具有铁电场效应晶体管存储器阵列的设备及相关方法技术

一种设备包括：场效应晶体管FET结构，其水平地及垂直地堆叠成三维存储器阵列架构；栅极，其在所述多个FET结构之间垂直地延伸且水平地隔开；及铁电材料，其分离所述FET结构与所述栅极。个别铁电FET FeFET形成于所述FET结构、所述栅极及所述铁电材料的相交点处。另一设备包括多个位线及字线。每一位线具有与铁电材料耦合的至少两个侧，使得每一位线由相邻栅极共享以形成多个FeFET。一种操作存储器阵列的方法包括：将电压的组合施加到多个字线及数字线以用于多个FeFET存储器单元的所要操作，至少一个数字线使多个FeFET存储器单元可由相邻栅极存取。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】优先权主张本申请案针对“(APPARATUSES HAVING A FERROELECTRIC FIELD-EFFECT TRANSISTOR MEMORY ARRAY ANDRELATED METHOD) ”主张于2013年5月17日提出申请的序列号为13/897，037的美国专利申请案的申请日期的权益。
本专利技术的实施例涉及铁电场效应晶体管(FeFET)结构。特定来说，本专利技术的实施例涉及采用FeFET的存储器阵列。
技术介绍
已考虑将铁电场效应晶体管用于呈非易失性随机存取存储器的形式的存储器阵列中。举例来说，图1A及1B是包含多个FeFET 110的常规存储器阵列100的示意图。特定来说，图1A中的存储器阵列100的部分是沿着图1B中所展示的俯视图的线1A截取的横截面图。每一 FeFET 110包含在绝缘衬底130上方形成的源极区域112、漏极区域114及本体区域116(在本文中统称为“FET结构”)。每一 FeFET 110可包含通过铁电材料120与FET结构分离的栅极118。换句话说，非常一般地来说，FeFET可具有类似于常规FET的结构，其中栅极氧化物本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设备，其包括：多个场效应晶体管FET结构，其水平地及垂直地堆叠成三维存储器阵列架构；多个栅极，其在所述多个FET结构之间垂直地延伸且水平地隔开；及铁电材料，其分离所述多个FET结构与所述多个栅极，其中个别铁电FET FeFET形成于所述多个FET结构、所述多个栅极及所述铁电材料的相交点处。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·V·尼尔摩·拉玛斯瓦米，亚当·D·约翰逊，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US