本发明专利技术提供一种附载体铜箔的制造方法，其包含下述加热处理步骤：对依序具备载体、中间层、极薄铜层、包含硅烷偶合处理层的表面处理层的附载体铜箔，进行1小时～8小时的加热温度为100℃～220℃的加热处理，或1小时～6小时的加热温度为100℃～220℃的加热处理，或2小时～4小时的加热温度为160℃～220℃的加热处理。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术设及一种附载体铜锥的制造方法、覆铜积层板的制造方法、印刷配线板的 审雌方法、及电子机器的制造方法、附载体铜锥、积层体、印刷配线板W及电子机器。
技术介绍
印刷配线板通常经下述步骤而制造：在使绝缘基板与铜锥接着而制成覆铜积层板 之后，通过蚀刻而在铜锥面形成导体图案。随着近年来电子机器的小型化、高性能化需求的 增大而推展搭载零件的高密度构装化或信号的高频化，从而对印刷配线板要求有导体图案 的细微化（窄间距化）或高频应对等。 与窄间距化相对应，近来要求厚度在9ymW下、甚至是厚度在5ymW下的铜锥， 然而，运种极薄的铜锥其机械强度低，在印刷配线板的制造时易破裂或产生皱折，因此发展 出将具有厚度的金属锥用作为载体并隔着剥离层将极薄铜层电沉积在其上而成的附载体 铜锥。在将极薄铜层的表面贴合于绝缘基板并进行热压接后，经由剥离层将载体剥离去除。 在所露出的极薄铜层上通过抗蚀剂而形成电路图案后，利用硫酸一过氧化氨系蚀刻液来蚀 刻去除极薄铜层，通过此手法（MSAP,Modified-Semi-Additive-Process)来形成细 微电路。 此处，对于成为与树脂的接着面的附载体铜锥的极薄铜层的表面主要要求极薄铜 层与树脂基材的剥离强度充足，且此剥离强度在高溫加热、湿式处理、焊接、化学药剂处理 等之后也保持为充足。提高极薄铜层与树脂基材间的剥离强度的方法，一般而言是W下述 方法为代表：使大量的粗化粒子附着于表面的轮廓（凹凸、粗糖）增大后的极薄铜层上。 然而，即便是在印刷配线板中，若在具有形成特别细微的电路图案的需要的半导 体封装基板使用运种轮廓（凹凸、粗糖）大的极薄铜层，则在电路蚀刻时会残留不需要的铜 粒子，会产生电路图案间的绝缘不良等问题。 因此，在W02004/005588号（专利文献1)中尝试了使用未在极薄铜层的表面施加 粗化处理的附载体铜锥作为W半导体封装基板为首的用于细微电路的附载体铜锥。由于 其低轮廓（凹凸、粗糖度、粗糖）的影响，运种未施加粗化处理的极薄铜层与树脂的密合性 (剥离强度）与一般的印刷配线板用铜锥相比，有降低的倾向。因此，要求对附载体铜锥作 进一步的改善。 因此，在日本特开2007-007937号公报（专利文献2)及日本特开2010 -006071 号公报（专利文献3)中，记载有在附载体极薄铜锥的与聚酷亚胺系树脂基板接触（接着） 的面，设置Ni层或/及Ni合金层、设置铭酸盐层、设置化层或/及化合金层、设置Ni层 及铭酸盐层、设置Ni层及化层。通过设置该等表面处理层，聚酷亚胺系树脂基板与附载体 极薄铜锥的密合强度可不经粗化处理或是降低粗化处理的程度（细微化）即可得到所欲的 接着强度。此外，也记载有利用硅烷偶合剂来进行表面处理或施加防诱处理。 W02004/005588 号 日本特开2007 - 007937号公报 日本特开2010 - 006071号公报。
技术实现思路
在附载体铜锥的开发中，至今为止确保极薄铜层与树脂基材的剥离强度一直被视 为重点。因此，仍未对极薄铜层的电路形成性进行充分探讨，其仍有改善的空间。 对极薄铜层形成电路，通常是W下述方式进行：在将极薄铜层积层在树脂基材后 去除载体，然后，在在极薄铜层上设置有特定图案的光阻的状态下，利用特定的蚀刻液进行 蚀刻处理，去除未被光阻覆盖的部分的铜层。之后，通过去除光阻，制作具有所欲的导体图 案的电路。 此处，在利用特定的蚀刻液进行蚀刻处理时，若极薄铜层的与树脂基材的界面附 近部分对于蚀刻液的润湿性差，则蚀刻液的润湿范围不足。在此情形，与树脂基材的界面附 近部分会产生蚀刻不均匀的部分，电路直线性变得不良。本专利技术提供对于极薄铜层的电路 形成性良好的附载体铜锥的制造方法。又，提供蚀刻液的润湿性良好的附载体铜锥。 W上述见解为基础所完成的本专利技术在一方面中，是一种附载体铜锥的制造方法， 其包含下述加热处理步骤：对依序具备载体、中间层、极薄铜层、包含硅烷偶合处理层的表 面处理层的附载体铜锥，进行1小时~8小时的加热溫度为100°C~220°C的加热处理，或 1小时~6小时的加热溫度为100°C~220°C的加热处理，或2小时~4小时的加热溫度为 160°C~220°C的加热处理。 本专利技术在另一个方面中，是一种附载体铜锥的制造方法，其包含下述加热处理步 骤：对依序具备载体、中间层、极薄铜层、表面处理层的附载体铜锥，将到达加热溫度为止的 升溫速度设为超过50°c/小时，进行1小时~8小时的加热溫度为100°C~220°C的加热处 理，或1小时~6小时的加热溫度为100°C~220°C的加热处理，或2小时~4小时的加热 溫度为160°C~220°C的加热处理。 本专利技术的附载体铜锥的制造方法在一实施方案中，上述加热处理中的上述升溫速 度为200°C/小时W下。 本专利技术的附载体铜锥的制造方法在另一实施方案中，上述加热处理步骤后在常溫 下所测得的载体的拉伸强度为300MPaW上。 本专利技术的附载体铜锥的制造方法在再另一实施方案中，在上述加热处理步骤中， 是在非活性气体环境下进行加热处理。 本专利技术的附载体铜锥的制造方法在再另一实施方案中，在上述加热处理步骤中， 在将附载体铜锥卷入至金属制的中空管中的状态下进行加热处理。 本专利技术的附载体铜锥的制造方法在再另一实施方案中，在上述加热处理步骤中， 将把附载体铜锥卷入至金属制的中空管中时的张力设为5~IOOk奸/m或20~IOOk奸/m 从而进行加热处理。 本专利技术的附载体铜锥的制造方法在再另一实施方案中，在上述加热处理步骤中， 在将附载体铜锥卷入至金属制的中空管中的状态下，一边W0.01~600旋转/小时的速度 旋转上述中空管一边进行加热处理。 本专利技术的附载体铜锥的制造方法在再另一实施方案中，上述加热处理前的附载体 铜锥进一步在上述载体侧的表面依序具备中间层、极薄铜层。 本专利技术的附载体铜锥的制造方法在再另一实施方案中，上述加热处理前的附载体 铜锥进一步在上述载体侧的表面具有表面处理层。 本专利技术的附载体铜锥的制造方法在再另一实施方案中，上述表面处理层包含粗化 处理层。本专利技术的附载体铜锥的制造方法在再另一实施方案中，在上述表面处理层为粗化 处理层的表面进一步具有选自由耐热层、防诱层、铭酸盐处理层及硅烷偶合处理层所构成 的群中的一种W上的层。 本专利技术的附载体铜锥的制造方法在再另一实施方案中，上述加热处理前的附载体 铜锥在上述极薄铜层的表面具有选自由粗化处理层、耐热层、防诱层、铭酸盐处理层及硅烷 偶合处理层所组成的群中的一层W上的层来作为表面处理层。 本专利技术的附载体铜锥的制造方法在再另一实施方案中，上述加热处理前的附载体 铜锥在上述表面处理层上具备树脂层。 本专利技术在再另一方面中，是一种覆铜积层板的制造方法，其使用有通过本专利技术的 方法所制得的附载体铜锥。 本专利技术在再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，其使用有通过本专利技术的 方法所制得的附载体铜锥。 本专利技术在再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，其包含W下步骤： 准备通过本专利技术的方法而制得的附载体铜锥与绝缘基板； 将上述附载体铜锥与绝缘基板积层；及 在将上述附载体铜锥与绝缘基板积层后，经将上述附载体铜锥的载体剥离的步骤 而形成覆铜积层板， 其后，本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种附载体铜箔的制造方法，其包含下述加热处理步骤：对依序具备载体、中间层、极薄铜层、包含硅烷偶合处理层的表面处理层的附载体铜箔，进行1小时～8小时的加热温度为100℃～220℃的加热处理，或1小时～6小时的加热温度为100℃～220℃的加热处理，或2小时～4小时的加热温度为160℃～220℃的加热处理。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：森山晃正，永浦友太，
申请(专利权)人：JX日矿日石金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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