内埋式被动元件制造技术

技术编号:12537086 阅读:61 留言:0更新日期:2015-12-18 15:42
一种内埋式被动元件,包含一主体及至少一膜层结构。该主体包括一轮廓面及至少一凹槽。该轮廓面具有相反设置的一第一面区及一第二面区,该凹槽是自该第一面区与第二面区两者其中一者朝该第一面区与第二面区两者其中另一者凹陷,且该主体为一体。该膜层结构局部地填置于该凹槽中,且包括一第一导电层,并至少包括一磁性层或一介电层。通过该膜层结构的该第一导电层与该磁性层两者间的电性作用,或通过该第一导电层与该介电层两者间的电性作用,以至少达成电感或电容的特性。该主体因呈一体结构而强度高,且该凹槽利于填置足够量的膜层结构(如,该磁性层)以在节省元件空间的前提下确保元件本身应有的性能。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种被动元件,特别是涉及一种内埋式被动元件
技术介绍
被动元件指的是不会产生功率增益的电路元件,也就是不会放大信号的电路元件,例如,电容器(capacitor,C)、电感器(inductor,L),及电阻器(resistor,R)。此外,前述被动元件多数是用来扮演稳定电流或滤波等角色。例如,由绕设有一线圈(coil)的一磁性体所构成的一磁芯电感器(magnetic-core inductor),可做为扼流器(choke)或共模滤波器(common mode filter)使用,而电连接有磁芯电感器与电容器的电子零组件(components)则可做为电感电容滤波器(L/C filter)使用。此外,以目前市面上的电感器举例来说,其可被分为薄膜式(thin film)、积层式(multilayer)及绕线式(wire wound)。如中国台湾第TW201410090 A早期公开号专利技术专利案(以下称前案I)所公开的一种积层式磁芯电感器I (见图1)及其制造方法(见图2至图7) ο该积层式磁芯电感器I的制造方法包含以下步骤:(A)由下而上依序积层压接一第一电路陶瓷母片110、一第二电路陶瓷母片120、一第三电路陶瓷母片130,及一第四电路陶瓷母片140 (如图2所示);(B)令一表面涂布有一焊垫电极(bonding pad) 1501阵列的载膜150,面向该第一电路陶瓷母片110的一第一预定电路图案1120阵列设置(如图3所示);(C)将该焊垫电极1501阵列转印至该第一电路陶瓷母片110上的第一预定电路图案1120阵列从而构成一第一电路图案112阵列(如图4所示);⑶剥离该载膜150 (如图5所示);(E)烧结所述电路陶瓷母片110、120、130、140以构成一集合基板100 (如图6所示),且该集合基板100的厚度是控制在0.6mm以下;及(F)以一刻划具160对该集合基板100施予刻划(如图7所示),令该集合基板100被分割成多个积层体10,且令集合基板100内的第一电路图案112阵列被分割成多个第一电路图案112并构成如图1所示的积层式磁芯电感器I。如图1所示,经该步骤(F)所刻划出的该积层式磁芯电感器I由下而上依序包含:一第一电路陶瓷片11、一第二电路陶瓷片12、一第三电路陶瓷片13,及一第四电路陶瓷片14。该第一电路陶瓷片11具有一非磁性体111,及该配置于该第一电路陶瓷片11的非磁性体111中的第一电路图案112。该第二电路陶瓷片12与该第三电路陶瓷片13分别具有一磁性体121、131,及一分别配置于其磁性体121、131中的第二电路图案122与第三电路图案132。该第四电路陶瓷片14具有一非磁性体141,及一配置于该第四电路陶瓷片14的非磁性体141中的第四电路图案142。该积层式磁芯电感器I是利用所述电路陶瓷片11、12、13、14的电路图案112、122、132,142以共同构成一内绕式的线圈,并配合所述磁性体121、131以形成该积层式磁芯电感器I的一磁芯。然而,详细地来说,于执行该步骤(A)前,是依序对多个陶瓷母片(图未示)贯孔以于各陶瓷母片形成多个通孔、于各通孔内填置导电糊以形成多数导通导体,以及在各陶瓷母片上涂置导电糊以形成各电路图案等多道程序,才可制得各电路陶瓷母片110、120、130、140。在制程面上来说,构成该内绕式的线圈需要经过四道的贯孔程序、四道的填置导电糊程序、四道的涂布导电糊以形成各电路图案112、122、132、142程序,与一道步骤(E)的烧结处理等十三道程序,相当繁琐,导致制作所需耗费的时间成本提高。就实际应用面来说,由于积层体10是经堆叠烧结所述电路陶瓷母片110、120、130、140并施予刻划后所取得,使该积层式磁芯电感器I体积也随着提高,而不利于安排至电路板上的布局。此外,由于该内绕式线圈是利用所述电路陶瓷片11、12、13、14层层堆叠压制而成;因此,整体结构强度较为不足,且各电路图案112、122、132、142间的非连续的界面也容易产生非奥姆式接触(non-ohmic contact),或增加阻抗而产生额外的电热效应(Joule-heating),皆不利于电感器的运作。再参阅图8与图9,中国台湾第554355公告号专利技术专利案(以下称前案2)公开一种片状电感器(chip inductor) 2及其制作方法。前案2的制作方法是在一厚度150 μπι的一陶瓷母板200上依序形成一具有特定图形(如,螺旋状线圈)的第一电极层210、一由聚酰亚胺(PI)所构成的第一绝缘层220、一具有特定图形的第二电极层230、一由PI所构成的第二绝缘层240,及一由一含有钴(Co)、铁(Fe)、锰(Mn)等无机氧化物的PI所构成的第三绝缘层250(如图8所示),再对该第一电极层210、该第一绝缘层220、该第二电极层230、该第二绝缘层240与该第三绝缘层250整体进行热处理。于热处理完后,采用一雷射(图未示)沿一网格状的行进路径照射该第三绝缘层250,以在该第三绝缘层上形成多个条状切割槽260。最后,以棍断(roller breaking)的方式(如图9所示)沿着所述条状切割槽260断开该第三绝缘层250、该第二绝缘层240、该第二电极层230、该第一绝缘层220、该第一电极层210与该陶瓷母板200,从而得到多个如图9所示的片状电感器2 ;其中,该第一绝缘层220加上该第一电极层210的厚度为20 μ m,该第二绝缘层240加上第二电极层230的厚度为20 μ m,该第三绝缘层223的厚度则是介于20 μ m至30 μ m间。相较于前案I的制造方法,前案2的制作程序虽然较为简化。然而,前案2经辊断后所制得的各片状电感器2的外部尺寸却达ImmX0.5mm或0.6mmX0.3mm。以近年来携带式消费性电子产品的需求来说,为符合前述需求势必通过微型化的电路设计来解决。因此,由前案2的制作方法所制得的各片状电感器2的尺寸还是无法满足现今微型化的电路设计的需求。再者,含有铁、钴或锰等磁性无机氧化物的该第三绝缘层250厚度属于微米(μπι)等级,其所能贡献的磁导率(permeability)也相当有限。经上述说明可知,在研发出一种能够简化制造流程、缩小被动元件尺寸的同时,还能够确保被动元件本身的性能不会因尺寸的缩减而受到影响的制造方法与结构,是此
的相关技术人员所待突破的难题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种内埋式被动元件。本技术内埋式被动元件,包含:一个主体,及至少一个膜层结构。该主体包括一轮廓面及至少一凹槽。该轮廓面具有相反设置的一第一面区及一第二面区,该凹槽是自该第一面区与该第二面区两者其中一者朝该第一面区与该第二面区两者其中另一者凹陷,且该主体为一体(unity)。该膜层结构局部地填置于该凹槽中,且包括一第一导电层,并至少包括一磁性层及一介电层两者其中一者。通过该膜层结构的该第一导电层与该磁性层两者间的电性作用,或通过该第一导电层与该介电层两者间的电性作用,以至少达成电感及电容两者其一者的特性。本技术所述内埋式被动元件,该主体是由一以硅为主的材料或一金属材料所构成。较佳地,本技术所述内埋式被动元件的本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种内埋式被动元件,包含:一主体,及至少一膜层结构;其特征在于:该主体包括一轮廓面及至少一凹槽,该轮廓面具有相反设置的一第一面区及一第二面区,该凹槽是自该第一面区与该第二面区两者其中一者朝该第一面区与该第二面区两者其中另一者凹陷,且该主体为一体;及该膜层结构局部地填置于该凹槽中,且包括一第一导电层,并至少包括一磁性层及一介电层两者其中一者,通过该膜层结构的该第一导电层与该磁性层两者间的电性作用,或通过该第一导电层与该介电层两者间的电性作用,以至少达成电感及电容两者其中一者的特性。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:萧铭河李邦彦曾彦豪
申请(专利权)人:威华微机电股份有限公司
类型:新型
国别省市:中国台湾;71

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