本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置，该方法包括：在衬底基板上依次形成栅极图形、栅极绝缘层薄膜、有源层薄膜、欧姆接触层薄膜、位于待形成的沟道区域内的第一刻蚀阻挡模块、源漏极金属层薄膜；利用第一刻蚀阻挡模块遮挡对应于待形成的沟道区域的有源层薄膜和欧姆接触层薄膜，通过湿法刻蚀形成包括源极和漏极的图形；通过干法刻蚀工艺形成包括欧姆接触层和有源层的图形。本发明专利技术在第一刻蚀阻挡模块可以保护对应于待形成的沟道区域的有源层薄膜的基础上，只通过湿法刻蚀工艺完成对源漏极金属层的刻蚀，刻蚀均匀，避免了干法刻蚀工艺对于源漏极金属层进行刻蚀时，刻蚀不均匀，设备损耗大，出现良率低的问题。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，尤指一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置。
技术介绍
通常，薄膜晶体管(Thin-film Transistor，TFT)在阵列基板中起到具有十分重要的作用。目前，在薄膜晶体管的制作工艺中，具体包括:步骤一、如图1a所示，在衬底基板01上依次形成栅极02的图形、栅绝缘层薄膜03、有源层薄膜04、欧姆接触层薄膜05、源漏极金属层薄膜06以及光刻胶层薄膜07，对光刻胶层薄膜07进行曝光显影，得到光刻胶完全去除区域a、光刻胶部分保留区域b和光刻胶完全保留区域C，光刻胶完全去除区域a对应于除待形成有源层图形的区域之外的区域，光刻胶部分保留区域b对应于待形成的沟道区域，光刻胶完全保留区域c对应于待形成源极、漏极图形的区域，其中光刻胶部分保留区域的光刻胶可以避免对应于待形成的沟道区域的有源层薄膜04在下一步刻蚀工艺中受损；步骤二、如图1b所示，在湿刻设备中，通过湿法刻蚀工艺将光刻胶完全去除区域a的源漏极金属层薄膜06刻蚀掉，此时源漏极金属层薄膜06经过了一次湿法刻蚀，但并未形成源极、漏极的图形；步骤三、如图1c所示，在干刻设备中分别对光刻胶完全去除区域a的欧姆接触层薄膜05和有源层薄膜04进行干法刻蚀，对光刻胶部分保留区域b的光刻胶进行灰化，以及对光刻胶部分保留区域b的源漏极金属层薄膜06和欧姆接触层薄膜05进行干法刻蚀，得到有源层041、源极061、漏极062、欧姆接触层051等图形，此时源漏极金属层薄膜06又经过了一次干法刻蚀，才形成源极、漏极的图形；步骤四、如图1d所示，将剩余的光刻胶进行剥离。在现有的TFT阵列基板制作工艺的上述步骤中，源漏极金属层薄膜经过了一次湿法刻蚀和一次干法刻蚀，其中在干法刻蚀工艺中对于与沟道区域对应的源漏极金属层进行刻蚀的时候有着各种弊端，例如干刻设备对金属层的刻蚀较困难，且刻蚀不均匀，设备损耗大，出现良率低的问题，难于适用于量产。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置，只通过利用湿法刻蚀对源漏极金属层进行刻蚀，刻蚀均匀，提高了产能。因此，本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管的制作方法，包括:在衬底基板上依次形成栅极的图形、栅极绝缘层薄膜、有源层薄膜和欧姆接触层薄膜；在所述欧姆接触层薄膜上位于待形成的沟道区域内形成第一刻蚀阻挡模块；在形成所述第一刻蚀阻挡模块的衬底基板上形成源漏极金属层薄膜；利用所述第一刻蚀阻挡模块遮挡对应于待形成的沟道区域的有源层薄膜和欧姆接触层薄膜，通过湿法刻蚀工艺在所述源漏极金属层薄膜形成包括源极和漏极的图形；通过干法刻蚀工艺在所述欧姆接触层薄膜形成欧姆接触层的图形，以及在所述有源层薄膜形成有源层的图形。 在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管的制作方法中，在所述欧姆接触层薄膜上位于待形成的沟道区域内形成第一刻蚀阻挡模块，具体包括:在所述欧姆接触层薄膜上形成第一光刻胶层薄膜，对所述第一光刻胶层薄膜进行曝光显影，得到光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域；所述光刻胶完全保留区域对应于待形成的沟道区域，所述光刻胶完全去除区域对应于除所述沟道区域以外的其他区域；所述第一光刻胶层薄膜的光刻胶完全保留区域的光刻胶为第一刻蚀阻挡模块。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管的制作方法中，利用所述第一刻蚀阻挡模块遮挡对应于待形成的沟道区域的有源层薄膜和欧姆接触层薄膜，通过湿法刻蚀工艺在所述源漏极金属层薄膜形成包括源极和漏极的图形，具体包括:在所述源漏极金属层薄膜上对应待形成源极和漏极图形的区域形成第二刻蚀阻挡丰吴块；以所述第二刻蚀阻挡模块为掩膜，利用所述第一刻蚀阻挡模块遮挡对应于待形成的沟道区域的有源层薄膜和欧姆接触层薄膜，对所述源漏极金属层进行一次湿法刻蚀工艺，形成包括源极和漏极的图形。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管的制作方法中，在所述源漏极金属层薄膜上对应待形成源极和漏极图形的区域形成第二刻蚀阻挡模块，具体包括:在所述源漏极金属层薄膜上形成第二光刻胶层薄膜，对所述第二光刻胶层薄膜进行曝光显影，得到光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域；所述光刻胶完全保留区域对应于待形成源极和漏极图形的区域，所述光刻胶完全去除区域对应于除待形成源极和漏极图形的区域以外的其他区域；所述第二光刻胶层薄膜的光刻胶完全保留区域的光刻胶为第二刻蚀阻挡模块。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管的制作方法中，通过干法刻蚀工艺在所述欧姆接触层薄膜形成欧姆接触层的图形，以及在所述有源层薄膜形成有源层的图形，具体包括:以所述第一刻蚀阻挡模块和第二刻蚀阻挡模块为掩膜，通过一次干法刻蚀工艺刻蚀掉除对应于待形成沟道区域、源极和漏极图形的区域以外的欧姆接触层薄膜；去除掉所述第一刻蚀阻挡模块；以所述第二刻蚀阻挡模块为掩膜，通过一次干法刻蚀工艺刻蚀掉对应于待形成沟道区域的欧姆接触层薄膜，以及刻蚀掉除对应于待形成沟道区域、源极和漏极图形的区域以外的有源层薄膜，在所述欧姆接触层薄膜形成欧姆接触层的图形，以及在所述有源层薄膜形成有源层的图形。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管的制作方法中，去除掉第一刻蚀阻挡模块，具体包括:对所述第一刻蚀阻挡模块进行灰化处理。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管的制作方法中，在所述欧姆接触层薄膜形成欧姆接触层的图形，以及在所述有源层薄膜形成有源层的图形之后，还包括:对所述第二刻蚀阻挡模块进行剥离。本专利技术实施例还提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管使用本专利技术实施例提供的上述制作方法制作。本专利技术实施例还提供了一种阵列基板，包括本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的上述阵列基板。本专利技术实施例的有益效果包括:当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上依次形成栅极的图形、栅极绝缘层薄膜、有源层薄膜和欧姆接触层薄膜；在所述欧姆接触层薄膜上位于待形成的沟道区域内形成第一刻蚀阻挡模块；在形成所述第一刻蚀阻挡模块的衬底基板上形成源漏极金属层薄膜；利用所述第一刻蚀阻挡模块遮挡对应于待形成的沟道区域的有源层薄膜和欧姆接触层薄膜，通过湿法刻蚀工艺在所述源漏极金属层薄膜形成包括源极和漏极的图形；通过干法刻蚀工艺在所述欧姆接触层薄膜形成欧姆接触层的图形，以及在所述有源层薄膜形成有源层的图形。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：熊胜楠，郑云友，李伟，张益存，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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