共电极100通过条状开口110与像素电极之间产生平行于阵列基板所在平面的电场,例如,如图2所示的平行于x轴方向的电场Ex。液晶分子在上述电场的作用下扭转一定角度θ。然而,如图1所示,由于在像素透光区12端部附近也即条状开口的两端111和112处,像素电极和公共电极100之间产生的电场可以分解为如图2所示沿x轴的分量Ex和沿y轴的分量Ey。由于各处像素电极和公共电极100之间的距离、结构等细节不同,在端部的不同区域,Ex和Ey的分量大小也不同,导致各处合成电场紊乱,液晶分子旋转无序。同时,当向液晶显示面板上施加外力时,像素透光区12端部附近也即条状开口的两端111和112处的液晶分子将在外力作用下偏转,从而使得该位置形成暗色畴线,并且在外力撤销后的较长一段时间内难以消失,使得液晶显示面板的拖尾现象严重,影响显示效果。
技术实现思路
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种阵列基板、包含其的显示面板和显示装置,以解决
技术介绍
中所述的至少部分技术问题。第一方面,本申请提供了一种阵列基板,包括衬底基板,设置于所述衬底基板之上的多个像素单元,以及设置在所述像素单元内的第一电极、第二电极;其中,所述第一电极设置于所述第二电极之上;所述第一电极包括一个沿第一方向延伸的条状的第一开口区,所述第一开口区包括第一端和第二端;所述像素单元的透光区向所述衬底基板所在平面的正投影覆盖所述第一端和所述第二端之间的部分第一开口区;所述像素单元的非透光区向所述衬底基板所在平面的正投影覆盖所述第一端和所述第二端向所述衬底基板所在平面的正投影。第二方面,本申请还提供了一种显示面板,包括如上所述的阵列基板、与所述阵列基板相对设置的彩膜基板以及设置在所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层。第三方面,本申请还提供了一种显示装置,包括如上所述的显示面板。本申请的方案,通过将阵列基板中第一电极的第一开口区的两端部设置于像素单元的非透光区,同时两端部之间的第一开口区部分设置于像素单元的透光区,使得第一电极通过其上的第一开口区与第二电极形成的电场中,引起液晶分子旋转无序的电场分量处于非透光区,从而改善了像素单元透光区的拖尾现象。此外,采用本申请的方案后,因外力作用产生的拖尾现象在外力消失后可以较快地恢复,进而提升显示效果。附图说明通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:图1示出了一种现有的公共电极的示意性结构图;图2示出了采用图1所示公共电极时,液晶分子在像素电极和公共电极之间形成的电场作用下扭转的示意图;图3A示出了一个实施例的第一电极的示意性结构图;图3B示出了图3A中的第一开口区向衬底基板的正投影与像素单元的透光区及非透光区向衬底基板的正投影的示意性位置关系;图4示出了图3A中第一开口区的宽度与像素单元的穿透率及工作电压的关系示意图;图5A示出了第二电极的一种结构示意图;图5B示出了图3A所示第一电极及其第一开口区向衬底基板的正投影与图5A所示第二电极的第一支电极向衬底基板的正投影的位置关系;图5C示出了第二电极的另一种结构示意图;图5D示出了图3A所示第一电极及其第一开口区向衬底基板的正投影与图5C所示第二电极的第一支电极向衬底基板的正投影的相对位置关系;图6A示出了又一个实施例的第一电极的示意性结构图。图6B示出了图6A中的第一开口区、第二开口区和第三开口区向衬底基板的正投影与像素单元的透光区及非透光区向衬底基板的正投影的示意性位置关系;图6C示出了第二电极的又一种结构示意图;图6D示出了图6C所示的第二电极的第二支电极和第三支电极分别向衬底基板的正投影与图6A所示第一电极的第二开口区和第三开口区分别向衬底基板正投影的相对位置关系;图6E示出了第二电极的又一种结构示意图;图6F示出了图6A所示第一电极及其第二开口区及第三开口区向衬底基板的正投影与图6E所示的第二电极的第二支电极及第三支电极向衬底基板的正投影的相对位置关系;图7示出了又一个实施例的第一电极在阵列基板上阵列排布。具体实施方式下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关专利技术,而非对该发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与专利技术相关的部分。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。参见图3A所示,为本申请的阵列基板中,一个实施例的第一电极的示意性结构图。在本实施例中,阵列基板包括衬底基板、设置在衬底基板上交叉排布的多条扫描线及多条数据线、由任意相邻两条扫描线和任意相邻两条数据线形成的像素单元。在像素单元中包括在数据线与扫描线交叉处设置的薄膜晶体管、和薄膜晶体管的漏极/源极连接的第二电极以及设置在第二电极之上的第一电极。其中,任意一个像素单元包括透光区以及非透光区。在本实施例中,扫描线延伸方向例如可以为平行于x轴的方向,数据线延伸方向例如可以为平行于y轴的方向。在本实施例中,第一电极为公共电极,第二电极为像素电极。如图3A所示,第一电极31包括一个条状的沿第一方向33延伸的第一开口区310。第一开口区310包括两个端部,分别为第一端311和第二端312。另外,在图3A中用虚线标出了像素单元的透光区321。第一开口区310与像素单元的透光区321及非透光区的位置关系可以详见图3B。如图3B所示,其示出了图3A中的第一开口区向衬底基板的正投影与像素单元的透光区及非透光区向衬底基板的正投影的示意性位置关本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种阵列基板,所述阵列基板包括衬底基板,设置于所述衬底基板之上的多个像素单元,以及设置在所述像素单元内的第一电极、第二电极;其中,所述第一电极设置于所述第二电极之上;所述第一电极包括一个沿第一方向延伸的条状的第一开口区,所述第一开口区包括第一端和第二端;所述像素单元的透光区向所述衬底基板所在平面的正投影覆盖所述第一端和所述第二端之间的部分第一开口区;所述像素单元的非透光区向所述衬底基板所在平面的正投影覆盖所述第一端和所述第二端向所述衬底基板所在平面的正投影。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,所述阵列基板包括衬底基板,设置于所述衬底
基板之上的多个像素单元,以及设置在所述像素单元内的第一电极、
第二电极;其中,
所述第一电极设置于所述第二电极之上;
所述第一电极包括一个沿第一方向延伸的条状的第一开口区,所
述第一开口区包括第一端和第二端;
所述像素单元的透光区向所述衬底基板所在平面的正投影覆盖所
述第一端和所述第二端之间的部分第一开口区;
所述像素单元的非透光区向所述衬底基板所在平面的正投影覆盖
所述第一端和所述第二端向所述衬底基板所在平面的正投影。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述条状第一
开口区的宽度大于等于1.5μm,小于等于4.5μm。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述条状第一
开口区的宽度大于等于3μm,且小于等于4μm。
4.根据权利要1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还
包括交叉排布的扫描线和数据线,所述第一方向与所述扫描线延伸方
向的夹角α满足:75°≤α≤86°。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的阵列基板,其特征在于,所
述第一电极为公共电极,所述第二电极为像素电极。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第二电极
包括第一支电极;
所述第一支电极向所述衬底基板所在平面的正投影至少覆盖所述
第一开口区向所述衬底基板所在平面的正投影。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于:
所述第一支电极向所述衬底基板所在平面的正投影与所述第一开
口区向所述衬底基板所在平面的正投影重合。
8.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板
还包括薄膜晶体管阵列层,所述薄膜晶体管阵列层包括对应于所述像
素单元的多个薄膜晶体管;
所述薄膜晶体管包括漏极,所述漏极与所述第二电极电连接,且
所述漏极与所述第二电极电连接的部分向所述衬底基板的正投影至少
部分覆盖所述第一开口区的所述第二端向所述衬底基板的正投影。
9.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,
所述第一电极还包括与所述第一端连通的条状第二开口区和与所
述第二端连通的条状第三开口区;
其中,
所述第二开口区和所述第三开...

【专利技术属性】
技术研发人员:马扬昭沈柏平吴玲
申请(专利权)人:厦门天马微电子有限公司天马微电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:福建;35

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