温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种设备包括：场效应晶体管FET结构，其水平地及垂直地堆叠成三维存储器阵列架构；栅极，其在所述多个FET结构之间垂直地延伸且水平地隔开；及铁电材料，其分离所述FET结构与所述栅极。个别铁电FET FeFET形成于所述FET结构、所述栅极及所...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。