半导体器件制造技术

本申请公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：有源区；以及伪有源区，伪有源区位于有源区的外侧并与有源区间隔布置；伪有源区包括第一伪有源区，第一伪有源区在有源区的外侧延伸形成连续条状。对于同样大小的半导体器件来说，本申请的延伸成连续条状的第一伪有源区由于取消了原本对应于有源区的空白区域，所以可以产生更多的应力作用在有源区上，满足应力加强型的半导体器件的要求，提高半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制造
，具体而言，涉及一种半导体器件有源区和伪有源区的设置。
技术介绍
在半导体制造
，随着技术的逐渐进步，特征尺寸(critical dimens1n,简称CD)变得越来越小,而伪图样(pattern dummy)变得越来越重要。以图1所示的现有技术的半导体器件为例，在图1中，有源区I’ (active area，简称AA)作为器件工作区域设置有栅极2’(GT)，栅极2’的相对两侧分别布置有多个伪栅极3’ (Dummy GT)。在有源区I’外侧设置有多个伪有源区4’ (AA Du_y)，多个伪有源区4’间隔布置并环绕在源区I’的四周。伪有源区4’以及伪栅极3’均属于伪图样中的一种。现有技术中的每个伪有源区4’通常为很小的方形或矩形，用于形成应力层为有源区I’提供所需的应力(stress)，可以改善半导体器件(MOS)的有源区I’的失真现象并提高有源区I’的化学机械抛光(CMP)效果。尤其对于45nm以下的半导体器件来说，应力对于半导体器件的性能有着越来越大的影响，因此如何合理设计伪有源区4’成为一个重要的问题。现有技术中的这种间隔布置的小块的伪有源区4’存在的缺陷在于:在垂直于栅极2’的延伸方向，有源区I’的相对两侧分别设置有五个伪有源区4’，而每侧的五个伪有源区4’中，只有对应于有源区I’的中间三个伪有源区4’主要对有源区I’产生应力，其余的两个伪有源区4’基本上不会对有源区I’产生应力；且中间三个伪有源区4’为间隔布置，每相邻两个伪有源区4’之间形成的空白区域也不能对有源区I’产生应力，这样就使得这一侧的伪有源区4’产生的应力在有些情况下不能达到有源区I’的要求。同样的，在沿栅极2’的延伸方向，有源区I’的相对两侧分别设置有六个伪有源区4’，而每侧的六个伪有源区4’虽然都对应着有源区I’布置，但是每相邻两个伪有源区4’之间形成的空白区域也不能对有源区I’产生应力，使得这一侧的伪有源区4’产生的应力在有些情况下也不能达到有源区I’的要求。当然，图1所示的伪有源区4’的个数以及与有源区I’的对应关系在实际应用中会有所调整，即对应于不同大小的有源区1’，在垂直于栅极2’的延伸方向，有源区I’的相对两侧可能会分别设置有其他数量的伪有源区4’，在沿栅极2’的延伸方向，有源区I’的相对两侧也可能分别设置有其他数量的伪有源区4’，具体数量应该根据有源区I’的大小进行设计。但是无论如何调整，这种块状间隔布置的伪有源区4’由于两两之间形成空白区域，都会对应力的产生造成影响，存在不能达到有源区I’所需应力要求的情况。
技术实现思路
本申请旨在提供一种半导体器件，可以增加对有源区产生的应力，满足有源区的需要。为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种半导体器件，包括:有源区；以及伪有源区，伪有源区位于有源区的外侧并与有源区间隔布置；伪有源区包括第一伪有源区，第一伪有源区在有源区的外侧延伸形成连续条状。进一步地，第一伪有源区沿其延伸方向的相对两端分别与有源区的相对两端平齐。进一步地，半导体器件还包括栅极，栅极设置在有源区上。进一步地，第一伪有源区沿栅极的延伸方向延伸。进一步地，两个第一伪有源区沿垂直于栅极的延伸方向布置在有源区的相对两侧。进一步地，第一伪有源区的延伸方向垂直于栅极的延伸方向。进一步地，两个第一伪有源区沿栅极的延伸方向布置在有源区的相对两侧。进一步地，第一伪有源区有四个，对应于有源区的四周布置。进一步地，四个第一伪有源区间隔布置。进一步地，四个第一伪有源区首尾顺次连接。进一步地，半导体器件还包括伪栅极，伪栅极与栅极平行。进一步地，多个伪栅极沿垂直于栅极的延伸方向间隔布置。进一步地，伪有源区还包括第二伪有源区，第二伪有源区间隔布置于第一伪有源区的相对两侧。进一步地，伪有源区还包括第三伪有源区组，第三伪有源区组中的多个第三伪有源区沿垂直于第一伪有源区的延伸方向间隔布置。进一步地，两个第三伪有源区组沿第一伪有源区的延伸方向布置在有源区的相对两侧。应用本申请的技术方案，半导体器件包括有源区以及伪有源区，其中伪有源区位于有源区的外侧并与有源区间隔布置，伪有源区包括第一伪有源区，该第一伪有源区在有源区的外侧延伸形成连续条状。由于是连续延伸且对应于有源区设置，相较于现有技术中的块状结构来说，第一伪有源区可以增加对有源区产生的应力以达到有源区的要求。【附图说明】构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中:图1示出了现有技术的半导体器件的示意图；图2示出了本申请的第一个实施例的半导体器件的示意图；图3示出了本申请的第二个实施例的半导体器件的示意图；图4示出了本申请的第三个实施例的半导体器件的示意图；以及图5示出了本申请的第四个实施例的半导体器件的示意图。【具体实施方式】需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述【具体实施方式】，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用属于“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。正如
技术介绍
中所介绍的，现有技术存在块状间隔布置的伪有源区所产生的应力在一定情况下难以满足有源区要求的技术问题。为解决该技术问题，在有源区I的外侧设置本申请提供的伪有源区4。其中伪有源区4与有源区I间隔设置，伪有源区4包括第一伪有源区41，第一伪有源区41在有源区I的外侧延伸形成连续条状。对于同样大小的半导体器件来说，本申请的延伸成连续条状的第一伪有源区41由于取消了原本对应于有源区I的空白区域，所以可以产生更多的应力作用在有源区I上，满足应力加强型的半导体器件的要求，提高半导体器件的性能。下面将更详细地描述根据本申请的示例性实施方式。然而，这些示例性实施方式可以由多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施方式。应当理解的是，提供这些实施方式是为了使得本申请的公开彻底且完整，并且将这些示例性实施方式的构思充分传达给本领域普通技术人员，在附图中，为了清楚起见，扩大了层和区域的厚度，并且使用相同的附图标记表示相同的器件，因而将省略对它们的描述。下面将结合图2至图5所示的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：有源区；以及伪有源区，所述伪有源区位于所述有源区的外侧并与所述有源区间隔布置；其特征在于，所述伪有源区包括第一伪有源区，所述第一伪有源区在所述有源区的外侧延伸形成连续条状。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈金明，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31