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本申请公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：有源区；以及伪有源区，伪有源区位于有源区的外侧并与有源区间隔布置；伪有源区包括第一伪有源区，第一伪有源区在有源区的外侧延伸形成连续条状。对于同样大小的半导体器件来说，本申请的延伸成连续条状的第一...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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