封装结构的形成方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种封装结构的形成方法。
技术介绍
在现有技术中，芯片与外部电路的连接是通过金属引线键合(WireBonding)的方式实现，即引线键合技术。随着芯片的特征尺寸缩小和集成电路的集成度提高，引线键合技术已不再适用技术的发展需求。为了提高芯片封装的集成度，叠层芯片封装(stackeddiepackage)技术逐渐成为技术发展的主流。叠层芯片封装技术，又称三维封装技术，具体是在同一个封装体内堆叠至少两个芯片的封装技术。叠层芯片封装技术能够实现半导体器件的大容量、多功能、小尺寸、低成本等技术需求，因此叠层芯片技术近年来得到了蓬勃发展。以使用堆叠封装技术的存储器为例，相较于没有使用堆叠技术的存储器，采用堆叠封装技术的存储器能够拥有两倍以上的存储容量。此外，使用堆叠封装技术更可以有效地利用芯片的面积，多应用于大存储空间的U盘、SD卡等方面。堆叠芯片封装技术能够通过多种技术手段来实现，例如打线工艺、硅通孔(t...
【技术保护点】
一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供载体，所述载体具有芯片区，且所述载体具有相对的第三表面和第四表面；在所述载体内形成一个或若干个插槽，所述插槽贯穿所述载体；在所述载体芯片区的第三表面固定芯片，所述芯片具有相对的第一表面和第二表面，所述芯片的第二表面包括功能区，所述芯片的第一表面与载体的第三表面相互固定；在所述插槽内固定连接键，所述连接键包括导电线，所述连接键包括第一端和第二端，所述连接键的第一端和第二端暴露出所述导电线，所述连接键的第一端位于所述插槽内，且所述连接键的第一端突出于或齐平于所述载体的第四表面，所述连接键的第二端齐平于所述芯片的功能区表面；在所述载体...
【技术特征摘要】
1.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供载体，所述载体具有芯片区，且所述载体具有相对的第三表面和第
四表面；
在所述载体内形成一个或若干个插槽，所述插槽贯穿所述载体；
在所述载体芯片区的第三表面固定芯片，所述芯片具有相对的第一表面
和第二表面，所述芯片的第二表面包括功能区，所述芯片的第一表面与载体
的第三表面相互固定；
在所述插槽内固定连接键，所述连接键包括导电线，所述连接键包括第
一端和第二端，所述连接键的第一端和第二端暴露出所述导电线，所述连接
键的第一端位于所述插槽内，且所述连接键的第一端突出于或齐平于所述载
体的第四表面，所述连接键的第二端齐平于所述芯片的功能区表面；
在所述载体的第三表面形成塑封层，所述塑封层包围所述芯片和连接键，
所述塑封层的表面暴露出所述连接键的第二端和芯片的功能区表面；
在所述塑封层表面形成再布线层，所述再布线层与所述连接键的第二端
以及芯片的功能区电连接；
在所述再布线层表面形成第一焊球。
2.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述
插槽内固定连接键之前，在所述载体的第四表面覆盖第一粘结层，所述第
一粘结层封闭所述插槽的一端；在所述插槽内固定所述连接键之后，所述
连接键的第一端位于所述第一粘结层表面；在形成塑封层之后，去除所述
第一粘结层。
3.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述连接键还包
括位于所述导电线侧壁表面的保护层，所述保护层暴露出所述连接键第一
端和第二端的导电线。
4.如权利要求3所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述连接键的形
成步骤包括：提供初始导电线，所述初始导电线具有第三端和第四端；在
所述初始导电线的侧壁表面形成初始保护层，形成初始连接键，所述初始
\t保护层暴露出所述初始导电线的第三端和第四端；沿垂直于所述初始导电
线侧壁的方向切割所述初始保护层和初始导电线，形成若干段导电线、以
及位于导电线侧壁表面的保护层。
5.如权利要求4所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述初始保护层
的形成工艺包括化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺、原子层沉积工艺、
喷涂工艺或注塑工艺。
6.如权利要求3所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材
料为绝缘材料。
7.如权利要求6所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述绝缘材料为
有机绝缘材料或无机绝缘材料；所述有机绝缘材料包括聚氯乙烯；所述无
机绝缘材料包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种。
8.如权利要求1所述的封...
【专利技术属性】
技术研发人员：石磊，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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