双工器制造技术

本申请涉及双工器。该双工器包括滤波器，该滤波器包括：一个或多个串联谐振器，该一个或多个串联谐振器串联连接在输入端子和输出端子之间；一个或多个并联谐振器，该一个或多个并联谐振器并联连接在输入端子和输出端子之间；以及横向耦合谐振器，该横向耦合谐振器与该一个或多个串联谐振器中的至少一个串联谐振器并联连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的特定方面涉及一种滤波器和一种双工器，并且特别地涉及一种滤波器和一种具有梯型滤波器的双工器。
技术介绍
最近，高频通信系统正在被转变为一种能够进行高速且大容量的通信的调制方法，例如W-CDMA(宽带码分多址)或OFDM(正交频分多路复用)。在诸如W-CDMA或OFDM这样的调制方法中，发送信号的峰值电力大于诸如TDMA(时分多址)或FDM(频分多路复用)这样的调制方法中的发送信号的峰值电力。日本专利申请公开号第2013-123184号公开了一种梯型滤波器和一种使用压电薄膜谐振器的双工器。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种滤波器，该滤波器包括：一个或多个串联谐振器，该一个或多个串联谐振器串联连接在输入端子和输出端子之间；一个或多个并联谐振器，该一个或多个并联谐振器并联连接在输入端子和输出端子之间；以及横向耦合谐振器，该横向耦合谐振器与该一个或多个串联谐振器中的至少一个并联连接。根据本专利技术的另一个方面，提供了一种双工器，该双工器包括：发送滤波器，该发送滤波器连接在公共端子和发送端子之间；以及接收滤波器，该接收滤波器连接在公共端子和接收端子之间，其中，该发送滤波器和接收滤波器中的至少一个是如下滤波器，该滤波器包括：一个或多个串联谐振器，该一个或多个谐振器串联连接在公共端子与发送端子和接收端子中的至少一个之间；一个或多个并联谐振器，该一个或多个并联谐振器并联连接在公共端子与发送端子和接收端子中的所述至少一个之间；以及横向耦合谐振器，该横向耦合谐振器与该一个或多个串联谐振器中的至少一个并联连接。根据本专利技术的另一个方面，提供了一种双工器，该双工器包括：发送滤波器，该发送滤波器连接在公共端子和发送端子之间；接收滤波器，该接收滤波器连接在公共端子和接收端子之间；以及横向耦合谐振器，该横向耦合谐振器在发送端子和接收端子之间与发送滤波器和接收滤波器并联连接。附图说明图1例示了根据第一实施方式的滤波器的电路图；图2例示了其中形成有根据第一实施方式的滤波器的芯片的平面图；图3A和图3B例示了其中形成有根据第一实施方式的滤波器的芯片的截面图；图4A例示了横向耦合谐振器的等效电路；图4B例示了相对于横向耦合谐振器的频率的衰减量和相位；图5A例示了用于仿真的、根据第一实施方式的滤波器的电路图；图5B例示了双工器的电路图图6A例示了通过特性；图6B例示了隔离度特性；图7A和图7B例示了通过第一实施方式的路径52和54的电流的相对于频率的振幅和相位；图8A例示了根据第一实施方式的第一修改实施方式的滤波器的平面图；图8B例示了沿着线A-A截取的截面图；图9例示了根据第一实施方式的第二修改实施方式的滤波器的平面图；图10例示了根据第一实施方式的第二修改实施方式的滤波器的平面图；图11例示了根据第一实施方式的第三修改实施方式的滤波器的截面图；图12A到图12F例示了横向耦合谐振器的示例；图13A和图13B例示了压电薄膜谐振器的示例；图14例示了根据第二实施方式的双工器的电路图；图15例示了根据第二实施方式的双工器的平面图；图16例示了根据第二实施方式的第一修改实施方式的双工器的电路图。具体实施方式例如，当发送信号的峰值电力变大时，由于发送信号向接收频带或另一个频带泄漏，在发送信号和另一个信号之间的干扰，或者另一个信号的噪声的增长是令人烦恼的。因此，在滤波器或双工器中要求具有高衰减特性和/或高隔离度特性。梯型滤波器被设计，使得串联谐振器的谐振频率大体上与并联谐振器的反谐振频率一致。串联谐振器的反谐振频率是通带的高频侧的衰减极点。并联谐振器的谐振频率是通带的低频侧的衰减极点。为了使梯型滤波器可以具有高衰减特性和高隔离度特性，电感器可以被串联地设置在并联谐振器和接地之间，或者，并联谐振器的电容值可以大于串联谐振器的电容值。然而，这些方法在滤波器的插入损耗与高衰减和高隔离度特性之间具有折衷关系。因此，横向耦合谐振器被认为是与梯型滤波器并联连接的。梯型滤波器在通带之外的频率处具有电容性相位特性。另一方面，横向耦合谐振器在通带的一部分中具有电感相位。在梯型滤波器的通带之外，横向耦合谐振器在其中需要衰减的频带中具有电感相位。因此，通过梯型滤波器的路径的相位与通过横向耦合谐振器的路径的相位相反。从而，频带中的信号被消除。插入损耗没有减少。并且，可以实现高衰减量。下文将参考附图对实施方式进行描述。[第一实施方式]图1例示了根据第一实施方式的滤波器的电路图。如图1中所示，滤波器100具有梯型滤波器40和横向耦合谐振器50。梯型滤波器40具有一个或多个串联谐振器S1至S4，以及一个或多个并联谐振器P1至P3。串联谐振器S1至S4被串联连接在输入端子T2和输出端子T1之间。并联谐振器P1至P3被并联连接在输入端子T2和输出端子T1之间。串联谐振器S1至S4和并联谐振器P1至P3是压电薄膜谐振器。图1例示了六段阶梯型滤波器的一个例子。然而，可以根据期望的性质来任意地改变串联谐振器S1至S4和并联谐振器P1至P3的数量及连接关系。横向耦合谐振器50在输入端子T2和输出端子T1之间与梯型滤波器40并联连接。电容器C1和C2在输出端子T1和输入端子T2之间与横向耦合谐振器50串联连接。电容器C1被连接在横向耦合谐振器50和输出端子T1之间。电容器C2被连接在横向耦合谐振器50和输入端子T2之间。在横向耦合谐振器50中，下电极12b和上电极16b将压电膜14b夹在中间。图2例示了其中形成有根据第一实施方式的滤波器的芯片的平面图。图3A和图3B例示了其中形成有根据第一实施方式的滤波器的芯片的截面图。图3A例示了沿着图2中的线A-A截取的截面图。图3B例示了沿着图2中的线B-B截取的截面图。如图2到图3B中所示，在梯型滤波器40中，压电膜14a形成在基板10上。下电极12a和上电极16a将压电膜14a夹在中间。其中下电极12a和上电极16a彼此面对并将压电膜14a夹在中间的区域是谐振区域20。谐振区域20具有椭圆形的形状。基板10的上表面是平坦的。下电极12a和基板10共同形成腔体18a。压电膜14a主要用于帮助图3A中用垂直箭头表示的厚度纵向振动。串联谐振器S1至S4被串联连接在输出端子T1和输入端子T2之间。并联谐振器P1至P3被并联连接在输出端子T1和输入端子T2之间。并联谐振器P1至P3的第一端与接地端子Gnd连接。在横向耦合谐振本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种滤波器，所述滤波器包括：一个或多个串联谐振器，所述一个或多个串联谐振器串联连接在输入端子和输出端子之间；一个或多个并联谐振器，所述一个或多个并联谐振器并联连接在所述输入端子和所述输出端子之间；以及横向耦合谐振器，所述横向耦合谐振器与所述一个或多个串联谐振器中的至少一个串联谐振器并联连接。

【技术特征摘要】
2014.05.21 JP 2014-1049331.一种滤波器，所述滤波器包括：
一个或多个串联谐振器，所述一个或多个串联谐振器串联连接在输入端子和输出
端子之间；
一个或多个并联谐振器，所述一个或多个并联谐振器并联连接在所述输入端子和
所述输出端子之间；以及
横向耦合谐振器，所述横向耦合谐振器与所述一个或多个串联谐振器中的至少一
个串联谐振器并联连接。
2.根据权利要求1所述的滤波器，其中所述横向耦合谐振器具有第一压电膜、
第一下电极和多个上电极，所述第一下电极和所述多个上电极将所述第一压电膜夹在
中间。
3.根据权利要求2所述的滤波器，其中：
所述一个或多个串联谐振器和所述一个或多个并联谐振器是压电薄膜谐振器，所
述压电薄膜谐振器具有第二压电膜、第二下电极和第二上电极，所述第二下电极和所
述第二上电极将所述第二压电膜夹在中间；并且
所述第一压电膜的材料与所述第二压电膜的材料相同。
4.根据权利要求3所述的滤波器，其中，所述第一压电膜的厚度大体上与所述
第二压电膜的厚度相同。
5.根据权利要求2到4中的任一项所述的滤波器，其中，所述多个上电极是彼
此面对的梳状电极。
6.根据权利要求1到4中的任一项所述的滤波器，所述滤波器还包括电容器，
所述电容器与所述至少一个串联谐振器并联连接，并且与所述横向耦合谐振器串联连
接。
7.根据权利要求6所述的滤波器，其中，所述电容器被设置在所述横向耦合谐
振器的所述输入端子侧和所述输出端子侧。
8.根据权利要求1到4中的任一项所述的滤波器，其中：
通过所述至少一个串联谐振器的第一信号的振幅大体上与通过所述横向耦合谐
振器的第二信号的振幅一致；并且
所述第一信号的相位大体上与所述第二信...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩城匡郁，堤润，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP